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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPD048N06L3GBTMA1	1.2900	RFQ	7929	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD048	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 90a，10v	2.2V @ 58µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	8400 PF @ 30 V	-	115W（TC）
IRFI740GLCPBF	3.8900	RFQ	658	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI740GLCPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	5.7A（TC）	10V	550MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
IXTY02N50D	2.5100	RFQ	290	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY02	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	500 v	200ma（tc）	-	30ohm @ 50mA，0v	-		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
SIR774DP-T1-GE3	-	RFQ	3000	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Sir774			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			32A（ta），40a tc）	4.5V，10V				±20V
IPI037N08N3GHKSA1	-	RFQ	1247	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI037N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
NVTFWS002N04CTAG	1.0027	RFQ	3537	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS002	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NVTFWS002N04CTAG-488	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	27a（27a），136a （TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	3.5V @ 90µA	34 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），85W（tc）
RJK0854DPB-WS＃j5	-	RFQ	4870	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的							下载				559-RJK0854DPB-WS＃j5	过时的		1
APT14M100B	7.5000	RFQ	4296	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT14M100	MOSFET （金属 o化物）	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1000 v	14A（TC）	10V	900MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	3965 PF @ 25 V	-	500W（TC）
BUK7219-55A，118	0.6449	RFQ	3759	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7219	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	55A（TC）	10V	19mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2108 PF @ 25 V	-	114W（TC）
STP75N75F4	-	RFQ	5682	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP75N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13395-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	78A（TC）	10V	11mohm @ 39a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5015 PF @ 25 V	-	150W（TC）
NTMFS4C08NT1G-001	-	RFQ	9567	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500	n通道	30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	760MW（TA）
IPP60R165CP	-	RFQ	9936	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1	n通道	600 v	21a（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	192W（TC）
IQE050N08NM5SCATMA1	3.0700	RFQ	8806	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	PG-WHSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道	80 V	16a（16A），99a （TC）	6V，10V	5mohm @ 20a，10v	3.8V @ 49µA	44 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
ipd80r1k4ceatma1	1.5800	RFQ	7369	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R1	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	3.9a（TC）	10V	1.4OHM @ 2.3a，10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	63W（TC）
15N10	0.5800	RFQ	2	UMW	UMW	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	110mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	19.2 NC @ 10 V	±20V	632 PF @ 50 V	-	55W（TC）
NTD15N06-001	-	RFQ	9572	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD15	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	15A（TA）	10V	90MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
AOB360A70L	2.1600	RFQ	150	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB360	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	700 v	12A（TC）	10V	360MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 100 V	-	156W（TC）
FCP290N80	4.9000	RFQ	3575	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP290	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 1.7mA	75 NC @ 10 V	±20V	3205 PF @ 100 V	-	212W（TC）
AO3414L_105	-	RFQ	3685	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AO34			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			4.2A（ta）
DMT616MLSS-13	0.1589	RFQ	5902	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMT616	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT616MLSS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	10a（10a）	4.5V，10V	14mohm @ 8.5a，10v	2.2V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 30 V	-	1.39W（TA）
SSFN3964	0.5400	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	44.6W（TC）
TSM60NC1R5CP ROG	2.9400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	5.5V @ 1mA	8.1 NC @ 10 V	±20V	242 PF @ 25 V	-	55W（TC）
IPA95R130PFD7XKSA1	6.8900	RFQ	4826	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	950 v	13.9a（TC）	10V	130MOHM @ 25.1A，10V	3.5V @ 1.25mA	141 NC @ 10 V	±20V	4170 pf @ 400 V	-	33W（TC）
STD4NK60ZT4	1.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4NK60	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP4NB100	-	RFQ	8647	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP4N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2647-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	3.8A（TC）	10V	4.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXFH120N20P	12.5700	RFQ	8173	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
STP8NM60FP	-	RFQ	7991	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP8N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	30W（TC）
EPC2016	-	RFQ	7644	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	死	EPC20	ganfet（n化岩）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,500	n通道	100 v	11a（11a）	5V	16mohm @ 11a，5v	2.5V @ 3mA	5.2 NC @ 5 V	+6V，-5V	520 pf @ 50 V	-	-
IRF9510L	-	RFQ	9119	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9510L	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	-
IPI80N06S4L05AKSA2	-	RFQ	5408	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028726	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 40a，4.5V	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²