RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
DI025N06PT	0.1919	RFQ	4858	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装				PowerQFN 3x3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI025N06PTTR		8541.29.0000	5,000	n通道		25a								25W
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5855	MOSFET （金属 o化物）	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.7A（TC）	1.8V，4.5V	144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 5 V	±8V	276 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（ta），2.8W（TC）
ICE22N60	-	RFQ	8577	ICEMOS技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载				5133-ICE22N60	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	22a（TC）	10V	160mohm @ 11a，10v	3.9V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	208W（TC）
IXFN40N110Q3	-	RFQ	7236	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN40	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	1100 v	35A（TC）	10V	260mohm @ 20a，10v	6.5V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
NTPF360N65S3H	5.6500	RFQ	1	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	10a（TJ）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4V @ 700µA	17.5 NC @ 10 V	±30V	916 PF @ 400 V	-	26W（TC）
IPB80N04S2-H4ATMA2	-	RFQ	4726	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SI4823DY-T1-E3	-	RFQ	4254	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4823	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	4.1A（TC）	2.5V，4.5V	108mohm @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	660 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（ta），2.8W（TC）
RQA0005QXDQS＃h1	-	RFQ	9280	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA		MOSFET （金属 o化物）	Upak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	16 V	800mA（ta）	-	-	750mv @ 1mA		±5V	22 pf @ 0 V	-	9W（TC）
DMT8008LPS-13	0.3910	RFQ	1264	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT8008	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT8008LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	83A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14a，10v	2.8V @ 1mA	41.2 NC @ 10 V	±20V	2345 PF @ 40 V	-	1.3W（TA），83W（tc）
SQS482EN-T1_BE3	0.9100	RFQ	7825	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-sqs482en-t1_be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.4a，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1865 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI8469DB-T2-E1	-	RFQ	6714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8469	MOSFET （金属 o化物）	4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	4.6a（ta）	4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±5V	900 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
GT650N15K	0.2750	RFQ	5	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	20A（TC）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TC）
NTTFS012N10MDTAG	1.7000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	9.2A（ta），45a tc）	6V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	4V @ 78µA	13 NC @ 10 V	±20V	965 PF @ 50 V	-	2.7W（TA），62W（tc）
FQPF9N25	-	RFQ	8013	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	250 v	6.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.35A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FW808-m-TL-E	0.1900	RFQ	182	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
FDC638P-P	-	RFQ	7160	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC638P-PTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
SI7820DN-T1-E3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7820	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
2SK1318-E	1.0000	RFQ	6210	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BSS138NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
FDMA6676PZ	0.8400	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	FDMA6676	MOSFET （金属 o化物）	6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2160 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
SCT3080ALHRC11	21.0800	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3080	sicfet （碳化硅）	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
SIHK055N60EF-T1GE3	9.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK055	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	40a（TC）	10V	58mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3667 PF @ 100 V	-	236W（TC）
DMTH8008LFG-7	0.4973	RFQ	5201	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8008LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	（17a）（ta），70a （TC）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1.2W（ta），50W（TC）
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IPB136N08N3GATMA1	0.4500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
PH955L，115	-	RFQ	9312	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	55 v	62.5A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	42 NC @ 5 V	±20V	2836 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
IPP60R520C6	-	RFQ	4319	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
ISL9N303AS3	-	RFQ	1227	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ISL9	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
IRF7210pbf	-	RFQ	5350	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554134	Ear99	8541.29.0095	95	P通道	12 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	600mv @ 500µA（500µA））	212 NC @ 5 V	±12V	17179 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²