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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfrc20trl	-	RFQ	8772	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
BUK9Y15-100E，115	0.7874	RFQ	8616	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y15	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	69A（TC）	5V，10V	14.7mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	45.8 NC @ 5 V	±10V	6139 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
IXTQ150N06P	-	RFQ	3587	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ150	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	60 V	150a（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	5V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	480W（TC）
TBB1012MMTL-H	0.2900	RFQ	72	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FCU5N60TU	-	RFQ	8709	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU5N60	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
UJ3C120080K3S	15.2100	RFQ	6	Qorvo	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	UJ3C120080	sicfet（cascode sicjfet）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2312-UJ3C120080K3S	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	33A（TC）	12V	100mohm @ 20a，12v	6V @ 10mA	51 NC @ 15 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	254.2W（TC）
NTE222	15.0200	RFQ	100	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以		MOSFET （金属 o化物）	到72	下载	rohs3符合条件			2368-NTE222	Ear99	8541.21.0095	1	n通道	25 v	50mA（TJ）	-	-	4V @ 20µA		-	3300 PF @ 15 V	-	（360MW）（TA），1.2MW（tc）
2SK4089L	-	RFQ	6247	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4089	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	720MOHM @ 6A，10V	-	45.4 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
SI64666666ADQ-T1-GE3	-	RFQ	6212	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6466	MOSFET （金属 o化物）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	14mohm @ 8.1a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	27 NC @ 5 V	±8V		-	1.05W（TA）
IXTT72N20	-	RFQ	9844	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT72	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	72A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
TK56E12N1，S1X	1.6800	RFQ	7085	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK56E12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	120 v	56a（ta）	10V	7mohm @ 28a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 60 V	-	168W（TC）
IRFI7440GPBF	-	RFQ	7625	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	191	n通道	40 V	95A（TC）	10V	2.5MOHM @ 57A，10V	3.9V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	4549 PF @ 25 V	-	42W（TC）
IPP100N08N3GXKSA1	1.9800	RFQ	643	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	70A（TC）	6V，10V	10mohm @ 46a，10v	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
18n20f	0.4150	RFQ	6	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		50	n通道	200 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	17.7 NC @ 10 V	±20V	836 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STS4DNFS30	1.4800	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	4.5A（TC）	5V，10V	55mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	4.7 NC @ 5 V	±20V	330 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TC）
DMTH6004SCTBQ-13	2.9400	RFQ	7638	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMTH6004	MOSFET （金属 o化物）	TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 V	±20V	4556 pf @ 30 V	-	4.7W（TA），136W（tc）
AONR32320	-	RFQ	2446	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	AONR323	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-		12A（TC）	-	-	-		-		-	-
HUFA76419D3S	1.0000	RFQ	6133	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF3315pbf	-	RFQ	3367	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	150 v	23A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	94W（TC）
APT20M120JCU2	39.7700	RFQ	6177	微芯片技术	Power MOS 8™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M120	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1200 v	20A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	543W（TC）
SI4408DY-T1-E3	2.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4408	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 21a，10V	1V @ 250µA（250µA）	32 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SI7409ADN-T1-GE3	-	RFQ	6828	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7409	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	7a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
DI040P04D1-AQ	0.9588	RFQ	5207	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DI040P04	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI040P04D1-AQTR		8541.21.0000	200,000	P通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3538 pf @ 20 V	-	52W（TC）
DMN30H4D0LFDE-7	0.5200	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN30	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	300 v	550mA（ta）	2.7V，10V	4ohm @ 300mA，10v	2.8V @ 250µA	7.6 NC @ 10 V	±20V	187.3 pf @ 25 V	-	630MW（TA）
IPP80P04P4L08AKSA1	-	RFQ	3833	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	+5V，-16V	5430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STB22NM60N	-	RFQ	4343	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB22	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 8A，10V	4V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
IPD70R600P7SAUMA1	0.9800	RFQ	3	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPP014N06NF2SAKMA2	3.8100	RFQ	345	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-U05	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	39A（ta），198a （TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 246µA	305 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 30 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IXFA110N15T2	5.8040	RFQ	6689	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA110	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa110n15t2	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
APT35SM70B	-	RFQ	9262	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道	700 v	35A（TC）	20V	145mohm @ 10a，20v	2.5V @ 1mA	67 NC @ 20 V	+25V，-10V	1035 PF @ 700 V	-	176W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²