射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BG3430RH6327XTSA1	-	询价	9448	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363		800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安	14毫安	-	25分贝	1.3分贝	5V
MRF6V12250HSR5	284.8516	询价	9126	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	100伏	安装结构	NI-780S	MRF6V12250	1.03GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935317106178	EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	275W	20.3分贝	-	50V
PD20015S-E	-	询价	9456	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD20015	2GHz	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		7A	350毫安	15W	11分贝	-	13.6V
BLF7G24L-140,112	-	询价	2605	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G24	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		28A	1.3A	30W	18.5分贝	-	28V
MRF6S19200HSR3	-	询价	7164	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRF6	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	56W	17.9分贝	-	28V
1214GN-400LV	-	询价	6732	微芯片	左室	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-KR		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	55-KR	下载			REACH 不出行	150-1214GN-400LV	EAR99	8541.29.0095	1		-	200毫安	400W	16.8分贝	-	50V
MRF8P20165WHSR3	-	询价	6590	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz～2.01GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314475128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	550毫安	37W	14.8分贝	-	28V
CLF1G0035-100PU	-	询价	4321	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	150伏	安装结构	SOT-1228A	CLF1G0035	3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	100毫安	100W	14分贝	-	50V
PTFA192001EV4R250XTMA1	-	询价	3993	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-36260-2	PTFA192001	1.99GHz	LDMOS	H-36260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		10微安	1.8安	50W	15.9分贝	-	30V
BLF188XRGJ	226.0600	询价	192	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	135V	安装结构	SOT-1248C	BLF188	108兆赫	LDMOS	CDFM4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	40毫安	1400W	24.4分贝	-	50V
MRF373ALR1	-	询价	4883	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	安装结构	NI-360	MRF37	860兆赫	LDMOS	NI-360	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	200毫安	75W	18.2分贝	-	32V
PD57018S	-	询价	4601	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57018	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		2.5A	100毫安	18W	16.5分贝	-	28V
BF904AWR,115	-	询价	4937	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF904	200兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	1分贝	5V
SD2931-15W	70.7850	询价	6725	意法半导体	*	大部分	的积极				SD2931				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25
CGH31240F	482.5000	询价	66	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	安装结构	440201	CGH31240	2.7GHz～3.1GHz	HEMT	440201	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	25		-	1A	250W	12分贝	-	28V
BLC9G20LS-470AVTZ	-	询价	第1358章	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1258-3	BLC9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	东风六号	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	400毫安	470W	15.7分贝	-	28V
MRF6V12250HR3	-	询价	1994年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	100伏	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.03GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	275W	20.3分贝	-	50V
MRF176GV	237.1000	询价	1	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	125V		375-04	MRF176	225兆赫	场效应晶体管	375-04，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1171	EAR99	8541.29.0040	10	2 N 沟道（双）公共源	16A	100毫安	200W	17分贝	-	50V
PTFA210701EV4T500XWSA1	-	询价	2247	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	H-36265-2		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000393362	EAR99	8541.29.0095	500		-	550毫安	18W	16.5分贝	-	30V
BLC8G27LS-180AVY	-	询价	7434	恩智浦半导体	-	大部分	的积极								-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
BLC9G20XS-400AVTY	-	询价	5118	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		SOT-1258-7	BLC9	1.88GHz～1.93GHz	LDMOS	SOT-1258-7	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934069732518	EAR99	8541.29.0075	100		2.8微安	800毫安	570W	16.2分贝	-	32V
CGH40045F	201.5300	询价	第387章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V		440193	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40045FE	EAR99	8541.29.0075	120		14A	400毫安	55W	14分贝	-	28V
PTFB082817FHV1XWSA1	-	询价	9138	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		821兆赫	LDMOS	H-34288-4/2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000891180	过时的	0000.00.0000	35		-	2.15安	60W	19.3分贝	-	28V
BLS9G2729LS-350U	-	询价	2243	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	65V	安装结构	SOT-502B	BLS9	2.7GHz～2.9GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4微安	400毫安	350W	14分贝	-	28V
BF1208,115	-	询价	8171	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V	表面贴装	SOT-563、SOT-666	BF120	400兆赫	场效应晶体管	SOT-666	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 沟道双感应	30毫安	19毫安	-	32分贝	1.3分贝	5V
PTFB181702FC-V1-R250	-	询价	9388	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
BLF175C	66.6600	询价	1	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	125V		SOT-123A		-	场效应晶体管	CRFM4	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-BLF175C	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	100微安	800毫安	30W	-	-	50V
AFT26HW050GSR3	-	询价	9284	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780GS	AF26	2.69GHz	LDMOS	NI-780GS-4L4L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0040	1	双重的	-	100毫安	9W	14.2分贝	-	28V
BF1109R,215	-	询价	2846	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	11伏	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安		-	20分贝	1.5分贝	9V
PTFB091802FC-V1-R250	-	询价	6395	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²