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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
STS6NF20V	0.8300	RFQ	14	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS6NF20	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	6A（TC）	1.95V，4.5V	40mohm @ 3A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11.5 NC @ 4.5 V	±12V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
PJQ5466A1_R2_00001	0.6000	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5466	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5466A1_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	7.4A（TA），48a tc）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±20V	1574 PF @ 25 V	-	2W（TA），83W（tc）
2SK3844（Q）	-	RFQ	6308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3844	MOSFET （金属 o化物）	TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	45A（TA）	10V	5.8MOHM @ 23A，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	12400 PF @ 10 V	-	45W（TC）
DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（B型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FQPF6N40CF	0.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
PJA3440-AU_R1_000A1	0.4600	RFQ	829	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3440	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	410 pf @ 20 V	-	1.25W（TA）
FDT86244	0.8900	RFQ	2093	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	150 v	2.8A（TC）	6V，10V	128MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	395 pf @ 75 V	-	2.2W（ta）
ixta36n30t	-	RFQ	7469	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	300 v	36a（TC）		110MOHM @ 500mA，10V	-	70 NC @ 10 V		2250 pf @ 25 V	-	-
STD75N3LLH6	-	RFQ	9004	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD75N	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 37.5A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFR3711pbf	-	RFQ	4764	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001552178	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
CPMF-1200-S080B	-	RFQ	3269	Wolfspeed，Inc。	Z-FET™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		sicfet （碳化硅）	死	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1	n通道	1200 v	50a（TJ）	20V	110mohm @ 20a，20v	4V @ 1mA	90.8 NC @ 20 V	+25V，-5V	1915 PF @ 800 V	-	313MW（TJ）
DMN2004WKQ-7-52	0.0848	RFQ	1699年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2004	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载				31-DMN2004WKQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	540ma（ta）	1.8V，4.5V	550MOHM @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	150 pf @ 16 V	-	200mw（ta）
IRLIZ34GPBF	2.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ34	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRLIZ34GPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	20A（TC）	4V，5V	50mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	42W（TC）
PJD1NA60_L2_00001	-	RFQ	6825	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD1NA60	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	1A（1A）	10V	14ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	3.3 NC @ 10 V	±30V	95 pf @ 25 V	-	27W（TC）
TK7A55D（sta4，Q，m）	1.6000	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A55	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	550 v	7a（ta）	10V	1.25OHM @ 3.5A，10V	4.4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FQPF8N90C	-	RFQ	8934	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF8	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IPD60R180P7SAUMA1	1.8000	RFQ	48	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	18A（TC）	10V	180MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 280µA	25 NC @ 10 V	±20V	1081 PF @ 400 V	-	72W（TC）
SSM3K341R，LXHF	0.6000	RFQ	17	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	6a（6a）	4V，10V	36mohm @ 5A，10V	2.5V @ 100µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
MTB16N25ET4	0.6500	RFQ	184	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SQJA34EP-T1_GE3	1.1100	RFQ	4562	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA34	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	68W（TC）
2SK3703	-	RFQ	5538	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3703	MOSFET （金属 o化物）	TO-220毫升	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	60 V	30a（TA）	4V，10V	26mohm @ 15a，10v	-	40 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	-	（2W）（25W）（25W）TC）
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
CPM2-1200-0160B	-	RFQ	6076	Wolfspeed，Inc。	*	大部分	积极的				CPM2			下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1
SIR638ADP-T1-RE3	1.8000	RFQ	139	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir638	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRF7201PBF	-	RFQ	1045	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	7.3A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.3a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
IRL2910STRL	-	RFQ	6192	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
PSMN3R2-30YLC，115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN3			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
BUK9607-30B，118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk96			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
5HP01S-TL-E	-	RFQ	2997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	5HP01		SMCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
FCD5N60-F085	-	RFQ	2477	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.6A，10V	5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	54W（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²