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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
PMZB290Une2yl	0.4100	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMZB290	MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	20 v	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	320MOHM @ 1.2A，4.5V	950mv @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±8V	46 pf @ 10 V	-	350MW（TA），5.43W（TC）
IXFR12N100Q	-	RFQ	3213	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR12	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 6A，10V	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFR200N10P	18.9800	RFQ	290	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR200	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	100 v	133a（TC）	10V	9MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PMG45UN，115	-	RFQ	4179	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMG45	MOSFET （金属 o化物）	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	3A（3A）		55mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	3.3 NC @ 4.5 V		184 pf @ 10 V	-	（375MW）（TA），4.35W（tc）
RSJ550N10TL	4.3200	RFQ	958	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RSJ550	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	55A（ta）	4V，10V	16.8mohm @ 27.5A，10V	2.5V @ 1mA	143 NC @ 10 V	±20V	6150 pf @ 25 V	-	100W（TC）
PJP9NA90_T0_00001	-	RFQ	2389	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP9	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP9NA90_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	9a（9a）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1634 PF @ 25 V	-	205W（TC）
IRFU2307ZPBF	-	RFQ	6593	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001565178	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	75 v	42A（TC）	10V	16mohm @ 32a，10v	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF744pbf	-	RFQ	8552	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
RSF010P05TL	0.4800	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF010	MOSFET （金属 o化物）	Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	45 v	1A（1A）	4V，10V	460MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA	2.3 NC @ 5 V	±20V	160 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
ZVP1320ASTZ	-	RFQ	5389	二极管合并	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	200 v	70mA（ta）	10V	80ohm @ 50mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
SI5424DC-T1-GE3	0.8600	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5424	MOSFET （金属 o化物）	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 4.8A，10V	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±25V	950 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），6.25W（TC）
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
RF1K4915696	0.8200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	365	n通道	30 V	6.3a（ta）	5V	30mohm @ 6.3a，5v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	2030 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRF6708S2TRPBF	-	RFQ	6254	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	30 V	13A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 13A，10V	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），20W（20W）（TC）
SI3456DDV-T1-GE3	0.4300	RFQ	107	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.3a（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	325 pf @ 15 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
STB47N50DM6AG	6.5900	RFQ	5070	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB47	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	38A（TC）	10V	71mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2300 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STP315N10F7	5.7900	RFQ	994	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，dripfet™VII	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP315	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14717-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	180a（TC）	10V	2.7MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
BUK98150-55/CU135	-	RFQ	2618	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4,000
NVBG095N065SC1	10.6268	RFQ	6243	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NVBG095	sicfet （碳化硅）	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVBG095N065SC1TR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	650 v	30A（TC）	15V，18V	105mohm @ 12a，18v	4.3V @ 4mA	50 NC @ 18 V		956 PF @ 325 V	-	110W（TC）
YJQ15GP10A	0.2750	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ15GP10ATR	Ear99		5,000
SFT1341-TL-W	-	RFQ	7315	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT134	MOSFET （金属 o化物）	DPAK/TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700	P通道	40 V	10a（10a）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 5A，4.5V	-	8 NC @ 4.5 V	±10V	650 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
RFM15N05L	-	RFQ	3089	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	50 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V			±10V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
C3M0280090J	6.5900	RFQ	5	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0280090	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	11A（TC）	15V	360MOHM @ 7.5A，15V	3.5V @ 1.2mA	9.5 NC @ 15 V	+18V，-8V	150 pf @ 600 V	-	50W（TC）
IRF9Z34NPBF	1.1600	RFQ	85	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRF654B	0.9600	RFQ	447	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF654B-600039			1
YJA3139KA	0.0250	RFQ	1	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJA3139KATR	Ear99		10,000
FDS9431A-F085	-	RFQ	9595	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPB26CN10N	-	RFQ	4443	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
MCACL110N08Y-TP	3.0400	RFQ	9	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCACL110	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	110A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 55a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	5290 pf @ 40 V	-	125W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²