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单FET，MOSFET（（44971）

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IRL2703STRL	-	RFQ	9446	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
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ixtu4n70x2	2.7261	RFQ	4637	ixys	Ultra X2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	ixtu4	MOSFET （金属 o化物）	TO-251-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtu4n70x2	Ear99	8541.29.0095	70	n通道	700 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 25 V	-	80W（TC）
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DMN61D9UW-13	-	RFQ	1774年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN61	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN61D9UW-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	340ma（ta）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	28.5 pf @ 30 V	-	320MW（TA）
STP80NF06	3.2000	RFQ	715	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
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RJ1U330AAFRGTL	4.1000	RFQ	201	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RJ1U330	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	250 v	33A（TA）	10V	105MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	211W（TC）
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IRFBA90N20DPBF	-	RFQ	5308	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA		MOSFET （金属 o化物）	SUPER-220™to-273AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	200 v	98A（TC）	10V	23mohm @ 59a，10v	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±30V	6080 pf @ 25 V	-	650W（TC）
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YJL2312A	0.2800	RFQ	1488	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.8a（ta）	1.8V，4.5V	18mohm @ 6.8a，4.5V	1V @ 250µA	11.05 NC @ 4.5 V	±10V	888 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IPA60R125CPXKSA1	4.5588	RFQ	5027	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	35W（TC）
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STS9NF30L	-	RFQ	9388	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	sts9nf	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	9A（TC）	5V，10V	20mohm @ 4.5A，10V	1V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±18V	730 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
APTM20UM03FAG	354.3825	RFQ	8516	微芯片技术	PowerMos7®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	580a（TC）	10V	3.6mohm @ 290A，10V	5V @ 15mA	840 NC @ 10 V	±30V	43300 PF @ 25 V	-	2270W（TC）
IRFU1010Z	-	RFQ	1884年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfu1010z	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²