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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FDS6688AS	-	RFQ	4729	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXFR12N100Q	-	RFQ	3213	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR12	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 6A，10V	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MMIX1F44N100Q3	50.8870	RFQ	6104	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F44	MOSFET （金属 o化物）	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	1000 v	30A（TC）	10V	245mohm @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	264 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	694W（TC）
BUK6D385-100EX	0.5300	RFQ	30	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	BUK6D385	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	1.4A（TA），3.7a tc）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.5，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 50 V	-	2W（TA），15W（TC）
ATP106-TL-H	-	RFQ	6253	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP106	MOSFET （金属 o化物）	Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	30a（TA）	4.5V，10V	25mohm @ 15a，10v	-	29 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 20 V	-	40W（TC）
FDS7064N	1.2700	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V	7.5MOHM @ 16a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
BSL207SPL6327HTSA1	-	RFQ	4013	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	41MOHM @ 6A，4.5V	1.2V @ 40µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1007 pf @ 15 V	-	2W（TA）
SQS140ENW-T1_GE3	1.3000	RFQ	9264	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®1212-8SLW	下载		（1 （无限）		742-SQS140ENW-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	214a（TC）	10V	2.53mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3111 pf @ 25 V	-	197W（TC）
PJP12NA60_T0_00001	-	RFQ	6155	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	12a（12a）	10V	700mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1492 PF @ 25 V	-	225W（TC）
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
PMZB290Une2yl	0.4100	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMZB290	MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	20 v	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	320MOHM @ 1.2A，4.5V	950mv @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±8V	46 pf @ 10 V	-	350MW（TA），5.43W（TC）
IXFR200N10P	18.9800	RFQ	290	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR200	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	100 v	133a（TC）	10V	9MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
AO4447A_102	-	RFQ	9941	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18.5a，10v	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRFI4228PBF-IR	1.0800	RFQ	280	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	280	n通道	150 v	34A（TC）	10V	16mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	46W（TC）
TK3R3E08QM，S1X	2.3500	RFQ	82	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	120A（TC）	6V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 1.3mA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	230W（TC）
IXFA34N65X3	8.5300	RFQ	4526	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA34	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa34n65x3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	34A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	5.2V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2025 PF @ 25 V	-	446W（TC）
NTMFS4937NT3G	-	RFQ	6155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4937	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	10.2A（ta），70a tc）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	2516 pf @ 15 V	-	920MW（TA），43W（tc）
TK6A55DA（STA4，Q，m）	1.4900	RFQ	8915	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A55	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	550 v	5.5A（ta）	10V	1.48OHM @ 2.8A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）
RFM15N05L	-	RFQ	3089	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	50 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V			±10V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
DMN3030LFG-13	-	RFQ	6766	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3030	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载				31-DMN3030LFG-13	过时的		1	n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±25V	751 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
SI3853DV-T1-E3	-	RFQ	8860	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3853	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
IRF744pbf	-	RFQ	8552	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXFH12N100F	12.0100	RFQ	1694年	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	5.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DMT6007LFG-7	1.1200	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT6007	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	（15a）（ta），80a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	41.3 NC @ 10 V	±20V	2090 pf @ 30 V	-	2.2W（TA），62.5W（TC）
FDS9431A-F085	-	RFQ	9595	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
YJL03G10A	0.3800	RFQ	2578	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	3A（3A）	4.5V，10V	140MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	1.2W（TA）
RQ5E025TNTL	0.5200	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E025	MOSFET （金属 o化物）	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	92MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
YJA3139KA	0.0250	RFQ	1	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJA3139KATR	Ear99		10,000
IRFS3004-7PPBF	-	RFQ	2470	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²