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单FET，MOSFET（（44971）

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SIR892DP-T1-GE3	-	RFQ	7795	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir892	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2645 pf @ 10 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
VN2106N3-G	0.5000	RFQ	7925	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN2106	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	300mA（TJ）	5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRL640STRRPBF	2.9500	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
PMN42XPE，115	-	RFQ	9909	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	46mohm @ 3A，4.5V	1.25V @ 250µA	17.3 NC @ 4.5 V	±12V	1410 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
Auirfu3607	-	RFQ	3401	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001520676	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
STL8N10F7	1.3500	RFQ	3822	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL8	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	35A（TC）	10V	20mohm @ 4a，10v	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	3.5W（TA），50W（TC）
SI2303CDS-T1-GE3	0.4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	1W（TA），2.3W（2.3W）（TC）
NTD4970NT4G	-	RFQ	5405	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	8.5a（ta），36a（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 V	±20V	774 PF @ 15 V	-	1.38W（TA），24.6W（tc）
IXFT14N100	-	RFQ	3508	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft14	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	14A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
STD1HN60K3	1.5900	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD1HN60	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	1.2A（TC）	10V	8ohm @ 600mA，10v	4.5V @ 50µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 50 V	-	27W（TC）
IRF7458pbf	-	RFQ	1573年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001555388	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	14A（TA）	10V，16V	8mohm @ 14a，16v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	2410 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
CDM2205-800FP SL	-	RFQ	3154	中央半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	5A（TC）	10V	2.7OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	30V	705 pf @ 25 V	-	48W（TC）
STW80NF06	-	RFQ	7755	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw80n	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3266-5	Ear99	8541.29.0095	600	n通道	60 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FDS4070N7	-	RFQ	6082	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40	MOSFET （金属 o化物）	8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	15.3a（ta）	10V	7mohm @ 15.3a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
NTB6413ANG	-	RFQ	7580	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB64	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NTB6413 ang-on	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	42A（TC）	10V	28mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	136W（TC）
ZVP4424ASTOA	-	RFQ	7195	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	240 v	200ma（ta）	3.5V，10V	9ohm @ 200mA，10v	2V @ 1mA		±40V	200 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
NTTFS5C673NLTWG	1.6600	RFQ	4417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 25a，10V	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
AON7446	-	RFQ	3327	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AON744	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	3.3A（3），8a tc（8a tc）	7V，10V	145MOHM @ 3A，10V	3.3V @ 250µA	5.3 NC @ 10 V	±20V	285 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），16.7W（tc）
NTD3055L170-001	-	RFQ	2262	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD30	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	9a（9a）	5V	170MOHM @ 4.5A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	275 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.5W（tj）
IXFX44N55Q	-	RFQ	8540	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX44	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	550 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
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2N7002ET7G	0.2200	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500	n通道	60 V	260mA ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.81 NC @ 5 V	±20V	40 pf @ 25 V	-	300MW（TJ）
FQA34N20	-	RFQ	6211	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	200 v	34A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	210W（TC）
FDS6375	0.9600	RFQ	2423	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS63	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	24mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±8V	2694 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
SIHH21N65EF-T1-GE3	6.4800	RFQ	675	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	19.8A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	2396 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SPP07N600S5	0.8800	RFQ	400	Infineon技术	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FDJ129P	-	RFQ	6932	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75-6 FLMP	FDJ129	MOSFET （金属 o化物）	SC75-6 FLMP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 4.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	780 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
IPD80R280P7ATMA1	3.4700	RFQ	7	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	17a（TC）	10V	280MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	36 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 500 V	-	101W（TC）
BSC090N03MSGATMA1	-	RFQ	7816	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC090	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	（12A）（ta），48a tc）（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），32W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²