场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
FDI038AN06A0_NL	3.8100	询价	169	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				60V	17A（Ta）、80A（Tc）	6V、10V	3.8毫欧@80A，10V	4V@250μA	124nC@10V	±20V	6400pF@25V	-	310W（温度）
2SK2498-AZ	3.5400	询价	第414章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全封装，隔离片			MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-2SK2498-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				60V	50A（塔）	4V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	152nC@10V	±20V	3400pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
IXFV30N50P	-	询价	9055	IXYS	HiPerFET™、PolarHT™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	IXFV30		MOSFET（金属O化物）		PLUS220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				500V	30A（温度）	10V	200毫欧@15A，10V	5V@4mA	70nC@10V	±30V	4150pF@25V	-	460W（温度）
SCTH70N120G2V-7	31.3814	询价	9609	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiCFET（碳化硅）		H2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				1200伏	90A（温度）	18V	30毫欧@50A，18V	4.9V@1mA	150nC@18V	+22V，-10V	800V时为3540pF	-	469W（温度）
PMDXB550UNE/S500Z	-	询价	8839	恩智浦半导体	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFDFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）	285mW（Ta），4.03W（Tc）	DFN1010B-6	-				2156-PMDXB550UNE/S500Z			1	2 N 沟道					30V	590mA（塔）		670毫欧@590mA，4.5V	0.95V@250μA	1.05nC@4.5V		30.3pF@15V	标准
SSFD20N08	0.6300	询价	5	固锝半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0080	2,500人		N沟道				200V	8A（温度）	10V	300mOhm@4.5A，10V	2.5V@250μA	16nC@10V	±20V	540pF@25V	-	55W（温度）
DMN3016LFDFQ-7	0.1333	询价	9864	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	DMN3016		MOSFET（金属O化物）		U-DFN2020-6（F型）	下载			REACH 不出行	31-DMN3016LFDFQ-7TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	10A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@11A，10V	2V@250μA	10V时为25.1nC	±20V	1415pF@15V	-	730毫W（塔）
IPI80N04S204AKSA1	-	询价	8068	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道				40V	80A（温度）	10V	3.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	5300pF@25V	-	300W（温度）
SI7114DN-T1-GE3	0.8005	询价	8612	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7114		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	11.7A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@18.3A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V		-	1.5W（塔）
ICE20N170B	-	询价	6280	冰茂科技	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3，D²Pak（2引脚+片）变体			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载				5133-ICE20N170BTR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				600伏	20A（温度）	10V	199毫欧@10A，10V	3.9V@250μA	59nC@10V	±20V	2064pF@25V	-	236W（温度）
GT011N03D5	0.6416	询价	8659	高福德半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (4.9x5.75)	-	符合RoHS标准		REACH 不出行	3141-GT011N03D5TR	EAR99	8541.29.0000	5,000		N沟道				30V	170A（温度）	4.5V、10V	1.2毫欧@30A，10V	2V@250μA	98nC@10V	±16V	15V时为4693pF	-	88W（温度）
IRFH4257DTRPBF	0.9800	询价	2	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFH4257		MOSFET（金属O化物）	25W、28W	双 PQFN (5x4)	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	2 个 N 沟道（双）					25V	25A		3.4毫欧@25A，10V	2.1V@35μA	15nC@4.5V		1321pF@13V	逻辑电平门
SIHD11N80AE-T1-GE3	1.8000	询价	7909	威世硅科	B	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）		742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				800V	8A（温度）	10V	450mOhm@5.5A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±30V	100V时为804pF	-	78W（温度）
BUK9875-100A/CU115	-	询价	7320	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
BSZ240N12NS3GATMA1	1.6500	询价	1088	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ240		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				120V	37A（温度）	10V	24毫欧@20A，10V	4V@35μA	27nC@10V	±20V	1900pF@60V	-	66W（温度）
BTS114AE3045A	3.2200	询价	10	英飞凌科技	TEMPFET®	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				50V	17A（温度）	10V	100mOhm@9A，10V	3.5V@1mA		±20V	600pF@25V	-	50W
IXTA90N075T2	3.4400	询价	6	IXYS	TrenchT2™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IXTA90		MOSFET（金属O化物）		TO-263AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-IXTA90N075T2	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				75V	90A（温度）	10V	10毫欧@25A，10V	4V@250μA	54nC@10V	±20V	3290pF@25V	-	180W（温度）
IXTH20N65X	10.4900	询价	300	IXYS	超X	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXTH20		MOSFET（金属O化物）		TO-247（第九）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				650伏	20A（温度）	10V	210毫欧@10A，10V	5.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1390pF@25V	-	320W（温度）
IRF8313TRPBF	0.9000	询价	39	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF8313		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）					30V	9.7A		15.5毫欧@9.7A，10V	2.35V@25μA	9nC@4.5V		760pF@15V	逻辑电平门
BF1105WR,135	-	询价	9482	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF110	800兆赫	场效应晶体管		CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934050320135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应		30毫安	-	20分贝											1.7分贝	5V
STQ1NK80ZR-AP	0.8700	询价	6693	意法半导体	超级网格™	切带 (CT)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	STQ1NK80		MOSFET（金属O化物）		TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				800V	300mA（温度）	10V	16欧姆@500mA，10V	4.5V@50μA	10V时为7.7nC	±30V	160pF@25V	-	3W（温度）
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	询价	3054	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-43	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				60V	235A（Tj）	4.5V、10V	1.5毫欧@60A，10V	2.2V@94μA	114nC@10V	±20V	8193pF@30V	-	167W（温度）
PJX8802_R1_00001	0.4200	询价	3	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	PJX8802		MOSFET（金属O化物）	300毫W（塔）	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJX8802_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）					20V	700mA（塔）		150mOhm@700mA，4.5V	1V@250μA	1.6nC@4.5V		92pF@10V	-
SI1034X-T1-E3	-	询价	4463	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1034		MOSFET（金属O化物）	250毫W	SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					20V	180毫安		5欧姆@200mA，4.5V	1.2V@250μA	0.75nC@4.5V		-	逻辑电平门
IPD50N03S2-07	-	询价	2722	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道				30V	50A（温度）	10V	7.3毫欧@50A，10V	4V@85μA	68nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	136W（温度）
IXTH24N50L	22.5400	询价	7442	IXYS	线性	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IXTH24		MOSFET（金属O化物）		TO-247（第九）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				500V	24A（温度）	20V	300毫欧@500毫安，20伏	5V@250μA	160nC@20V	±30V	2500pF@25V	-	400W（温度）
NTD4959N-1G	-	询价	4938	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币49元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				30V	9A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	12V时为1456pF	-	1.3W（Ta）、52W（Tc）
IRFR421	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
IPW65R080CFDAFKSA1	12.7400	询价	950	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IPW65R080		MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				650伏	43.3A（温度）	10V	80毫欧@17.6A，10V	4.5V@1.76mA	161nC@10V	±20V	100V时为4440pF	-	391W（温度）
DMN13H750S-7	0.5500	询价	5911	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DMN13		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道				130伏	1A（塔）	6V、10V	750mOhm@2A，10V	4V@250μA	5.6nC@10V	±20V	231pF@25V	-	770毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²