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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
ixtq26n50p	7.2900	RFQ	154	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq26	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
SSM3J140TU，LXHF	0.5500	RFQ	126	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	UFM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	25.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	24.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	1800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SCT20N120H	16.5900	RFQ	5115	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SCT20	sicfet （碳化硅）	H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	1200 v	20A（TC）	20V	290MOHM @ 10a，20v	3.5V @ 1mA	45 NC @ 20 V	+25V，-10V	650 pf @ 400 V	-	175W（TC）
SIHP28N65E-GE3	2.8195	RFQ	4982	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	29A（TC）	10V	112mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3405 PF @ 100 V	-	250W（TC）
XP4024EM	0.9400	RFQ	4284	Xsemi Corporation	XP4024E	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC	XP4024	MOSFET （金属 o化物）	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））					3,000	n通道	30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 18A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2720 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SI9434BDY-T1-GE3	-	RFQ	8281	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9434	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
R6077VNZ4C13	14.2100	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6077	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6077VNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	77A（TC）	10V，15V	51MOHM @ 23A，15V	6.5V @ 1.9mA	108 NC @ 10 V	±30V	5200 PF @ 100 V	-	781W（TC）
PSMN2R4-30MLDX	1.1200	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN2R4	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	3264 pf @ 15 V	-	91W（TC）
STP24N65M2	-	RFQ	4368	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP24N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	16A（TC）	10V	230MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	150W（TC）
SIPC18N60CFDX1SA1	-	RFQ	8156	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC18			-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000264435		0000.00.0000	1			-
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360	n通道	250 v	24A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	108W（TC）
IPB60R600CP	0.6900	RFQ	5	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
MTW24N40E	6.4600	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRFP451	3.6000	RFQ	538	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	450 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
G700P06H	0.5000	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0000	2,500	P通道	60 V	5A（TC）	4.5V，10V	75mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	15.8 NC @ 10 V	±20V	1459 PF @ 30 V	-	3.1W（TC）
TSM60NC165CI	5.0046	RFQ	7786	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NC165CI	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±30V	1857 PF @ 300 V	-	89W（TC）
SIPC06S2N06LATX2LA1	-	RFQ	1894年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-				-		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-		-	-	-	-		-		-	-
BSS123K-13	0.1266	RFQ	3802	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-BSS123K-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	100 v	230ma（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA	1.3 NC @ 10 V	±20V	38 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
PCFC041N60EW	-	RFQ	7465	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCFC041N60EWTR	过时的		3,000
IPA60R450E6XKSA1	-	RFQ	2039	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
BUK9Y40-55B/C3,115	-	RFQ	6309	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							-						0000.00.0000	1
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000	n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
HS54095-01-E	0.3700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	812
ipd60r1k5ceauma1	0.7200	RFQ	18	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	49W（TC）
FDFMA2P859T	0.2700	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	Microfet 2x2薄	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
NVTYS029N08HTWG	0.3818	RFQ	6625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS029N08HTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	6.4a（TA），21a （TC）	10V	32.4mohm @ 5A，10V	4V @ 20µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	369 pf @ 40 V	-	3.1W（TA），33W（tc）
FDZ7064AS	0.8500	RFQ	34	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA		MOSFET （金属 o化物）	30-BGA （4x3.5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.6mohm @ 13.5A，10V	3V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 15 V	-	2.2W（ta）
IXTM67N10	-	RFQ	6579	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	ixtm67	MOSFET （金属 o化物）	TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ISC0806NLSATMA1	2.6500	RFQ	1943年	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0806N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	（16A）（ta），97a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	2.3V @ 61µA	49 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
MCQ18N03-TP	0.7600	RFQ	7804	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCQ18N03	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCQ18N03-TPTR	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	18a	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 15 V	-	2.5W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²