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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irll2703pbf	-	RFQ	4768	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,760	n通道	30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SSM3K36MFV，L3F	0.4000	RFQ	358	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K36	MOSFET （金属 o化物）	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，5V	630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23 NC @ 4 V	±10V	46 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
BUK9Y14-40B，115	0.9800	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y14	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	56A（TC）	5V	11mohm @ 20a，10v	2V @ 1mA	21 NC @ 5 V	±15V	1800 pf @ 25 V	-	85W（TC）
BS107PSTZ	0.9100	RFQ	8848	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3	BS107	MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	200 v	120mA（ta）	2.6V，5V	30ohm @ 100mA，5V	-		±20V	85 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
NVMFS5832NLT1G	-	RFQ	6458	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NVMFS5			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
RF4E100AJTCR	0.8700	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	RF4E100	MOSFET （金属 o化物）	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	10a（10a）	4.5V	12.4mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 1mA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1460 pf @ 15 V	-	2W（TC）
IPI100N06S3-04	-	RFQ	6763	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	55 v	100A（TC）	10V	4.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	314 NC @ 10 V	±20V	14230 PF @ 25 V	-	214W（TC）
SI1013X-T1-GE3	0.4400	RFQ	8244	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1013	MOSFET （金属 o化物）	SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	350mA（ta）	1.8V，4.5V	1.2OHM @ 350mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	1.5 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
RM35N30DF	0.2700	RFQ	1960年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM35N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	40W（TC）
GAN041-650WSBQ	19.0700	RFQ	94	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		ganfet（cascoden（fet）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	47.2A	10V	41mohm @ 32a，10v	4.5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 400 V	-	187W
YJQ50N03A	0.1730	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ50N03ATR	Ear99		5,000
UPA2719GR-E1-A	0.9400	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
NTMFS4C027NT1G	1.2000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
VN2410LG	-	RFQ	9149	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	VN2410	MOSFET （金属 o化物）	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	vn2410lgos	Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
DMT32M5LFG-7	0.4704	RFQ	7425	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT32	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	67.7 NC @ 10 V	±20V	4066 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
TSM3N80CP ROG	-	RFQ	8040	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IRF8113GPBF	-	RFQ	1083	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001560088	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF3707ZLPBF	-	RFQ	2482	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SI7404DN-T1-GE3	-	RFQ	6093	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7404	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	8.5a（ta）	2.5V，10V	13mohm @ 13.3a，10v	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
HUF76013D3S	0.2300	RFQ	2254	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,212	n通道	20 v	20A（TC）	5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	624 pf @ 20 V	-	50W（TC）
IRFS17N20DPBF	-	RFQ	2520	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRFR120Z	-	RFQ	9413	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR120Z	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
G3R12MT12K	69.1800	RFQ	8861	基因半导体	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	G3R12M	sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R12MT12K	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	157a（TC）	15V，18V	13mohm @ 100a，18v	2.7V @ 50mA	288 NC @ 15 V	+22V，-10V	9335 PF @ 800 V	-	567W（TC）
SQD100N04_3M6T4GE3	0.6985	RFQ	1050	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD100N04_3M6T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
ZXMN6A11GTC	-	RFQ	9614	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXMN6	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	60 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	120mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 40 V	-	2W（TA）
FQE10N20CTU	-	RFQ	2573	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FQE1	MOSFET （金属 o化物）	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920	n通道	200 v	4A（TC）	10V	360MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	12.8W（TC）
AOTF12T60P	-	RFQ	5767	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2028 PF @ 100 V	-	50W（TC）
CSD18503Q5A	1.6100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）	8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
QS5U27TR	0.7400	RFQ	128	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U27	MOSFET （金属 o化物）	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	4.2 NC @ 4.5 V	±12V	325 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
PMF87en，115	-	RFQ	4369	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF87	MOSFET （金属 o化物）	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	80Mohm @ 1.7A，10V	2.5V @ 250µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 15 V	-	275MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²