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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BST72A，112	-	RFQ	3752	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BST7	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	100 v	（190ma ta）	5V	10ohm @ 150mA，5V	3.5V @ 1mA		20V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
64-2137pbf	-	RFQ	6870	Infineon技术	*	管子	积极的				64-2137			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575026	Ear99	8541.29.0095	50
SPA07N60C2	0.5600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	32W（TC）
FDC2512_F095	-	RFQ	9184	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
AUIRF6215STRL	3.9800	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF6215	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
STB46NF30	4.4900	RFQ	995	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB46	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	300 v	42A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FQPF5N50CYDTU	1.5000	RFQ	667	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF5N50CYDTU	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRFR9110TRLPBF	1.5900	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
IRF1407STRLPBF	2.8600	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1407	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IXFA3N120	9.9300	RFQ	3581	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa3n120	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
NDS7002A_NB9GGTXA	-	RFQ	8385	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS700	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
MSC035SMA070B4	15.5100	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	MSC035	sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC035SMA070B4	Ear99	8541.29.0095	60	n通道	700 v	77A（TC）	20V	44mohm @ 30a，20v	2.7V @ 2mA（（typ）	99 NC @ 20 V	+23V，-10V	2010 PF @ 700 V	-	283W（TC）
PSMN040-200W，127	-	RFQ	5543	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	183 NC @ 10 V	±20V	9530 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PMT280ENEAX	0.4300	RFQ	8312	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT280	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	100 v	1.5A（TA）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.5A，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 50 V	-	770MW（TA）
YJG80G06B	0.4910	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJG80G06BTR	Ear99		5,000
MCU20N10-TP	0.8700	RFQ	22	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	20a	4.5V，10V	48mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2014 PF @ 50 V	-	47W
TPH7R006PL，L1Q	0.8500	RFQ	22	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH7R006	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10a，4.5V	2.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	1875 PF @ 30 V	-	81W（TC）
DMP3099L-13	0.3400	RFQ	31	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP3099	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	P通道	30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	65mohm @ 3.8A，10V	2.1V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	±20V	563 pf @ 25 V	-	1.08W（TA）
IPP65R099CFD7AAKSA1	7.4000	RFQ	50	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R099	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IRF8113TRPBF	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8113	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPD65R950C6ATMA1	0.6495	RFQ	3894	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	37W（TC）
STD2NK60Z-1	1.0400	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2N	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	8ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 50µA	10 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SPI20N60CFDHKSA1	-	RFQ	3820	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI20N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BSP135 E6327	-	RFQ	9674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IPB055N03LGATMA1	-	RFQ	1070	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB055N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	68W（TC）
IXTQ44N50P	8.4570	RFQ	4746	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq44	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	658W（TC）
AO4447AL	-	RFQ	4833	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	17A（TA）	4V，10V	7mohm @ 17a，10v	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
ZVNL120CSTZ	-	RFQ	5964	二极管合并	-	（TB）	过时的	-	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	200 v	180mA（TA）	3V，5V	10ohm @ 250mA，5V	1.5V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
RF1K49156	0.7800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	6.3a（ta）	5V	30mohm @ 6.3a，5V	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	2030 pf @ 25 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²