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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
ATF-501P8-BLK	-	RFQ	4335	Broadcom Limited	-	大部分	过时的	7 V		8-WFDFN暴露垫		2GHz	e-phemt	8-lpcc （2x2）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		1a	280 MA	29DBM	15DB	1dB	4.5 v
RF2L15200CB4	163.3500	RFQ	6962	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	LBB	RF2L15200	1.5GHz	ldmos	LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L15200CB4			100	-	1µA		200W	17.5db	-
MRF8P20140WGHSR3	-	RFQ	4697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8P20140	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311633128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	500 MA	24W	16dB	-	28 V
ATF-53189-TR1	-	RFQ	1669年	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		TO-243AA		900MHz	Phemt fet	SOT-89-3	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		300mA	135 MA	21.7dBm	17.2db	0.8dB	4 V
PD55008S-E	10.8779	RFQ	8557	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55008	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		4a	150 ma	8W	17dB	-	12.5 v
UF2840p	101.1974	RFQ	6314	MACOM技术解决方案	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	4L-FLG	UF2840	500MHz	MOSFET	4L-FLG	-				1465-UF2840p			1	2 n通道	1ma	500 MA	40W	10dB	-	28 V
BSS83,215	-	RFQ	3243	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BSS8	-	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50mA		-	-	-
MMRF5015NR5	-	RFQ	3457	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125 v	表面安装	TO-270AA	MMRF5	2.5GHz	hemt	OM-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318693528	Ear99	8541.29.0075	50		-	350 MA	125W	16.6dB	-	50 V
BF1208D，115	-	RFQ	7972	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	SOT-563，SOT-666	BF120	400MHz	MOSFET	SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道双门	30mA	19 ma	-	32dB	0.9dB	5 v
ARF446G	-	RFQ	1637年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	900 v		TO-247-3	ARF446	40.68MHz	MOSFET	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	6.5a		140W	15DB	-	250 v
BLF8G27LS-140,112	-	RFQ	6710	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF8	2.62GHZ〜2.69GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	1.3 a	45W	17.4db	-	32 v
MRF5S19090HSR3	-	RFQ	7876	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250		-	850 MA	18W	14.5db	-	28 V
BLF7G22LS-130,112	-	RFQ	7432	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	20		28a	950 MA	30W	18.5db	-	28 V
PTFA180701FV4FWSA1	-	RFQ	6557	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA180701	1.84GHz	ldmos	H-37265-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		10µA	550 MA	60W	16.5db	-	28 V
MW6S004NT1	15.1400	RFQ	2137	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	68 v	表面安装	PLD-1.5	MW6S004	1.96GHz	ldmos	PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		-	50 mA	4W	18db	-	28 V
STAC3932B	117.9750	RFQ	8680	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	250 v		STAC244B	STAC3932	123MHz	MOSFET	STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	20a	250 MA	580W	-	-	100 v
MWT-PH31F	25.0900	RFQ	100	微波技术公司	-	案件	积极的			死		18GHz	Phemt fet	芯片	下载		（1 （无限）		1203-MWT-PH31F			10		280mA	1 MA	30dBm	13DB	-	2 v
2SJ659-DL-E	0.5100	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
PXAC243502FV-V1-R0	172.5660	RFQ	8758	Wolfspeed，Inc。	-	条	积极的	65 v	表面安装	H-37275-4	PXAC243502	2.4GHz	ldmos	H-37275-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8542.33.0001	35		-	850 MA	68W	15DB	-	28 V
SCH1305-TL-E	0.0700	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
Blf8G09LS-400PGWJ	-	RFQ	4328	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1242C	BLF8	718.5MHz〜725.5MHz	ldmos	CDFM8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	3.4 a	95W	20.6dB	-	28 V
MCH5804-TL-E	0.1400	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BF256A	-	RFQ	6219	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF256	800MHz	JFET	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道	7ma		-	11DB	-
A3G18H500-04SR3	133.7144	RFQ	4315	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	NI-780S-4L	A3G18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	935351522128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	200 ma	107W	15.4dB	-	48 v
BF1102R，135	-	RFQ	4804	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF110	800MHz	MOSFET	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934055823135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	2DB	5 v
SD2931-15W	70.7850	RFQ	6725	Stmicroelectronics	*	大部分	积极的				SD2931				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
BF244C	-	RFQ	1213	中央半导体公司	*	大部分	过时的								-					过时的	0000.00.0000	2,500
ATF-511P8-TR1	-	RFQ	8533	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		8-WFDFN暴露垫		2GHz	e-phemt	8-lpcc （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000		1a	200 ma	30dBm	14.8db	1.4dB	4.5 v
ATF-55143-Blkg	-	RFQ	4789	Broadcom Limited	-	条	过时的	5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-55143	2GHz	e-phemt	SOT-343	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	100		100mA	10 MA	14.4dbm	17.7dB	0.6dB	2.7 v
BLM9D2327-26BZ	28.0000	RFQ	119	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	28 V	表面安装	20 QFN暴露垫	BLM9	2.3GHz〜2.7GHz	ldmos	20-PQFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		1.4µA	76 MA	44.9dbm	27dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

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