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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
PJW5P06A-AU_R2_000A1	0.6400	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PJW5P06	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	68mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	879 pf @ 30 V	-	3.1W（TA）
NTP4302G	-	RFQ	5178	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP430	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	74A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 37A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	80W（TC）
NVMFS4C01NT1G	4.9900	RFQ	9844	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	49A（ta），319A（tc）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	10144 PF @ 15 V	-	3.84W（TA），161W（tc）
FDP8443	1.2300	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	n通道	40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
AO3416L_103	-	RFQ	3755	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	22mohm @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
BSS123T-HF	0.0848	RFQ	4193	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-BSS123T-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	5.6OHM @ 100mA，10V	2.5V @ 250µA	2.8 NC @ 10 V	±20V	39 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
SIR4409DP-T1-RE3	1.3100	RFQ	4098	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	17.2A（ta），60.6a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	5670 pf @ 20 V	-	4.8W（ta），59.5W（TC）
AOTF18N65	1.6405	RFQ	8359	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF18	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1431-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	18A（TC）	10V	390MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	3785 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RFD14N06	0.5700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
TPHR9203PL，L1Q	1.6300	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPHR9203	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V		2.1V @ 500µA	80 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 15 V	-	132W（TC）
HUF75339S3	0.2200	RFQ	7399	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1200	n通道	55 v	70A（TC）		12mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	124W（TC）
DMN62D1LFDQ-13	0.0863	RFQ	2937	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN	DMN62	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	400mA（TA）	1.5V，4V	2ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	0.55 NC @ 4.5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	500MW
BSS169H6906XTSA1	0.8100	RFQ	5973	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS169	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	170mA（TA）	0V，10V	6ohm @ 170mA，10v	1.8V @ 50µA	2.8 NC @ 7 V	±20V	68 pf @ 10 V	耗尽模式	360MW（TA）
NTMFS4C028NT3G	-	RFQ	3620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.73mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1252 PF @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
UPA2593T1H-T1-AT	0.4800	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
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2SK4221	-	RFQ	4422	Onmi	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK4221	MOSFET （金属 o化物）	to-3pb	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	500 v	26a（26a）	10V	240MOHM @ 13A，10V	-	87 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 30 V	-	2.5W（220W）（220W）TC）
DMTH10H010SCT	1.2202	RFQ	8984	二极管合并	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	100A（TA）	10V	9.5MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56.4 NC @ 10 V	±20V	4468 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），187W（tc）
IPW60R080P7XKSA1	6.7100	RFQ	6925	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R080	MOSFET （金属 o化物）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	37A（TC）	10V	80MOHM @ 11.8A，10V	4V @ 590µA	51 NC @ 10 V	±20V	2180 pf @ 400 V	-	129W（TC）
RJK0204DPA-WS＃j53	0.9400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SIR826ADP-T1-GE3	2.5400	RFQ	9717	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQJ401EP-T2_GE3	0.9356	RFQ	3922	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ401	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ401EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	32A（TC）	2.5V，4.5V	6mohm @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	164 NC @ 4.5 V	±8V	10015 pf @ 6 V	-	83W（TC）
MTB3N60E	-	RFQ	3065	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	550
FQU2N60CTLTU	0.3400	RFQ	5705	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5	n通道	600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FDV302P	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载						0000.00.0000	1	P通道	25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11000 PF @ 10 V	-	350MW（TA）
RJK6020DPK-00＃t0	-	RFQ	8532	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK6020	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	32a（ta）	10V	175mohm @ 16a，10v	-	121 NC @ 10 V	±30V	5150 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
SI7358ADP-T1-E3	-	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7358	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
XP2344GN	0.4900	RFQ	2895	Xsemi Corporation	XP2344	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	XP2344	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000	n通道	20 v	6.4a（ta）	1.8V，4.5V	22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	35.2 NC @ 4.5 V	±8V	2430 pf @ 10 V	-	1.38W（TA）
IRF7413TRPBF	-	RFQ	8428	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道	30 V	13A（TA）		11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²