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单FET，MOSFET（（44971）

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IRFS11N50APBF	2.9400	RFQ	445	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
FDBL0090N40	1.0000	RFQ	9399	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	40 V	240a（TC）	10V	0.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	188 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	357W（TJ）
IXFB132N50P3	24.9800	RFQ	40	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB132	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	132a（TC）	10V	39mohm @ 66a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18600 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
SPD07N60C3ATMA1	2.7500	RFQ	4	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD07N60	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
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IRL3714Z	-	RFQ	4534	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3714Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
ixtx60n50l2	38.4700	RFQ	947	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx60	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	610 NC @ 10 V	±30V	24000 pf @ 25 V	-	960W（TC）
irlz34nstrr	-	RFQ	4889	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	30A（TC）	4V，10V	35mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
TPCA8055-H，LQ （M	-	RFQ	2518	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8055	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	56a（ta）	4.5V，10V	1.9mohm @ 28a，10v	2.3V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），70W（70W）TC）
AOTF25S65	2.0360	RFQ	7494	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF25	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	25A（TC）	10V	190mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	26.4 NC @ 10 V	±30V	1278 PF @ 100 V	-	50W（TC）
STF10N95K5	3.2900	RFQ	114	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	950 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	630 PF @ 100 V	-	30W（TC）
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STP6NK50Z	-	RFQ	3107	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4385-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5.6A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	24.6 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	90W（TC）
CMS55N06CT-HF	-	RFQ	4194	comchip技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CMS55	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS55N06CT-HF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	55A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	39.2 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	2W（2），96w（tc）
FCH190N65F-F155	3.3400	RFQ	4300	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	66	n通道	650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 2mA	78 NC @ 10 V	±20V	3225 pf @ 100 V	-	208W（TC）
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YJL2312AL	0.0450	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yjl2312altr	Ear99		3,000	n通道	20 v	6.8a（ta）	1.8V，4.5V	18mohm @ 6.8a，4.5V	1V @ 250µA	11.05 NC @ 4.5 V	±10V	888 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IPD50N03S4L06ATMA1	0.5518	RFQ	8228	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 20µA	31 NC @ 10 V	±16V	2330 PF @ 25 V	-	56W（TC）
AON6560	1.0107	RFQ	7361	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON656	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	84A（ta），200a（tc）	4.5V，10V	0.62Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	325 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 15 V	-	7.3W（ta），208W（tc）
NVTFS4C06NWFTAG	1.7300	RFQ	3473	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	21a（21a）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	3.1W（37W），37W（tc）
SI3415B-TP	0.4100	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3415	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	5.6a		42MOHM @ 5.6A，4.5V	1V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±12V	940 pf @ 10 V	-	1.3W
FDMC7582	-	RFQ	9243	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	Power33	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	25 v	16.7a（ta），49A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 16.7a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1795 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
SIA466EDJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA466	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	25A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 9A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 1 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
NTB45N06LG	-	RFQ	2573	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB45	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	45A（TA）	5V	28mohm @ 22.5a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1700 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
TSM240N03CX RFG	0.9000	RFQ	76	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM240	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²