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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPA80R750P7XKSA1	1.9000	RFQ	1776年	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R750	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 2.7A，10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 V	-	27W（TC）
FDP6035AL	-	RFQ	4632	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP60	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	48a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 24a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	52W（TC）
IRLR7833TRRPBF	-	RFQ	6987	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573116	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
NTMFS4C290NT1G	-	RFQ	6690	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500	n通道	30 V	8.2a（ta），46a（tc）	4.5V，10V	6.95mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 V	±20V	987 PF @ 15 V	-	750MW（TA）
BUK9Y153-100E，115	1.0000	RFQ	2230	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	9.4A（TC）	5V	146MOHM @ 2A，10V	2.1V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±10V	716 pf @ 25 V	-	37W（TC）
TSM10N80CI C0G	-	RFQ	8795	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM10	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	800 v	9.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.75A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2336 PF @ 25 V	-	48W（TC）
FDMC86240	2.5500	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86	MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	4.6A（TA），16a （TC）	6V，10V	51MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
FDMS2734	5.8400	RFQ	7665	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS27	MOSFET （金属 o化物）	8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	250 v	2.8A（TA），14a （TC）	6V，10V	122mohm @ 2.8a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2365 PF @ 100 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
IRFR5410TRPBF	1.7700	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR5410	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRFIB7N50A	-	RFQ	7980	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB7N50A	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	6.6A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	60W（TC）
DMN67D8LW-7	0.0386	RFQ	4214	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN67	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	240mA（ta）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.82 NC @ 10 V	±30V	22 pf @ 25 V	-	320MW（TA）
IRF3314STRL	-	RFQ	2715	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3314	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	-	10V	-	-		±20V		-	-
IRFP32N50K	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP32	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP32N50K	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	32A（TC）	10V	160mohm @ 32a，10v	5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±30V	5280 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IRLI520NPBF	-	RFQ	2431	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	8.1A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	30W（TC）
AOD4144_002	-	RFQ	2455	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD41	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（13a）（ta），55a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），50W（TC）
RFL1N15L	1.8100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）	to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	150 v	1A（TC）	5V	1.9OHM @ 1A，5V	2V @ 250µA		±10V	200 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
AOU7S65	-	RFQ	1718年	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	aou7	MOSFET （金属 o化物）	TO-251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	9.2 NC @ 10 V	±30V	434 PF @ 100 V	-	89W（TC）
CDM22010-650	-	RFQ	4446	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	-				1514-CDM22010-650			1	n通道	650 v	10a（10a）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	30V	1168 PF @ 25 V	-	2W（TA），156w（tc）
TK065Z65Z，S1F	7.8900	RFQ	4529	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	650 v	38a（ta）	10V	65mohm @ 19a，10v	4V @ 1.69mA	62 NC @ 10 V	±30V	3650 PF @ 300 V	-	270W（TC）
NTMFS4C027NT1G	1.2000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
TK10Q60W，S1VQ	3.0600	RFQ	75	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK10Q60	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	9.7A（ta）	10V	430MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	80W（TC）
IPD042P03L3GBTMA1	-	RFQ	1285	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD042P	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 70A，10V	2V @ 270µA	175 NC @ 10 V	±20V	12400 PF @ 15 V	-	150W（TC）
NTMYS1D2N04CLTWG	4.2900	RFQ	4808	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS1	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	44A（TA），258A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 180µA	109 NC @ 10 V	±20V	6330 PF @ 20 V	-	3.9W（TA），134W（tc）
FCH041N65EFLN4	-	RFQ	3352	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	FCH041	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 7.6mA	298 NC @ 10 V	±20V	12560 pf @ 100 V	-	595W（TC）
IPW65R110CFDFKSA1	5.5135	RFQ	4015	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R110	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
PSMN030-150B，118	-	RFQ	8988	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	55.5a（TC）	10V	30mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	98 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 25 V	-	250W（TC）
AOT1606L	-	RFQ	1390	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT1606	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	785-1411-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	（12a）（TA），178a （TC）	10V	6.3MOHM @ 20A，10V	3.7V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），417W（tc）
IRFPS29N60LPBF	-	RFQ	4016	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS29	MOSFET （金属 o化物）	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS29N60LPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	29A（TC）	10V	210mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±30V	6160 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IRLC8256ED	-	RFQ	1418	Infineon技术	-	大部分	过时的							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001567150	过时的	0000.00.0000	1			-
IRL3715STRLPBF	-	RFQ	2246	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²