RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF2807Z	-	RFQ	2080	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF2807Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SQP120N06-3M5L_GE3	-	RFQ	1739年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	14700 PF @ 25 V	-	250W（TC）
APTC90SKM60T1G	-	RFQ	8284	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）	SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	900 v	59A（TC）	10V	60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 100 V	-	462W（TC）
IPP80R900P7XKSA1	1.7200	RFQ	5174	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80R900	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	3.5V @ 110µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 500 V	-	45W（TC）
IRF1404STRRPBF	-	RFQ	2212	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1404	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562994	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	162a（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFP460LCPBF	5.3900	RFQ	19	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP460LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRF7457TRPBF	-	RFQ	5349	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	20 v	15A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
BSO201SPNTMA1	-	RFQ	8940	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	14.9a（ta）	2.5V，4.5V	8mohm @ 14.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	128 NC @ 4.5 V	±12V	5962 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF7403PBF	-	RFQ	7528	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563614	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	8.5a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 4a，10v	1V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
auirfz48z	-	RFQ	7427	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516066	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
SUD25N15-52-T4-E3	1.5962	RFQ	1682年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	25A（TC）	6V，10V	52MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
irliz14g	-	RFQ	9268	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ14	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irliz14g	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	8A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.8A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	27W（TC）
NDS8435A	0.8300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM17N800TI		8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	17a（TC）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	35W（TC）
BSS84W-7	-	RFQ	3674	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS84	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5V	2V @ 1mA		±20V	45 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
AOTF20C60	-	RFQ	9493	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 50 V	-	50W（TC）
irfr3710ztrr	-	RFQ	8926	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575918	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
STB28N65M2	3.7000	RFQ	3347	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB28	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	170W（TC）
N0608N＃YW	-	RFQ	1656年	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的							-				559-N0608N＃YW	过时的		1
SI7613DN-T1-GE3	1.0700	RFQ	52	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7613	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 17a，10v	2.2V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±16V	2620 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
DMT32M5LFG-13	1.1200	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT32	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	67.7 NC @ 10 V	±20V	4066 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
TK31E60W，S1VX	8.2200	RFQ	3779	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK31E60	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 15.4a，10v	3.7V @ 1.5mA	86 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
STP36NF06FP	-	RFQ	5973	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	stp36n	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	18A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXFK24N100F	-	RFQ	9544	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	560W（TC）
ZVP4424ZTA	0.9000	RFQ	4779	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	ZVP4424	MOSFET （金属 o化物）	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	240 v	200ma（ta）	3.5V，10V	9ohm @ 200mA，10v	2V @ 1mA		±40V	200 pf @ 25 V	-	1.5W（TA）
IRFB7740pbf	1.5100	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7740	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	87A（TC）	6V，10V	7.3MOHM @ 52A，10V	3.7V @ 100µA	122 NC @ 10 V	±20V	4650 pf @ 25 V	-	143W（TC）
VN0300L	-	RFQ	9953	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	VN0300	MOSFET （金属 o化物）	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	VN0300LOS	Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	60 V	200ma（ta）	5V，10V	1.2OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA		±20V	100 pf @ 15 V	-	350MW（TC）
IQE008N03LM5CGSCATMA1	1.2310	RFQ	2262	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR			6,000
IXTH48N20	-	RFQ	8106	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth48	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	48A（TC）	10V	50mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	275W（TC）
2SK3634-az	0.7700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	6A（TC）		600mohm @ 3a，10v	4.5V @ 1mA	9 NC @ 10 V		270 pf @ 10 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²