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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
STW7N95K3	6.7000	RFQ	600	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW7N95	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	150W（TC）
IXTH130N10T	6.4200	RFQ	6324	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IRF7413QTRPBF	-	RFQ	8449	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	13A（TA）		11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V		1800 pf @ 25 V	-
2SK3978-TL-E	0.2500	RFQ	30	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	TP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3978-TL-E	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	4A（ta）	4V，10V	550MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 20 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
NTB60N06LG	-	RFQ	7930	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB60	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	60a（ta）	5V	16mohm @ 30a，5v	2V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±15V	3075 PF @ 25 V	-	2.4W（TA），150W（TJ）
NTMTS0D7N04CTXG	7.6500	RFQ	5375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0	MOSFET （金属 o化物）	8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	65A（TA），420A （TC）	10V	0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	9230 PF @ 25 V	-	4.9W（ta），205W（tc）
NTH4L020N090SC1	39.8000	RFQ	405	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NTH4L02	sicfet （碳化硅）	TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTH4L020N090SC1	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	116a（TC）	15V，18V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+22V，-8V	4415 PF @ 450 V	-	484W（TC）
DMP3036SFVQ-7	0.2223	RFQ	8272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3036	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载				31-DMP3036SFVQ-7	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	30 V	8.7a（ta），30a（tc）	5V，10V	20mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±25V	1931 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
DMN3300U-7-52	0.1148	RFQ	1805年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3300	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载				31-DMN3300U-7-52	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	193 pf @ 10 V	-	700MW
APT5012JN	-	RFQ	2325	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）	isotop®	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	43A（TC）	10V	120MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 2.5mA	370 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 25 V	-	520W（TC）
NTB125N02R	-	RFQ	9665	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB12	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	24 V	（95a）（ta），120.5A （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.98W（TA），113.6W（tc）
TK65S04N1L，LQ	2.0100	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK65S04	MOSFET （金属 o化物）	DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	65A（TA）	10V	4.3mohm @ 32.5a，10v	2.5V @ 300µA	39 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	107W（TC）
AIMW120R045M1XKSA1	26.9300	RFQ	242	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，COOLSIC™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIMW120	sicfet （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	52A（TC）		59mohm @ 20a，15v	5.7V @ 10mA	57 NC @ 15 V	+20V，-7V	2130 PF @ 800 V	-	228W（TC）
MCG20N08-TP	-	RFQ	3353	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG20N08	MOSFET （金属 o化物）	DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-MCG20N08-TPTR			5,000	n通道	80 V	20a	6V，10V	12mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1396 PF @ 40 V	-	20.8W
NTMFS4849NT3G	-	RFQ	8977	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	10.2A（ta），71a（tc）	4.5V，11.5V	5.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±16V	2040 pf @ 12 V	-	870MW（TA），42.4W（tc）
DMP1055USW-13	0.0977	RFQ	6788	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP1055	MOSFET （金属 o化物）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	12 v	3.8A（TA）	1.5V，4.5V	48mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±8V	1028 pf @ 6 V	-	660MW
AOTF7N60FD_001	-	RFQ	2990	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF7	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF7N60FD_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	38.5W（TC）
FDMC8015L	1.0700	RFQ	385	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8015	MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2.3W（24W），24W tc）
SI233333DDS-T1-BE3	0.4200	RFQ	2908	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2333DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	（5A）（6a （TC）	1.5V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 8 V	±8V	1275 PF @ 6 V	-	1.2W（TA），1.7W（TC）
IXTA200N055T2	4.2300	RFQ	50	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta200	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	200a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MFT22P4A2D2020E	0.5000	RFQ	100	Meritek	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					MOSFET （金属 o化物）		-	Rohs符合条件			2997-MFT22P4A2D2020 ETRET			10	P通道	20 v	4.2A（ta）				24 NC @ 10 V		917 PF @ 10 V
HUF75329D3S	0.9600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FDC638APZ	0.6300	RFQ	64	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	43mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
DMNH4011SK3Q-13	0.4939	RFQ	7703	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMNH4011	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	50A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	1405 pf @ 20 V	-	2.6W（ta）
AOD5N50_001	-	RFQ	9851	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	上次购买	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD5	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	-			到达不受影响	785-AOD5N50_001			1	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	104W（TC）
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）
RJL5014DPP-E0 ＃T2	5.7400	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RJL5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TC）
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
IXKP24N60C5	5.3932	RFQ	8385	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXTQ250N075T	-	RFQ	9499	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ250	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²