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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI9434BDY-T1-GE3	-	RFQ	8281	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9434	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
PCFC041N60EW	-	RFQ	7465	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCFC041N60EWTR	过时的		3,000
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000	n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
R6077VNZ4C13	14.2100	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6077	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6077VNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	77A（TC）	10V，15V	51MOHM @ 23A，15V	6.5V @ 1.9mA	108 NC @ 10 V	±30V	5200 PF @ 100 V	-	781W（TC）
ISC0806NLSATMA1	2.6500	RFQ	1943年	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0806N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	（16A）（ta），97a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	2.3V @ 61µA	49 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
SIHP28N65E-GE3	2.8195	RFQ	4982	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	29A（TC）	10V	112mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3405 PF @ 100 V	-	250W（TC）
FDFMA2P859T	0.2700	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	Microfet 2x2薄	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
IPD65R600C6ATMA1	-	RFQ	3997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001121530	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
SSM3J140TU，LXHF	0.5500	RFQ	126	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	UFM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	25.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	24.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	1800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SCT20N120H	16.5900	RFQ	5115	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SCT20	sicfet （碳化硅）	H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	1200 v	20A（TC）	20V	290MOHM @ 10a，20v	3.5V @ 1mA	45 NC @ 20 V	+25V，-10V	650 pf @ 400 V	-	175W（TC）
HUF75309D3S	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
NTB60N06LG	-	RFQ	7930	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB60	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	60a（ta）	5V	16mohm @ 30a，5v	2V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±15V	3075 PF @ 25 V	-	2.4W（TA），150W（TJ）
DMN3300U-7-52	0.1148	RFQ	1805年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3300	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载				31-DMN3300U-7-52	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	193 pf @ 10 V	-	700MW
FDZ7064AS	0.8500	RFQ	34	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA		MOSFET （金属 o化物）	30-BGA （4x3.5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.6mohm @ 13.5A，10V	3V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 15 V	-	2.2W（ta）
2SK3978-TL-E	0.2500	RFQ	30	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	TP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3978-TL-E	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	4A（ta）	4V，10V	550MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 20 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
NTH4L020N090SC1	39.8000	RFQ	405	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NTH4L02	sicfet （碳化硅）	TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTH4L020N090SC1	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	116a（TC）	15V，18V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+22V，-8V	4415 PF @ 450 V	-	484W（TC）
DMP3036SFVQ-7	0.2223	RFQ	8272	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3036	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载				31-DMP3036SFVQ-7	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	30 V	8.7a（ta），30a（tc）	5V，10V	20mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±25V	1931 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
STW7N95K3	6.7000	RFQ	600	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW7N95	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	150W（TC）
IXTH130N10T	6.4200	RFQ	6324	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
NVTYS029N08HTWG	0.3818	RFQ	6625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS029N08HTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	6.4a（TA），21a （TC）	10V	32.4mohm @ 5A，10V	4V @ 20µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	369 pf @ 40 V	-	3.1W（TA），33W（tc）
IRF7413QTRPBF	-	RFQ	8449	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	13A（TA）		11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V		1800 pf @ 25 V	-
NTMTS0D7N04CTXG	7.6500	RFQ	5375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0	MOSFET （金属 o化物）	8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	65A（TA），420A （TC）	10V	0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	9230 PF @ 25 V	-	4.9W（ta），205W（tc）
IXTM67N10	-	RFQ	6579	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	ixtm67	MOSFET （金属 o化物）	TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPI47N10SL26AKSA1	1.4573	RFQ	3586	Infineon技术	Sipmos®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI47N10	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	47A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 33a，10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W（TC）
SI8469DB-T2-E1	-	RFQ	6714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8469	MOSFET （金属 o化物）	4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	4.6a（ta）	4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±5V	900 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
IPB136N08N3GATMA1	0.4500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
SI4823DY-T1-E3	-	RFQ	4254	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4823	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	4.1A（TC）	2.5V，4.5V	108mohm @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（ta），2.8W（TC）
RQA0005QXDQS＃h1	-	RFQ	9280	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA		MOSFET （金属 o化物）	Upak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	16 V	800mA（ta）	-	-	750mv @ 1mA		±5V	22 pf @ 0 V	-	9W（TC）
DI025N06PT	0.1919	RFQ	4858	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装				PowerQFN 3x3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI025N06PTTR		8541.29.0000	5,000	n通道		25a								25W
STS6NF20V	0.8300	RFQ	14	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS6NF20	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	6A（TC）	1.95V，4.5V	40mohm @ 3A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11.5 NC @ 4.5 V	±12V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²