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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
DMT3009UFVW-7	0.1719	RFQ	7313	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3009UFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	10.6a（ta），30a	4.5V，10V	11MOHM @ 11a，10v	1.8V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±12V	894 pf @ 15 V	-	1.2W（ta），2.6W（TC）
STL100N12F7	-	RFQ	2376	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	120 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 60 V	-	136W（TC）
IRFU220BTU-AM002	-	RFQ	2423	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
IAUA180N08S5N026AUMA1	3.7400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-5-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	180a（TJ）	6V，10V	2.6MOHM @ 90A，10V	3.8V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	5980 pf @ 40 V	-	179W（TC）
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
rej002yntcl	0.3600	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	REJ002	MOSFET （金属 o化物）	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50 V	200ma（ta）	0.9V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
IRF7413ZTRPBFXTMA1	0.3869	RFQ	9133	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	PG-DSO-8-902	-	rohs3符合条件			448-irf7413ztrpbfxtma1tr			4,000	n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXFP50N20X3	5.6404	RFQ	3672	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3（IXFP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp50n20x3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	50A（TC）	10V	30mohm @ 25a，10v	4.5V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	240W（TC）
IXFH34N65X2	8.4800	RFQ	100	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH34	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	34A（TC）	10V	105mohm @ 17a，10v	5.5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±30V	3330 PF @ 25 V	-	540W（TC）
FDD8453LZ-F085	1.5400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）
DMNH4006SPS-13	0.5968	RFQ	3369	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装		DMNH4006	MOSFET （金属 o化物）		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMNH4006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	110A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	50.9 NC @ 10 V	20V	2280 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
STD134N4F7AG	2.0800	RFQ	2058	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD134	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2790 pf @ 25 V	-	134W（TC）
FQA7N80C	1.0100	RFQ	25	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	n通道	800 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	198W（TC）
FQB20N06LTM	-	RFQ	8991	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
2SK4085L	-	RFQ	2153	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4085	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	869-1042	Ear99	8541.29.0095	100	n通道	500 v	11A（TC）	10V	430MOHM @ 8A，10V	-	46.6 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
STF80N10F7	-	RFQ	4000	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF80N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	40a（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	30W（TC）
NVMFS5C680NLWFT1G	0.6427	RFQ	4412	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	8.1a（ta），21a （TC）	4.5V，10V	27.5MOHM @ 7.5A，10V	2.2V @ 13µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.4W（24W），24W tc）
SQJ415EP-T1_BE3	1.0000	RFQ	1990	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ415EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	45W（TC）
MCH3477-TL-H	-	RFQ	3998	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3477	MOSFET （金属 o化物）	SC-70FL/MCPH3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	38mohm @ 2A，4.5V	-	5.1 NC @ 4.5 V	±12V	410 pf @ 10 V	-	1W（ta）
HUF76407D3S	0.2100	RFQ	19	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
DMN2040UVT-7	0.0927	RFQ	2540	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN2040	MOSFET （金属 o化物）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.7a（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±8V	667 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
DI100N10PQ	1.5648	RFQ	5	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-qfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI100N10PQTR		8541.21.0000	5,000	n通道	100 v	100A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 30 V	-	250W（TC）
IRF644SPBF	3.5900	RFQ	766	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644SPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
AUXHMF1404ZSTRL	-	RFQ	5271	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518892	Ear99	8541.29.0095	1,000			-
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1	n通道	100 v	97A（ta）	7V，10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
SIA411DJ-T1-GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA411	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5.9a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 8 V	±8V	1200 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
MCAC40N10YA-TP	-	RFQ	6689	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC40	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	40a（TJ）	10V	12mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30.6 NC @ 10 V	±20V	1684 PF @ 50 V	-	70W
SQ4064EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	7	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SIHP8N50D-E3	1.7300	RFQ	6384	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP8	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	8.7A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	527 PF @ 100 V	-	156W（TC）
FQAF19N20L	1.0900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360	n通道	200 v	16A（TC）	5V，10V	140MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²