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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFV30N50PS	-	RFQ	6820	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV30	MOSFET （金属 o化物）	加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
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R6030enx	5.8900	RFQ	2756	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6030	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	30A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±30V	2100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
FQP9N15	0.2900	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	75W（TC）
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SIDR500EP-T1-RE3	3.4400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）		742-SIDR500EP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	（94a）（ta），421A（TC）	4.5V，10V	0.47MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 V	+16V，-12V	8960 pf @ 15 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
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IRLL024NPBF-INF	-	RFQ	2619	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	181	n通道	55 v	3.1a（ta）		65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
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NP88N04NUG-S18-AY	2.6800	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP88N04NUG-S18-AY	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	40 V	88A（TC）	10V	3.4MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
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AOT11S60L	2.4200	RFQ	3517	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT11	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1250-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	11A（TC）	10V	399MOHM @ 3.8A，10V	4.1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	545 pf @ 100 V	-	178W（TC）
MMSF3350R2	0.2400	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
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IPP075N15N3GHKSA1	-	RFQ	8553	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP075N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000386663	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	150 v	100A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
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FQP2P25	-	RFQ	2274	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）
G15N10C	0.6200	RFQ	463	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	110MOHM @ 8A，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V		-	42W（TC）
2SJ661-DL-E	-	RFQ	2531	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SJ661	MOSFET （金属 o化物）	SMP-FD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	60 V	38a（ta）	4V，10V	39mohm @ 19a，10v	2.6V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 20 V	-	1.65W（TA），65W（tc）
UF3C120400B7S	6.5400	RFQ	363	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	UF3C120400	sicfet（cascode sicjfet）	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	1200 v	7.6A（TC）	12V	515MOHM @ 5A，12V	6V @ 10mA	22.5 NC @ 15 V	±25V	739 PF @ 800 V	-	100W（TC）
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SIJ494DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	4587	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij494	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	36.8A（TC）	7.5V，10V	23.2MOHM @ 15A，10V	4.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1070 pf @ 75 V	-	69.4W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²