RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
DI017N06PQ-AQ	0.3144	RFQ	1710	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装				PowerQFN 5x6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI017N06PQ-AQTR		8541.29.0000	5,000	n通道		17a								21W
NP52N055SUG-E1-AY	-	RFQ	5359	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP52N055	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	52A（TC）	10V	14mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	1.2W（TA），56W（tc）
AON7404G	0.5800	RFQ	2201	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AON740	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	20 v	20A（20A），20A （TC）	2.5V，4.5V	5.3MOHM @ 20A，4.5V	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	3300 PF @ 10 V	-	（5W）（TA），28W（28W）TC）
SI7804DN-T1-E3	0.5292	RFQ	5330	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7804	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	18.5mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
BSC0909NSATMA1	0.6700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0909	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	34 v	（12A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	9.2Mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
2N7002PW	0.0531	RFQ	8912	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-2N7002PWTR		8541.21.0000	3,000	n通道	60 V	315ma（ta）	5V，10V	1.6ohm @ 500mA，10v	2.4V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	30 pf @ 10 V	-	260MW（TA）
AOTF12N50L	-	RFQ	8838	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-			到达不受影响	785-AOTF12N50L			1	n通道	500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1633 PF @ 25 V	-	50W
2N7002T-7-G	-	RFQ	3306	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				2N7002			-		（1 （无限）	到达不受影响	2N7002T-7-GDI	Ear99	8541.21.0095	3,000
SIR5802DP-T1-RE3	1.8900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR5802DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	33.6a（TA），137.5A （TC）	7.5V，10V	2.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
XP161A1265PR-G	0.3578	RFQ	1575年	托雷克斯半导体有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	TO-243AA	XP161A	MOSFET （金属 o化物）	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	55MOHM @ 2A，4.5V	1.4V @ 1mA		±12V	320 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IRFR2605	-	RFQ	9432	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	55 v	19a（tc）	10V	85mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AS6004	0.5000	RFQ	15	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3L	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）					3,000	P通道	60 V	4A（ta）	4.5V，10V	120MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 30 V	-	1.5W（TA）
apt20m20jll	30.8600	RFQ	5246	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M20	MOSFET （金属 o化物）	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	104a（TC）		20mohm @ 52a，10v	5V @ 2.5mA	110 NC @ 10 V		6850 pf @ 25 V	-
DMT2004UFV-7	0.2184	RFQ	9683	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT2004	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	24 V	70A（TC）	2.5V，10V	5mohm @ 12a，10v	1.45V @ 250µA	53.7 NC @ 10 V	±12V	1683 PF @ 15 V	-	1.2W（TA）
2N6661JTXP02	-	RFQ	8781	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
RDN100N20	-	RFQ	7167	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDN100	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	10a（10a）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	543 pf @ 10 V	-	35W（TC）
2SK3618-TL-E	-	RFQ	7804	Sanyo	-	大部分	过时的							-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK3618-TL-E-600057			1
BUK7628-100A，118	1.3100	RFQ	19	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IRFU9220	-	RFQ	1889年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9220	Ear99	8541.29.0095	75	P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
STF15NM60ND	-	RFQ	9797	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	14A（TC）	10V	299MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STY34NB50	-	RFQ	8201	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty34n	MOSFET （金属 o化物）	Max247™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2680-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	34A（TC）	10V	130mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	223 NC @ 10 V	±30V	9100 PF @ 25 V	-	450W（TC）
2N7002HV-TP	0.2500	RFQ	2	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-2N7002HV-TPTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	115mA	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10V	1.8V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200MW
CDM2205-800FP SL	-	RFQ	3154	中央半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	5A（TC）	10V	2.7OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	30V	705 pf @ 25 V	-	48W（TC）
NTD20N06G	-	RFQ	7744	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	20A（TA）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 25 V	-	1.88W（TA），60W（TJ）
GT700P08K	0.8200	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500	P通道	60 V	20A（TC）	10V	72MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	1615 PF @ 40 V	-	125W（TC）
IXTA120N075T2	3.6936	RFQ	6083	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta120	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	120A（TC）	10V	7.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMPB12R5EPX	0.5800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB12	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020M-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	15mohm @ 8.8a，10v	2V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1392 PF @ 15 V	-	1.9W（ta），12.5W（tc）
irlr110trl	-	RFQ	5776	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
EC4401C-TL	0.1200	RFQ	20	Sanyo	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-FUFDFN	EC4401	MOSFET （金属 o化物）	4-ECSP1008	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7000 PF @ 10 V	-	150MW（TA）
SI4435DY	-	RFQ	2560	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*SI4435DY	Ear99	8541.29.0095	95	P通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²