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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
HUF753333	0.7600	RFQ	2	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	66A（TC）		16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DMTH15H017LPSWQ-13	1.7900	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH15	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8（type UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	8a（8a ta），50a （TC）	4.5V，10V	17.5mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3369 PF @ 75 V	-	1.5W（ta），107W（TC）
TP86R203NL，LQ	0.9000	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TP86R203	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（19a ta）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 9A，10V	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1W（TC）
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载					Ear99	8542.39.0001	108	n通道	500 v	11.3A（TC）	10V	320MOHM @ 5.65a，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FDBL86210-F085	6.1400	RFQ	275	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86210	MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	150 v	169a（TC）	10V	6.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5805 PF @ 75 V	-	500W（TJ）
IRF3704ZPBF	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
UPA1727G-E1-AT	1.5400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1727G-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	19mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IXFX60N55Q2	-	RFQ	6535	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX60	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	550 v	60a（TC）	10V	88mohm @ 30a，10v	4.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IPB160N08S4-03ATMA1	-	RFQ	5530	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	160a（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 150µA	112 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BVSS84LT3G	-	RFQ	8462	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BVSS84	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA	2.2 NC @ 10 V	±20V	36 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
STI18N65M2	2.7700	RFQ	829	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	12A（TC）	10V	330mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	770 pf @ 100 V	-	110W（TC）
IPI045N10N3GXK	-	RFQ	8782	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI045N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	-		3（168））	到达不受影响	SP000482424	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	137a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
PSMN5R4-25YLD，115	0.8000	RFQ	13	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							-						0000.00.0000	1
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043			-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
DMTH10H030LK3-13	-	RFQ	1800	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	28a（TC）	6V，10V	30mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 50 V	-	2.1W（TA）
BSZ120P03NS3GATMA1	0.9000	RFQ	24	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ120	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	（11a）（ta），40a（tc）	6V，10V	12mohm @ 20a，10v	3.1V @ 73µA	45 NC @ 10 V	±25V	3360 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），52W（TC）
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	-		-	-				-	-
FDMS5352	2.9300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS53	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	13.6A（TA），49A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 13.6A，10V	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	6940 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
AOTF160A60L	3.2400	RFQ	615	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF160	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF160A60L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	24A（TJ）	10V	160MOHM @ 12A，10V	3.6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	34.7W（TC）
SQA401EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2854	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA401	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.75A（TC）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
FDMS5361L-F085	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5361L-F085-600039			1	n通道	60 V	35A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IXFP36N55X2	8.8776	RFQ	1281	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixfp36	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp36n55x2	Ear99	8541.29.0095	50	-		-	-	-	-		-		-	-
FQD4P25TM	-	RFQ	3879	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
TPH1R306PL，L1Q	2.0800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R306	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.34mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 30 V	-	960MW（TA），170W（tc）
DMP2045UQ-7	0.4800	RFQ	43	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2045	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMP2045UQ-7DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SIR158DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir158	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
R6018JNXC7G	5.0700	RFQ	3	Rohm半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6018	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	18A（TC）	15V	286mohm @ 9a，15v	7V @ 4.2mA	42 NC @ 15 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	72W（TC）
AOTF600A60L	0.8024	RFQ	4025	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF600	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF600A60L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	8a（TJ）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	27.5W（TC）
SIE802DF-T1-E3	1.8574	RFQ	5701	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE802	MOSFET （金属 o化物）	10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 23.6a，10v	2.7V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²