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单FET，MOSFET（（44971）

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irfz10pbf	1.5600	RFQ	9281	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz10pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
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TSM7NC60CF C0G	1.5053	RFQ	4283	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
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2SJ279S-E	0.9600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
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PHP75NQ08T，127	-	RFQ	6949	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP75	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	157W（TC）
SIJH5100E-T1-GE3	6.0000	RFQ	8964	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	28a（28a），277a（tc）	7.5V，10V	1.89MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 50 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
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NX7002AK.215	1.0000	RFQ	9268	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²