RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPI80N06S207AKSA1	-	RFQ	7084	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	55 v	80A（TC）	10V	6.6mohm @ 68a，10v	4V @ 180µA	110 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	250W（TC）
TF262th-5-TL-H	0.0600	RFQ	397	Ampleon USA Inc.	-	大部分	过时的							-				2156-TF262TH-5-TL-H			4,808
NVMFWS3D0P04M8LT1G	2.9700	RFQ	1990	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFWS3D0P04M8LT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	P通道	40 V	28a（28a），183a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 30a，10v	2.4V @ 2mA	124 NC @ 10 V	±20V	5827 PF @ 20 V	-	3.9W（TA），171W（TC）
IRL540NSPBF	-	RFQ	6319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
STP38N65M5	5.9000	RFQ	8340	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP38	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
FQU1N60TU	0.5500	RFQ	607	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	607	n通道	600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
2SK3714（0）-S12-AZ	2.3600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	MP-45F	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3714（0）-s12-az	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	50A（TC）	4V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NTMFS4C35NT1G	-	RFQ	4495	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	12.4A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	2300 pf @ 15 V	-	（780MW）（TA），33W（tc）
IRLR3114ZTRPBF	1.5200	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3114	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IXTH12N90	-	RFQ	5767	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRL3715ZL	-	RFQ	5500	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715ZL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IPB80N06S3-07	-	RFQ	5218	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 80µA	170 NC @ 10 V	±20V	7768 PF @ 25 V	-	135W（TC）
RAL045P01TCR	0.2801	RFQ	5146	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RAL045	MOSFET （金属 o化物）	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4.5A（ta）	1.5V，4.5V	30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 1mA	40 NC @ 4.5 V	-8V	4200 PF @ 6 V	-	1W（ta）
IXTB62N50L	59.2500	RFQ	25	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtb62	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	62A（TC）	20V	100mohm @ 31a，20v	5.5V @ 250µA	550 NC @ 20 V	±30V	11500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
RBA160N04AHPF-4UA01 ＃GB0	4.4900	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	160a（TC）	10V	1.25MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	236 NC @ 10 V	±20V	13200 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
FDC658P	0.6700	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC658	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	4A（ta）	10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BSZ0904NSIATMA1	1.0500	RFQ	281	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0904	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	18A（18A），40A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1463 PF @ 15 V	（（（）	2.1W（ta），37W（tc）
IPI80N04S304AKSA1	-	RFQ	8389	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	40 V	80A（TC）	10V	4.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 90µA	80 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	136W（TC）
BSC440N10NS3GATMA1	0.8900	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC440	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	5.3a（ta），18A（tc）	6V，10V	44mohm @ 12a，10v	3.5V @ 12µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	810 PF @ 50 V	-	29W（TC）
FQB27P06TM	-	RFQ	5292	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道	60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
NDP7050	-	RFQ	4475	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NDP705	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NDP7050-NDR	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	50 V	75A（TC）	10V	13mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	150W（TC）
NVTFS4C13NWFTWG	0.5340	RFQ	6761	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（3W）（26W）（26W）TC）
IRFH8201TRPBF	1.9300	RFQ	15	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8201	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	25 v	49A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	0.95MOHM @ 50a，10V	2.35V @ 150µA	111 NC @ 10 V	±20V	7330 pf @ 13 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IXTN660N04T4	31.8600	RFQ	1	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN660	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	40 V	660a（TC）	10V	0.85MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	860 NC @ 10 V	±15V	44000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
DMP1022UFDE-7	-	RFQ	3629	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP1022	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	12 v	9.1a（ta）	1.2V，4.5V	16mohm @ 8.2a，4.5V	800MV @ 250µA	42.6 NC @ 5 V	±8V	2953 PF @ 4 V	-	660MW（TA）
IRF1010ZS	-	RFQ	8694	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010ZS	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
PMPB8XNX	0.4400	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB8	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	10.1a（ta）	1.5V，4.5V	12mohm @ 10.1a，4.5V	900mv @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1696 pf @ 10 V	-	1.9W（ta），12.5W（tc）
SI4420BDY-T1-GE3	0.9600	RFQ	5891	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4420	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	1.4W（TA）
TSM043NB04LCZ C0G	3.5400	RFQ	4237	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM043NB04LCZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	16a（16A），124A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4387 PF @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
IRL1404ZPBF	2.5300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL1404	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²