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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
STD5N95K3	3.0800	RFQ	7844	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N95	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	950 v	4A（TC）	10V	3.5OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	19 nc @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	90W（TC）
SI4864DY-T1-GE3	4.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4864	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 25A，4.5V	2V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
STF140N6F7	2.2100	RFQ	4258	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF140	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16970	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	70A（TC）	10V	3.5MOHM @ 35A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SIS778DN-T1-GE3	-	RFQ	5560	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS778	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	42.5 NC @ 10 V	±20V	1390 pf @ 15 V	（（（）	52W（TC）
PHB193NQ06T，118	-	RFQ	2839	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB19	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	85.6 NC @ 10 V	±20V	5082 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK769R6-80E，118	-	RFQ	9459	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk769	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	75A（TC）	10V	9.6mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	59.8 NC @ 10 V	±20V	4682 PF @ 25 V	-	182W（TC）
NTMFS4C024NT3G	0.5614	RFQ	4705	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
IPA95R450P7XKSA1	3.1500	RFQ	387	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA95R450	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	950 v	14A（TC）	10V	450MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	35 NC @ 10 V	±20V	1053 PF @ 400 V	-	30W（TC）
PXN4R7-30QLJ	0.7700	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	MLPAK33	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	（15a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 15.2A，10V	2.5V @ 250µA	46.2 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.8W（ta），42W（tc）
AOTF16N50_001	-	RFQ	9754	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF16	MOSFET （金属 o化物）	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	-	-	-		-		-	-
IXTV30N50PS	-	RFQ	3038	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv30	MOSFET （金属 o化物）	加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
NTD4804NT4G	-	RFQ	4070	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD4804	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	14.5A（TA），124A （TC）	4.5V，11.5V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4490 pf @ 12 V	-	1.43W（ta），107W（tc）
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FQP19N20CTSTU	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
BSS119NH7796	0.0400	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23-3-5	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SUM47N10-24L-E3	-	RFQ	7940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum47	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	47A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），136W（tc）
FQPF5P10	-	RFQ	1696年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	100 v	2.9a（TC）	10V	1.05OHM @ 1.45a，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	23W（TC）
AON7401_101	-	RFQ	3379	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AON740	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	30 V	12a（12a），35a（tc）	6V，10V	14mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±25V	2600 PF @ 15 V	-	3.1W（ta），29W（tc）
TSM7NC60CF C0G	1.5053	RFQ	4283	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
BSC130P03LSGAUMA1	-	RFQ	2104	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	（12A）（TA），22.5A（TC）	10V	13mohm @ 22.5a，10v	2.2V @ 150µA	73.1 NC @ 10 V	±25V	3670 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IRFR9110	0.6500	RFQ	554	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道	100 v	3.1A（TC）		1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IPB100N06S2L05ATMA1	-	RFQ	8535	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SPA20N60CFDXKSA1	3.9983	RFQ	3369	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA20N60	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	35W（TC）
PMGD175XNE115	1.0000	RFQ	1660年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTD78N03RG	0.2100	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,575
IXTA180N085T	-	RFQ	1413	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta180	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IRL2910STRLPBF	4.0700	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL2910	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BUK9509-40B，127	-	RFQ	7821	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±15V	3600 PF @ 25 V	-	157W（TC）
MCP80P06Y-BP	2.3900	RFQ	4	微商业公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MCP80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB（H）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCP80P06Y-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	60 V	80A（TC）	6V，10V	8.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±18V	5810 PF @ 30 V	-	89W
PMZ550Uneyl	0.4300	RFQ	77	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	PMZ550	MOSFET （金属 o化物）	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	30 V	590ma（ta）	1.5V，4.5V	670MOHM @ 590mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±8V	30.3 pf @ 15 V	-	310MW（TA），1.67W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²