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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFN73N30	17.7985	RFQ	8050	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN73N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	10	n通道	300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
SSF3051G7	0.4400	RFQ	8172	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	P通道	30 V	4.4a	4.5V，10V	48mohm @ 4.4A，10V	3V @ 250µA	7.1 NC @ 5 V	±25V	520 pf @ 15 V	-	1.7W
UPA2754GR-E1-AT	1.2000	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NTB75N03RT4	-	RFQ	2067	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	25 v	9.7a（ta），75a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	13.2 NC @ 10 V	±20V	1333 PF @ 20 V	-	1.25W（TA），74.4W（tc）
HAT2171H-E	-	RFQ	6840	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2171	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	40a（ta）	7V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	-	52 NC @ 10 V	±20V	3750 pf @ 10 V	-	25W（TC）
FDB3632	3.1600	RFQ	5096	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB363	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
STB50NE10T4	-	RFQ	8373	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB50N	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	50A（TC）	10V	27mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	166 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
AON6411	1.6800	RFQ	124	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON641	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	47A（TA），85A（tc）	2.5V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	1.3V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±12V	10290 pf @ 10 V	-	7.3W（ta），156w（tc）
FDD6N50FTF	-	RFQ	4500	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	5.5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	19.8 NC @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	89W（TC）
DMP213DUFA-7B	0.0586	RFQ	6021	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMP213	MOSFET （金属 o化物）	X2-DFN0806-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	25 v	145mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.35 NC @ 4.5 V	-8V	27.2 pf @ 10 V	-	360MW（TA）
PSMNR90-30BL，118	3.4600	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMNR90	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 1mA	243 NC @ 10 V	±20V	14850 pf @ 15 V	-	306W（TC）
FDC2512	-	RFQ	3581	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
GSF3400	0.3000	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	30 V	5.6a（ta）	2.5V，10V	27MOHM @ 5.6A，10V	1.5V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±12V	535 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
IXFB300N10P	35.6900	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB300	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	100 v	300A（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	5V @ 8mA	279 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
ZVN0540ASTOA	-	RFQ	2374	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	400 v	90mA（ta）	10V	50ohm @ 100mA，10v	3V @ 1mA		±20V	70 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
NTP27N06L	-	RFQ	2259	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP27N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	27a（27A）	5V	48mohm @ 13.5a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
NDS8434	-	RFQ	2155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS843	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	6.5A（TA）	2.7V，4.5V	35MOHM @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	2330 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
NTB65N02RT4G	-	RFQ	7485	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB65	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	25 v	7.6A（TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	9.5 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.04W（TA），62.5W（tc）
FDMC7692S	0.6600	RFQ	2	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC7692	MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12.5A（ta），18a tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
AUIRFSL6535	-	RFQ	4875	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO262-3-901	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRF4905STRRPBF	2.3200	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF4905	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	170W（TC）
APTM100UM60FAG	379.6000	RFQ	8096	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1000 v	129a（TC）	10V	70mohm @ 64.5a，10v	5V @ 15mA	1116 NC @ 10 V	±30V	31100 PF @ 25 V	-	2272W（TC）
SIR888DP-T1-GE3	-	RFQ	6224	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir888	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±16V	5065 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
BSS670S2LH6327XTSA1	0.4500	RFQ	5100	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS670	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	55 v	540ma（ta）	4.5V，10V	650MOHM @ 270mA，10V	2V @ 2.7µA	2.26 NC @ 10 V	±20V	75 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRFBC30L	-	RFQ	9673	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
STW70N60DM2	11.7600	RFQ	4646	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16345-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	66A（TC）	10V	42mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	121 NC @ 10 V	±25V	5508 PF @ 100 V	-	446W（TC）
SI7478DP-T1-E3	2.8500	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7478	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	15A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
STH160N4LF6-2	1.5700	RFQ	642	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH160	MOSFET （金属 o化物）	H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	120A（TC）	5V，10V	2.2MOHM @ 60a，10v	1V @ 250µA（250µA）	181 NC @ 10 V	±20V	8130 PF @ 20 V	-	150W（TC）
2SK066400L	-	RFQ	4010	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	smini3-g1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50 V	（100mA）（TA）	5V	50ohm @ 20mA，5v	3.5V @ 100µA		8V	15 pf @ 5 V	-	150MW（TA）
irlu3915pbf	-	RFQ	6431	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	55 v	30A（TC）	5V，10V	14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±16V	1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²