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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
AUIRR7766M2TR	-	RFQ	8524	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4	AUIRR7766	MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距M4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516036	Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	100 v	10a（10a）	4.5V，10V	10mohm @ 31a，10v	2.5V @ 150µA	66 NC @ 4.5 V	±16V	5305 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），62.5W（tc）
RRS125N03TB1	-	RFQ	6193	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	12.5A（TA）		10mohm @ 12.5a，10v	-	40.5 NC @ 15 V		2300 PF @ 10 V	-	-
SIHFR9310TRR-GE3	0.8100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFP4110pbf	-	RFQ	6651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	-					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IPL65R130CFD7AUMA1	5.5200	RFQ	3481	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	21a（TC）	10V	130mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	127W（TC）
DMP3007SFG-13	0.8700	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3007	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	2.8W（ta）
irfr3504ztrlpbf	-	RFQ	6858	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001552130	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
SQJ415EP-T1_GE3	1.0000	RFQ	8070	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ415	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SPI80N03S2L-03	-	RFQ	5570	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
AOB12N50L	0.9097	RFQ	2340	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB12	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1633 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPB034N06N3G	0.8800	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
STP5NK80Z	2.3000	RFQ	5499	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5NK80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.15a，10V	4.5V @ 100µA	45.5 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IPI65R110CFDXKSA1	-	RFQ	7514	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
C3M0065100K	19.3400	RFQ	886	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	C3M0065100	sicfet （碳化硅）	TO-247-4L	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	35A（TC）	15V	78mohm @ 20a，15v	3.5V @ 5mA	35 NC @ 15 V	+19V，-8V	660 pf @ 600 V	-	113.5W（TC）
IRF7240TRPBF	1.8100	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7240	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	15mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	9250 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
NVTYS002N03CLTWG	0.8274	RFQ	5550	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS002N03CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	29A（ta），140a（tc）	4.5V，10V	2.25mohm @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2697 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
SI4426DY-T1-GE3	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4426	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	25mohm @ 8.5a，4.5V	1.4V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
IPC100N04S51R7ATMA1	2.2200	RFQ	5502	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	100A（TC）	7V，10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.4V @ 60µA	83 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	115W（TC）
DMN3730UFB4-7	0.4600	RFQ	26	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN3730	MOSFET （金属 o化物）	X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	750mA（TA）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	1.6 NC @ 4.5 V	±8V	64.3 pf @ 25 V	-	470MW（TA）
IRFS31N20DPBF	-	RFQ	3194	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
FQPF13N06L	1.0000	RFQ	5466	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	10A（TC）	5V，10V	110MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	24W（TC）
BUK9604-40A，118	-	RFQ	2379	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK9604	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	75A（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	128 NC @ 5 V	±15V	8260 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SFU9220TU_F080	-	RFQ	5732	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFU922	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	P通道	200 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
IRL620STRR	-	RFQ	5318	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL620	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	5.2A（TC）	4V，10V	800MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
2N7002W	0.4500	RFQ	81	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	310mA ta）	4.5V，10V	1.6OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	24.5 pf @ 20 V	-	280MW（TJ）
SPD18P06PGBTMA1	1.4600	RFQ	15	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD18P06	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	18.6a（TC）	10V	130mohm @ 13.2a，10v	4V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	80W（TC）
CSD18537NKC	1.3500	RFQ	3	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）	6V，10V	14mohm @ 25a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	94W（TC）
TSM900N06CH X0G	1.7200	RFQ	52	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
SIL2305B-TP	0.4100	RFQ	3	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL2305	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-SIL2305B-TPTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	5.4a	1.8V，4.5V	60mohm @ 2.7a，4.5V	900mv @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±10V	740 pf @ 4 V	-	2W
2SK1313STR-E	1.9200	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²