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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SIHB30N60E-GE3	6.0700	RFQ	879	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB30		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHB30N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BLF8G10LS-160V，112	66.3900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v		法兰安装	SOT-502B	BLF8	920MHz〜960MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				1.1 a	35W	19.7db											-	30 V
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	7877	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					150 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BSO203SP	0.3600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道					20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 50µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
AUIRFB3806-IR	-	RFQ	6895	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFB3806-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	43A（TC）		15.8mohm @ 43a，10v	-		-		-	71W（TC）
RW1A030APT2CR	-	RFQ	3626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A030		MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道					12 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	42MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	-8V	2700 PF @ 6 V	-	700MW（TA）
FDMC012N03	2.9600	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC012		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	35A（35A），185A （TC）	4.5V，10V	1.23MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±12V	8183 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），64w（tc）
IRF7739L1TRPBF	5.3200	RFQ	5370	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7739		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
MSHM30N46	0.4500	RFQ	150	布鲁克韦尔	DFN3X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN3333	下载	Rohs符合条件		到达受影响	4727-MSHM30N46TR	Ear99		1		n通道					30 V	46a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V		标准	-
DMN3270UVT-13	0.1201	RFQ	7839	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN3270		MOSFET （金属 o化物）	760MW（TA）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）						30V	1.6a（ta）		270MOHM @ 650mA，4.5V	900MV @ 40µA	3.07NC @ 4.5V		161pf @ 15V	-
IXTH12N150	17.1700	RFQ	27	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1500 v	12A（TC）	10V	2ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
ixta1n80	-	RFQ	3625	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	750mA（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 25µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BSS138 RFG	0.3700	RFQ	64	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					50 V	260mA ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 260mA，10V	1.6V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	32 pf @ 25 V	-	357MW（TA）
R8005anjfrgtl	3.2100	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R8005		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	5A（TC）	10V	2.1OHM @ 2.5a，10v	5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	120W（TC）
NXH010P90MNF1PG	-	RFQ	3288	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010		（SIC）	328W（TJ）	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P90MNF1PG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源						900V	154a（TC）		14mohm @ 100a，15v	4.3V @ 40mA	546.4NC @ 15V		7007pf @ 450V	-
AUIRF1010ZL	1.2400	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STI10N62K3	2.0700	RFQ	850	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI10N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-497-12256	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					620 v	8.4A（TC）	10V	750MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 100µA	42 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 50 V	-	125W（TC）
AUIRF7805Q	0.8800	RFQ	1826年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8541.29.0095	90		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
PMZB350UPE，315	-	RFQ	1157	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1		P通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±8V	127 pf @ 10 V	-	360MW（TA），3.125W（TC）
BLS7G2933S-150,112	515.3300	RFQ	32	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	60 V		底盘安装	SOT-922-1		2.9GHz〜3.3GHz	ldmos		CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			4.2µA	100 ma	150W	13.5dB											-	32 v
H7N1004FN-E-A9 ＃B0F	1.2800	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NVMFS5C460NLT3G	-	RFQ	9683	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	78A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），50W（TC）
MRF7S24250N-3STG	-	RFQ	2591	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的					MRF7S24250					-	rohs3符合条件		到达不受影响	935345449598		0000.00.0000	1
E3M0045065K	12.2872	RFQ	5692	Wolfspeed，Inc。	汽车，AEC-Q101，e	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L	-				1697-E3M0045065K			30		n通道					650 v	46A（TC）	15V	60mohm @ 17.6a，15v	3.6V @ 4.84mA	64 NC @ 15 V	+19V，-8V	122 PF @ 400 V		150W（TC）
SPB04N60S5ATMA1	-	RFQ	5997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB04N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQ4284EY-T1_GE3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4284		MOSFET （金属 o化物）	3.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						40V	-		13.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		2200pf @ 25V	逻辑级别门
BUK9215-55A，118	1.4800	RFQ	3427	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	55A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	2916 pf @ 25 V	-	115W（TC）
IRL1404ZSPBF	1.0000	RFQ	1407	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PJMD390N65EC_L2_00001	6.9000	RFQ	5	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJMD390		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMD390N65EC_L2_00001CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					650 v	10A（TC）	10V	390MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	726 PF @ 400 V	-	87.5W（TC）
PMZB320UPEYL	0.5000	RFQ	27	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMZB320		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道					30 V	1A（1A）	1.5V，4.5V	510MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±8V	122 pf @ 15 V	-	350MW（TA），6.25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²