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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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TK31Z60X，S1F	12.4300	RFQ	11	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4	TK31Z60	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 9.4a，10V	3.5V @ 1.5mA	65 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
auirfn8405tr	1.4978	RFQ	3725	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	AUIRFN8405	MOSFET （金属 o化物）	PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	40 V	95A（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	117 NC @ 10 V	±20V	5142 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），136W（tc）
IRFF233	-	RFQ	8812	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）	to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	150 v	4.5a	-	-	-		-		-	25W
SPB80N10L	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	10,000	n通道	30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
FSS273-TL-E	0.5300	RFQ	2	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	n通道	45 v	8a（8a）		22mohm @ 8a，10v	-	40 NC @ 10 V		2225 PF @ 20 V	-	2.4W（TA）
IRF6711STSTRPBF	0.8100	RFQ	4	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距平方英尺	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	25 v	（19a（ta），84a tc（84a tc）		3.8mohm @ 19a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
ixtp2r4n120p	6.7000	RFQ	30	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
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CP802-CWDM3011P-WN	-	RFQ	1231	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP802	MOSFET （金属 o化物）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP802-CWDM3011P-WN	Ear99	8541.29.0040	8,000	P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 1a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 8 V	-	-
SIJA22DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA22	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIJA22DP-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	64A（TA），201a （TC）		0.74MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	6500 PF @ 15 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
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BUK7M22-80E，115	1.0000	RFQ	1843年	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1
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IPB45N06S4L08ATMA1	-	RFQ	7933	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	45A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 45A，10V	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
BUK7E2R3-40C，127	-	RFQ	7830	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	100A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
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FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
IRF530NSPBF	-	RFQ	8799	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	17a（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），70W（70W）TC）
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	RFQ	6108	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R150	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
FQD5N30TF	-	RFQ	6634	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	300 v	4.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
R6535knzc17	7.8500	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6535	MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6535KNZC17	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	35A（TC）	10V	115mohm @ 18.1a，10v	5V @ 1.21MA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	102W（TC）
TK42A12N1，S4X	1.4900	RFQ	210	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK42A12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	120 v	42A（TC）	10V	9.4mohm @ 21a，10v	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 60 V	-	35W（TC）
R6024ENXC7G	5.5800	RFQ	980	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	24A（24A）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²