射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
NE3503M04-T2-A	0.7600	询价	29	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	4V		SOT-343F		12GHz	高频场效应晶体管	M04	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0075	3,000		70毫安	10毫安	-	12分贝	0.45分贝	2V
BF1206,115	-	询价	4985	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应晶体管	6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	18毫安	-	30分贝	1.3分贝	5V
NE3516S02-T1C-A	-	询价	5413	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD，写入		12GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	60毫安	10毫安	165毫W	14分贝	0.35分贝	2V
BLF6G10L-40BRN,118	-	询价	5825	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1112A	BLF6G10	788.5MHz～823.5MHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064277118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	11A	390毫安	2.5W	23分贝	-	28V
BLF7G24LS-100,112	-	询价	9438	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		28A	900毫安	20W	18分贝	-	28V
ATF-541M4-TR2	-	询价	9545	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-541M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		120毫安	60毫安	21.4分贝	17.5分贝	0.5分贝	3V
PTVA123501FCV1XWSA1	-	询价	4901	英飞凌科技	-	托盘	过时的	105V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-37248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001145562	EAR99	8541.29.0095	50	双重的	10微安		350W	17分贝	-
J211-D74Z	0.5000	询价	2	onsemi	-	切带 (CT)	的积极	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J211	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	-
BG3123E6327HTSA1	-	询价	5544	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BG3123	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安、20毫安	14毫安	-	25分贝	1.8分贝	5V
AFV10700HSR5	503.6126	询价	1060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	NI-780S-4L	AFV10700	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	10微安	100毫安	770W	19.2分贝	-	50V
BF2030WE6814BTSA1	-	询价	9355	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF2030	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	40毫安	10毫安	-	23分贝	1.5分贝	5V
CG2H40045P	179.5527	询价	6314	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	表面贴装	440206	CG2H40045	4GHz	HEMT	440206	下载				1697-CG2H40045P	EAR99	8541.29.0075	120		-	400毫安	45W	16分贝	-	28V
MRF140	111.4650	询价	3299	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	65V		211-11，款式2		30MHz～150MHz	场效应晶体管	211-11，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1149	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	16A	250毫安	150W	6分贝～15分贝	-	28V
PTFA211801F V4	-	询价	8246	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA211801	2.14GHz	LDMOS	H-37260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40		10微安	1.2A	35W	15.5分贝	-	28V
MRF7S19170HR3	-	询价	4939	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	1.4A	50W	17.2分贝	-	28V
MRF8S9232NR3	-	询价	3622	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	表面贴装	OM-780-2	MRF8S9232	960兆赫	场效应晶体管	OM-780-2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310851528	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道	-	1.4A	63W	18.1分贝	-	28V
A2G35S200-01SR3	139.2100	询价	129	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz～3.6GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	NI-400S-2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		宣传册3A001B3	8541.29.0075	250		-	第291章	180W	16.1分贝	-	48V
ARF463BP1G	45.0300	询价	30	微芯片	-	大部分	的积极	500V		TO-247-3	ARF463	81.36兆赫	场效应晶体管	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	9A		100W	15分贝	-	125V
2N3819	1.7800	询价	第583章	NTE电子公司	-	包	的积极	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准			2368-2N3819	EAR99	8541.21.0095	1	N沟道	-		-	-	-
PTRA093302FC-V1-R2	-	询价	7453	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	105V	安装结构	H-37248-4	PTRA093302	768兆赫	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250		10微安	400毫安	79W	17.25分贝	-	48V
LET9120	-	询价	7638	意法半导体	-	托盘	过时的	80V		M246	LET9120	860兆赫	LDMOS	M246	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		18A	400毫安	150W	18分贝	-	32V
BLF4G22LS-130,112	-	询价	6514	恩智浦	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF4	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		15A	1.15安	33W	13.5分贝	-	28V
MMRF5018HSR5	278.3694	询价	2606	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	NI-400S-2SA		1MHz～2.7GHz	-	NI-400S-2SA	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-MMRF5018HSR5TR	EAR99	8541.29.0095	50	-	-		125W	17.3分贝	-
PTFA072401ELV4R250XTMA1	-	询价	1710	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-33288-2		765兆赫	LDMOS	H-33288-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	250		-	1.8安	220W	19分贝	-	30V
BLF6G27LS-100,112	-	询价	8720	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6G27	-	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064318112	EAR99	8541.29.0095	20		29A	900毫安	14W	-	-	28V
BLC8G24LS-240AVU	-	询价	4646	恩智浦	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT1252-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934067995112	EAR99	8541.29.0075	20	双重的	-	800毫安	63W	15分贝	-	30V
MRFE6S9046GNR1	-	询价	3323	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	TO-270BB	MRFE6	960兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314093528	5A991G	8541.29.0075	500		-	300毫安	35.5W	19分贝	-	28V
BF1203,115	-	询价	5300	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应晶体管	6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	27分贝	1分贝	5V
BLF548,112	-	询价	5555	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-262A2		500兆赫	场效应晶体管	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	2 N 沟道（双）公共源	15A	160毫安	150W	11分贝	-	28V
BLF6G10LS-200R,112	-	询价	1014	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G10	-	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	20		49A	1.4A	40W	-	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²