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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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STD2NK60Z-1	1.0400	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2N	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	8ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 50µA	10 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SPI20N60CFDHKSA1	-	RFQ	3820	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI20N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BSP135 E6327	-	RFQ	9674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IPB055N03LGATMA1	-	RFQ	1070	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB055N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	68W（TC）
IXTQ44N50P	8.4570	RFQ	4746	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq44	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	658W（TC）
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SPP20N60S5	-	RFQ	1909年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP20N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	20A（TC）	10V	190MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	208W（TC）
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IRFS4310pbf	-	RFQ	4036	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
RSY500N04FRATL	-	RFQ	3136	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	RSY500	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	-		-		-	-				-	-
Stu150N3LLH6	2.1400	RFQ	2	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu150	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4040 pf @ 25 V	-	110W（TC）
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FDP33N25	2.1000	RFQ	1996	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	fdp33	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	33A（TC）	10V	94mohm @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2135 PF @ 25 V	-	235W（TC）
ixta54n30t	-	RFQ	8106	ixys	沟	管子	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta54	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	300 v	54A（TC）		-	-				-	-
BSP324L6327	0.2900	RFQ	147	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	170mA（TA）	4.5V，10V	25ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 94µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	154 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²