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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
AOT430	0.6993	RFQ	5361	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT43	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	75 v	80A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±25V	4700 PF @ 30 V	-	268W（TC）
NTMFS4C06NBT1G	1.3500	RFQ	2515	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
MTAJ3055EL	0.4700	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NVMFS5C442NLWFAFT1G	2.3000	RFQ	7857	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	29A（ta），130a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
BUZ103SL	-	RFQ	6772	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FQD7P20TM_F080	-	RFQ	5063	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
PMV30UN2VL	0.0941	RFQ	9411	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV30	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068491235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	20 v	5.4A（ta）	1.2V，4.5V	32MOHM @ 4.2A，4.5V	900mv @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	655 pf @ 10 V	-	490MW（TA）
DMG4496SSS-13	0.4400	RFQ	19	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMG4496	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	21.5mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	10.2 NC @ 10 V	±25V	493.5 pf @ 15 V	-	1.42W（TA）
TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0202	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	385mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	31 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
SIR626LDP-T1-RE3	1.8000	RFQ	3581	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	45.6a（ta），186a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
PSMN4R2-30MLDX	0.9100	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN4R2	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1795 pf @ 15 V	（（（）	65W（TC）
SIHP5N80AE-GE3	1.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	4.4A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
MCG30N06Y-TP	-	RFQ	4865	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG30	MOSFET （金属 o化物）	DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-MCG30N06Y-TPTR			5,000	n通道	60 V	30a	4.5V，10V	14.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	724 PF @ 30 V	-	20.8W
IPD06P003NSAUMA1	-	RFQ	4206	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863526	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	22a（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 1.04mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	83W（TC）
CP398X-CTLDM303N-WN	-	RFQ	8638	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	cp398	MOSFET （金属 o化物）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
SQJ460AEP-T2_GE3	0.5433	RFQ	3105	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ460	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ460AEP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 10.7A，10V	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	2654 PF @ 30 V	-	68W（TC）
SQJ469EP-T1_GE3	2.9100	RFQ	2464	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ469	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	80 V	32A（TC）	6V，10V	25mohm @ 10.2a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 40 V	-	100W（TC）
MCU40P04-TP	-	RFQ	4337	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU40	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-MCU40P04-TPTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	40a	10V	14mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2960 pf @ 20 V	-	1.25W
AOB440	-	RFQ	7488	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB44	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	75A（TC）	10V	7.5mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4560 pf @ 30 V	-	150W（TC）
DMP6250SFDF-7	0.2741	RFQ	9652	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP6250	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	612 PF @ 20 V	-	800MW（TA）
AOI8N25	0.4160	RFQ	3681	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI8	MOSFET （金属 o化物）	TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1454-5	Ear99	8541.29.0095	3,500	n通道	250 v	8A（TC）	10V	560MOHM @ 1.5A，10V	4.3V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	306 pf @ 25 V	-	78W（TC）
FQB27P06TM	2.0600	RFQ	9234	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
IRFS3307ZPBF	-	RFQ	5803	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
SISS61DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	1425	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS61	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	30.9a（ta），111.9a （TC）	1.8V，4.5V	3.5MOHM @ 15a，4.5V	900mv @ 250µA	231 NC @ 10 V	±8V	8740 pf @ 10 V	-	5W（5W），65.8W（TC）
SFH9240	-	RFQ	7431	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SFH924	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SFH9240FS	Ear99	8541.29.0095	30	P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	1585 pf @ 25 V	-	126W（TC）
2SK1094-E	2.8100	RFQ	663	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMP31D7LQ-7	0.0600	RFQ	3603	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP31	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载				31-DMP31D7LQ-7	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	580mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	430MW（TA）
G3R350MT12D	4.7400	RFQ	3	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	G3R350	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R350MT12D	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	11A（TC）	15V	420MOHM @ 4A，15V	2.69V @ 2mA	12 nc @ 15 V	±15V	334 PF @ 800 V	-	74W（TC）
TW140N120C，S1F	11.3700	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	20A（TC）	18V	182Mohm @ 10a，18v	5V @ 1mA	24 NC @ 18 V	+25V，-10V	691 PF @ 800 V	-	107W（TC）
SIS472BDN-T1-GE3	0.6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS472	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	15.3A（TA），38.3A （TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²