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单FET，MOSFET（（44971）

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BSP179H6327XTSA1	-	RFQ	8081	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	210mA（ta）	0V，10V	18ohm @ 210mA，10v	1V @ 94µA	6.8 NC @ 5 V	±20V	135 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
FDG327N	-	RFQ	2056	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG327	MOSFET （金属 o化物）	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	±8V	423 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
TSM240N03CX RFG	0.9000	RFQ	76	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM240	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
NVMFS6B05NWFT3G	-	RFQ	2873	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
SPP06N80C3XK	-	RFQ	8833	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp06n	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	-		3（168））	到达不受影响	SP000013366	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
NVMFS5C466NLT1G	1.4700	RFQ	2130	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	16a（16a），52a（tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 30µA	16 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
IRL1404ZLPBF	-	RFQ	1158	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001552544	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTN62N50L	74.2900	RFQ	8096	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn62	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtn62n50l	Ear99	8541.29.0095	10	n通道	500 v	62A（TC）	20V	100mohm @ 500mA，20v	5V @ 250µA	550 NC @ 20 V	±30V	11500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
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IRF6622TRPBF	-	RFQ	2917	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	25 v	（15a）（ta），59a （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），34W （TC）
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IPB80N06S3-05	-	RFQ	2642	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000102222	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	10V	5.1MOHM @ 63A，10V	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 pf @ 25 V	-	165W（TC）
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irfu120pbf	1.0600	RFQ	87	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU120	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu120pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
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BSS110	-	RFQ	9086	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSS11	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道	50 V	170mA（TA）		10ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA			40 pf @ 25 V	-
SPW20N60C3FKSA1	6.6600	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW20N60	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	20.7A（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
FDA69N25	4.0900	RFQ	5644	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA69	MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDA69N25-OS	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	69A（TC）	10V	41MOHM @ 34.5a，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4640 pf @ 25 V	-	480W（TC）
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2SK2625ALS	-	RFQ	7664	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	153	n通道	600 v	4.4A（TC）		2ohm @ 2.5a，15v	-	20 nc @ 10 V		700 pf @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
APTM20UM03FAG	354.3825	RFQ	8516	微芯片技术	PowerMos7®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	580a（TC）	10V	3.6mohm @ 290A，10V	5V @ 15mA	840 NC @ 10 V	±30V	43300 PF @ 25 V	-	2270W（TC）
IXTV230N085TS	-	RFQ	2204	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV230	MOSFET （金属 o化物）	加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXTX20N150	30.7800	RFQ	4334	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx20	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx20N150	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1500 v	20A（TC）	10V	1ohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	215 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
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irlr3103tr	-	RFQ	2828	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
NTP18N06	-	RFQ	5810	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP18N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTP18N06OS	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	15A（TC）	10V	90MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
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IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	RFQ	958	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 35µA	60 NC @ 10 V	+20V，-16V	4690 pf @ 25 V	-	71W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²