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单FET，MOSFET（（44971）

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FQA9N90-F109	-	RFQ	8806	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9	MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	900 v	8.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 4.3A，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	240W（TC）
MCU12P10-TP	0.8400	RFQ	3385	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU12	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	100 v	12A（TC）	10V	200mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1055 pf @ 25 V	-	40W
SI5471DC-T1-GE3	0.7500	RFQ	1050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5471	MOSFET （金属 o化物）	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	20mohm @ 9.1a，4.5V	1.1V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
Sty60nm50	24.7200	RFQ	6535	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty60	MOSFET （金属 o化物）	Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	60a（TC）	10V	50mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	266 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
BUK7Y12-55B，115	1.5100	RFQ	97	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y12	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	55 v	61.8A（TC）	10V	12mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	35.2 NC @ 10 V	±20V	2067 PF @ 25 V	-	105W（TC）
FDS9412	0.2700	RFQ	116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 7.9a，10v	2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
STB200N4F3	-	RFQ	9628	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SI1056X-T1-E3	-	RFQ	1187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1056	MOSFET （金属 o化物）	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	89mohm @ 1.32a，4.5V	950mv @ 250µA	8.7 NC @ 5 V	±8V	400 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
IXFR64N50P	20.3500	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	35A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	5.5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
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psmnr90-40ylhx	3.8700	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PSMNR90	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	300A（TA）	4.5V，10V	0.94mohm @ 25a，10v	2.05V @ 1mA	168 NC @ 10 V	±20V	12673 PF @ 20 V	（（（）	333W（TA）
R6530knxc7g	6.6700	RFQ	894	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6530	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	30a（TA）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
AON2392	0.3015	RFQ	5352	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-PowerWFDFN	AON23	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 50 V	-	4.1W（TA）
PSMN2R6-60PS127	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FDD6N25TM	0.6700	RFQ	3222	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6N25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	50W（TC）
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BSL207SPL6327HTSA1	-	RFQ	4013	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	41MOHM @ 6A，4.5V	1.2V @ 40µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1007 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IXTT440N055T2	15.4300	RFQ	2791	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT440	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt440n055t2	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	55 v	440a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 250µA	405 NC @ 10 V	±20V	25000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
DMN2310UW-7	0.0469	RFQ	5764	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2310	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载			到达不受影响	31-DMN2310UW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	200mohm @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	450MW（TA）
STF12PF06	-	RFQ	7092	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	60 V	8A（TC）	10V	200mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	225W（TC）
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AON4705L	-	RFQ	6387	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON470	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN （3x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±8V	745 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）
STD5NK50Z-1	-	RFQ	3812	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD5N	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
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PJMH074N60FRC_T0_00601	8.3600	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PJMH074	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	53A（TC）	10V	74MOHM @ 26.5A，10V	4.5V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	3871 PF @ 400 V	-	446W（TC）
IRF7470TRPBF	0.6800	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	439	n通道	40 V	10a（10a）	2.8V，10V	13mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±12V	3430 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
SQJA76EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	75A（TC）	10V	2.4mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IXFK240N15T2	21.7200	RFQ	1242	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK240	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IRF8707GTRPBF	-	RFQ	8387	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQPF20N06L	1.6500	RFQ	1545年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	15.7A（TC）	5V，10V	55mohm @ 7.85a，10V	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²