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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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NTTFS030N06CTAG	1.2300	RFQ	4506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS030	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	6a（6A），19a tc（19a tc）	10V	29.7MOHM @ 3A，10V	4V @ 13µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	255 pf @ 30 V	-	2.5W（TA），23W（tc）（TC）
BUZ102SL	-	RFQ	5703	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	47A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 33a，10v	2V @ 90µA	90 NC @ 10 V	±14V	1730 pf @ 25 V	-	120W（TC）
SI1433DH-T1-E3	-	RFQ	3152	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1433	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.2a，10V	3V @ 100µA	5 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
BSC109N10NS3GATMA1	1.5900	RFQ	43	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC109	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	63A（TC）	6V，10V	10.9MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 45µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	78W（TC）
NDH832P	0.3700	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		MOSFET （金属 o化物）	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.2A（ta）	2.7V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	-8V	1000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA）
DMT43M8LFV-13	0.3557	RFQ	1507	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT43	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	87A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	44.4 NC @ 10 V	±20V	3213 PF @ 20 V	-	2.25W（TA）
RM20N60LD	0.1400	RFQ	3021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM20N60LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	60 V	20A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	500 pf @ 30 V	-	45W（TC）
BUZ331	2.2800	RFQ	215	Infineon技术	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
STW40N65M2	6.2500	RFQ	4759	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15576-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	32A（TC）	10V	99mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	56.5 NC @ 10 V	±25V	2355 PF @ 100 V	-	250W（TC）
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AON6405L_102	-	RFQ	4094	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON640	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	（15A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
FQA9N90-F109	-	RFQ	8806	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9	MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	900 v	8.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 4.3A，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	240W（TC）
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FDS9412	0.2700	RFQ	116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 7.9a，10v	2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
STB200N4F3	-	RFQ	9628	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SI1056X-T1-E3	-	RFQ	1187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1056	MOSFET （金属 o化物）	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	89mohm @ 1.32a，4.5V	950mv @ 250µA	8.7 NC @ 5 V	±8V	400 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
IXFR64N50P	20.3500	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	35A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	5.5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
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psmnr90-40ylhx	3.8700	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PSMNR90	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	300A（TA）	4.5V，10V	0.94mohm @ 25a，10v	2.05V @ 1mA	168 NC @ 10 V	±20V	12673 PF @ 20 V	（（（）	333W（TA）
R6530knxc7g	6.6700	RFQ	894	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6530	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	30a（TA）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
AON2392	0.3015	RFQ	5352	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-PowerWFDFN	AON23	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 50 V	-	4.1W（TA）
PSMN2R6-60PS127	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FDD6N25TM	0.6700	RFQ	3222	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6N25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	50W（TC）
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BSL207SPL6327HTSA1	-	RFQ	4013	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	41MOHM @ 6A，4.5V	1.2V @ 40µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1007 pf @ 15 V	-	2W（TA）
DMN2310UW-7	0.0469	RFQ	5764	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2310	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载			到达不受影响	31-DMN2310UW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	200mohm @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	450MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²