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单FET，MOSFET（（44971）

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php34nq11t，127	-	RFQ	5111	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP34	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	110 v	35A（TC）	10V	40mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
NTD50N03R-1G	-	RFQ	5504	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD50	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	7.8A（ta），45a（tc）	4.5V，11.5V	12mohm @ 30a，11.5V	2V @ 250µA	15 NC @ 11.5 V	±20V	750 pf @ 12 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
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SPP03N60S5HKSA1	-	RFQ	5587	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp03n	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5.5V @ 135µA	16 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	38W（TC）
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NVTFS015P03P8ZTAG	0.4164	RFQ	2914	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS015P03P8ZTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	P通道	30 V	17a（17a），88.6A（88.6A）TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±25V	2706 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），88.2W（tc）
STP5NK80Z	2.3000	RFQ	5499	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5NK80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.15a，10V	4.5V @ 100µA	45.5 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	110W（TC）
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rjk0212dpa-00＃j5a	0.5700	RFQ	27	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Powervdfn		-	wpak （3）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-		-	-				-	-
SSM3J15F，LF	0.2300	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J15	MOSFET （金属 o化物）	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	1.7V @ 100µA		±20V	9.1 PF @ 3 V	-	200mw（ta）
PMZB380XN，315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	30 V	（930ma）（ta）	2.5V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.87 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
Sty112N65M5	37.6900	RFQ	2106	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Styn112	MOSFET （金属 o化物）	Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	96A（TC）	10V	22mohm @ 47a，10v	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	±25V	16870 PF @ 100 V	-	625W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²