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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFS59N10DTRRP	-	RFQ	2440	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	59A（TC）	10V	25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
MCAC38N10YA-TP	1.1200	RFQ	7	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC38N10Y	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	38a	10V	20mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1209 PF @ 50 V	-	60W（TJ）
NDF02N60ZG	-	RFQ	6827	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF02	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	10.1 NC @ 10 V	±30V	274 PF @ 25 V	-	24W（TC）
SIS402DN-T1-GE3	1.8900	RFQ	2651	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS402	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
AON6404	-	RFQ	8288	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON640	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	25a（25A），85a tc（85a）（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 15 V	-	2.1W（TA），83W（tc）
FDU6N50TU	-	RFQ	4389	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU6	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	500 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	89W（TC）
NTD23N03RT4G	-	RFQ	5803	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD23	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	3.8A（TA），17.1A（TC）	4V，5V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	1.14W（TA），22.3W（tc）
FDS5680	1.0000	RFQ	7325	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS56	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	60 V	8a（8a）	6V，10V	20mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
Ixta380N036T4-7-Tr	4.2820	RFQ	7461	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta380	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-7（IXTA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta380n036t4-7-Tr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	36 V	380a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFK250N10P	24.5300	RFQ	78	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK250	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	100 v	250A（TC）	10V	6.5MOHM @ 50a，10v	5V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IRFS720B	0.1800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	400 v	3.3a（TJ）	10V	1.75OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	33W（TC）
DMS3015SSS-13	0.4400	RFQ	17	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMS3015	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	30.6 NC @ 10 V	±12V	1276 PF @ 15 V	（（（）	1.55W（TA）
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
IRFL1006PBF	-	RFQ	9766	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道	60 V	1.6a（ta）	10V	220MOHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1W（ta）
mmftn123	0.0602	RFQ	8814	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMFTN123TR		8541.21.0000	3,000	n通道	100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA		±20V	73 pf @ 25 V	-	360MW
SIHH11N65E-T1-GE3	2.1897	RFQ	9816	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH11	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	12A（TC）	10V	363mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1257 PF @ 100 V	-	130W（TC）
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043			-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
BSZ086P03NS3EGATMA1	0.9700	RFQ	19	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ086	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	13.5A（TA），40a （TC）	6V，10V	8.6mohm @ 20a，10v	3.1V @ 105µA	57.5 NC @ 10 V	±25V	4785 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPI045N10N3GXK	-	RFQ	8782	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI045N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	-		3（168））	到达不受影响	SP000482424	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	137a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
RE1L002SNTL	0.4000	RFQ	52	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1L002	MOSFET （金属 o化物）	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	250mA（ta）	10V	2.4OHM @ 250mA，10V	2.3V @ 1mA		±20V	15 pf @ 25 V	-	150MW（TA）
GP2T080A120U	11.8700	RFQ	414	semiq	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	GP2T080A	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载		（1 （无限）		1560-GP2T080A120U	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	35A（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	4V @ 10mA	58 NC @ 20 V	+25V，-10V	1377 PF @ 1000 V	-	188W（TC）
IAUS300N08S5N011TATMA1	8.9100	RFQ	5880	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块		MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	80 V	300A（TJ）	6V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
DMN2500UFB4-7B	-	RFQ	7480	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2500	MOSFET （金属 o化物）	X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2500UFB4-7BDI	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	810mA（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.737 NC @ 4.5 V	±6V	60.67 pf @ 16 V	-	460MW（TA）
PHB20NQ20T，118	-	RFQ	5594	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	20A（TC）	10V	130mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	65 NC @ 10 V	±20V	2470 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SCT2280KeHRC11	15.1500	RFQ	450	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2280	sicfet （碳化硅）	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT2280KEHRC11	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	14A（TC）	18V	364mohm @ 4a，18v	4V @ 1.4mA	36 NC @ 400 V	+22V，-6V	667 PF @ 800 V	-	108W（TC）
FQI6N60CTU	-	RFQ	7708	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI6	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	5.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.75a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BUK7535-100A，127	-	RFQ	2960	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	41A（TC）	10V	35mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2535 PF @ 25 V	-	149W（TC）
PMDPB30XN/S711115	-	RFQ	5269	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
AONS32106	0.2379	RFQ	2124	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS321	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS32106TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	20A（20A），20A （TC）	2.5V，4.5V	5.3MOHM @ 20A，4.5V	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	3300 PF @ 10 V	-	（5W）（TA），36W（tc）
IRFP351	2.0300	RFQ	323	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	350 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 8.9a，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²