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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
2N5484_D74Z	-	RFQ	9178	Onmi	-	（TB）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5484	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	5mA		-	-	4DB	15 v
ATF-33143-Blkg	-	RFQ	4291	Broadcom Limited	-	条	过时的	5.5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-34143	2GHz	Phemt fet	SOT-343	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	100		305mA	80 ma	22DBM	15DB	0.5dB	4 V
2SK4096LS-S-MG5	1.3600	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NE25139-T1-U73	-	RFQ	6684	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	13 V		TO-253-4，TO-253AA	NE251	900MHz	MOSFET	SOT-143	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	双门	40mA	10 MA	-	20dB	1.1db	5 v
BF245B_D74Z	-	RFQ	9683	Onmi	-	（TB）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	15mA		-	-	-
MRF8S18260HSR6	147.9900	RFQ	6	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-1230S-4S4S		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	NI-1230S-4S4S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		10µA	1.6 a	74W	17.9db	-	30 V
MRF6S19120HR5	92.1300	RFQ	50	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		SOT-957A	MRF6	1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	1 a	19w	15DB	-	28 V
2SK303-3-TB-E	0.1900	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF7S21110HSR5	-	RFQ	8783	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.1 a	33W	17.3db	-	28 V
A2T27S020GNR1	24.6050	RFQ	3612	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270BA	A2T27	400MHz〜2.7GHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935331769528	Ear99	8541.29.0075	500		10µA	185 MA	20W	21dB	-	28 V
FTD2019S-TL-E	0.4700	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLF521	-	RFQ	9472	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	积极的		表面安装	SOT-172D		500MHz	n通道	CRDB4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BLF521-2156			1	n通道	1a	10 MA	2W	13DB	-
BLF175C	-	RFQ	4292	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v	底盘安装	SOT-123A		-		CRFM4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BLF175C-1603			1	n通道	100µA	800 MA	30W	-	-	50 V
MRF5S4125NBR1	-	RFQ	6139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	TO-272BB	MRF5	465MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	1.1 a	25W	23dB	-	28 V
BLF7G24LS-140,112	-	RFQ	9181	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		28a	1.3 a	30W	18.5db	-	28 V
MMBF4416A	0.3900	RFQ	75	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	35 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF4416	400MHz	JFET	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	15mA	5 ma	-	-	4DB	15 v
BLS9G2934LS-400U	213.0000	RFQ	65	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLS9	2.9GHz〜3.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		4µA	400 MA	400W	12DB	-	32 v
MRF6S21100NBR1	57.3200	RFQ	180	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		TO-272BB	MRF6	2.11GHZ〜2.16GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		-	1.05 a	23W	14.5db	-	28 V
MCH3409-TL-E	0.1100	RFQ	123	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF6VP121KHR5178	-	RFQ	7058	自由度半导体	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	NI-1230		965MHz〜1.215GHz	ldmos	NI-1230	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1	双重的	100µA	150 ma	1000W	21.4db	-	50 V
MRF13750HR5	201.2460	RFQ	3451	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	SOT-979A	MRF13750	700MHz〜1.3GHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	10µA		650W	20.6dB	-	50 V
MRF6S18060NBR1	-	RFQ	2835	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	TO-272BB	MRF6	1.99GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	600 MA	60W	15DB	-	26 V
MRFX1K80NR5	180.2400	RFQ	8532	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	OM-1230-4L	MRFX1	1.8MHz〜470MHz	ldmos	OM-1230-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-		1800W	24dB	-	65 v
BCF030T	21.8200	RFQ	1	BEREX INC	-	托盘	积极的	12 v		死		26.5GHz	mesfet	死	-	rohs3符合条件	不适用	到达受影响	4704-BCF030T	Ear99	8541.21.0040	5		120mA	60 ma	21.5dBm	11.5db	1.45dB	8 V
1011gn-125ep	-	RFQ	5957	微芯片技术	EP	大部分	积极的	125 v		模块		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	-	下载			到达不受影响	150-1011GN-125EP	Ear99	8541.29.0095	1		-	60 ma	150W	18.75db	-	50 V
NPT1004D	62.7700	RFQ	58	MACOM技术解决方案	-	管子	积极的	100 v	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NPT1004	0Hz〜4GHz	hemt	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））		1465-1413	Ear99	8541.29.0075	95		9.5A	350 MA	37DBM	13DB	-	28 V
MRF6S24140HSR5	136.5600	RFQ	47	自由度半导体	-	大部分	过时的	68 v	表面安装	NI-880S		2.39GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50		-	1.3 a	28W	15.2db	-	28 V
2SK1069-4-TL-E	1.0700	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SK1069-4-TL-E-600057			1
PXAE183708NB-V1-R2	82.1413	RFQ	3678	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE183708	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	PG-HB2SOF-8-1	下载				1697-PXAE183708NB-V1-R2TR	Ear99	8541.29.0075	250		10µA	800 MA	320W	16dB	-	28 V
BLF10M6LS160U	-	RFQ	9656	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B		922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	93406794112	过时的	0000.00.0000	20		-	1.2 a	32W	22.5dB	-	32 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²