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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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IRFR3711	-	RFQ	5661	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
MCH6320-TL-W	-	RFQ	3847	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH63	MOSFET （金属 o化物）	SC-88FL/MCPH6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 1.5A，4.5V	1.4V @ 1mA	5.6 NC @ 4.5 V	±10V	405 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
BUK9M28-80EX	0.9500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK9M28	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	33A（TC）	5V	25mohm @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	16.7 NC @ 5 V	±10V	2275 PF @ 25 V	-	75W（TC）
R6006anx	1.5214	RFQ	6491	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6006	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	520 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI8416DB-T1-GE3	-	RFQ	9882	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8416	MOSFET （金属 o化物）	6微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	8 V	16A（TC）	1.2V，4.5V	23mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±5V	1470 pf @ 4 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
NTE2387	13.0700	RFQ	14	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2387	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
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STWA67N60M6	9.2000	RFQ	2506	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67	MOSFET （金属 o化物）	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STWA67N60M6	Ear99	8541.29.0095	600	n通道	600 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	330W（TC）
PJA3403_R1_00001	0.4900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3403	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.1a（ta）	2.5V，10V	98mohm @ 3.1a，10v	1.3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±12V	443 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
irlu3636pbf	1.0800	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	277	n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
DMN62D1SFB-7B-52	0.0846	RFQ	8795	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	DMN62	MOSFET （金属 o化物）	X1-DFN1006-3	下载				31-DMN62D1SFB-7B-52	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	410mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 40mA，10v	2.3V @ 250µA	2.8 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 40 V	-	470MW（TA）
R6030knzc8	-	RFQ	9243	Rohm半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030	MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	30A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
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DMN10H220LFVW-7	0.1376	RFQ	2363	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMN10	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMN10H220LFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	11A（TC）	4.5V，10V	222MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	366 pf @ 50 V	-	2.4W（41W），41W（tc）
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IRFZ14L	-	RFQ	8748	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）	TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ14L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI7315DN-T1-GE3	1.2600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7315	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	150 v	8.9a（TC）	7.5V，10V	315MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 75 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFZ44Z	-	RFQ	8971	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	51A（TC）	10V	13.9mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRF3205STRLPBF	-	RFQ	3175	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道	55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）
R6004END3TL1	1.5800	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	59W（TC）
AOD538	0.3715	RFQ	1428	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD53	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	34A（TA），70A （TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2160 pf @ 15 V	-	4.2W（24W），24W tc）
IXTA220N055T7	-	RFQ	2143	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta220	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
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ZXMN6A09GTA	1.2400	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXMN6	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	5.4A（ta）	10V	40mohm @ 8.2a，10v	3V @ 250µA	24.2 NC @ 5 V	±20V	1407 PF @ 40 V	-	2W（TA）
IXKK85N60C	48.7100	RFQ	4615	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixkk85	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	85A（TC）	10V	36mohm @ 55a，10v	4V @ 4mA	650 NC @ 10 V	±20V		-	-
STF16N60M2	2.0400	RFQ	216	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16013-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²