射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLF6G10-45,135	-	询价	3586	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-608A	BLF6G10	922.5MHz～957.5MHz	LDMOS	CDFM2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	300		13A	350毫安	1W	22.5分贝	-	28V
PTFA080551E-V4-R250	49.4678	询价	9190	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	安装结构	H-36265-2	PTFA080551	960兆赫	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		10微安	600毫安	55W	18.5分贝	-	28V
MRF6VP3450HR5	230.3700	询价	第497章	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	110V	安装结构	NI-1230		470MHz～860MHz	LDMOS	NI-1230	下载	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-MRF6VP3450HR5	EAR99	8541.29.0075	1	双重、共同来源	10微安	1.4A	450W	22.5分贝	-	50V
BLF881S,112	159.0900	询价	151	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	104V	表面贴装	SOT-467B	BLF881	860兆赫	LDMOS	SOT-467B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	500毫安	140W	21分贝	-	50V
VEC2401-TL-E	0.1500	询价	第480章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLF2425M9LS30J	102.3600	询价	2611	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	SOT-1135B	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934069037118	EAR99	8541.29.0075	100		-	20毫安	30W	18.5分贝	-	32V
ARF448BG	-	询价	1071	美高森美公司	-	管子	过时的	450伏		TO-247-3	ARF448	40.68兆赫	场效应晶体管	TO-247	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	15A		140W	15分贝	-	150伏
PTFA220081MV4S500XUMA1	-	询价	9006	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			-		-	-	-	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP000838882	EAR99	8541.29.0095	500	-	-		-	-	-
BF2030E6814HTSA1	-	询价	2549	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF2030	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	40毫安	10毫安	-	23分贝	1.5分贝	5V
MRF9060NBR1	-	询价	5083	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		TO-272-2	MRF90	945兆赫	LDMOS	TO-272-2	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	450毫安	60W	18分贝	-	26V
BLF8G20LS-230VJ	-	询价	9868	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1239B	BLF8	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	1.8安	55W	18分贝	-	28V
BLC8G27LS-180AVY	-	询价	9372	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1275-3	BLC8	2.5GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT-1275-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	100	双重、共同来源	-	200毫安	28W	14分贝	-	28V
MRF5S21100HR3	-	询价	3229	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF5	2.16GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	1.05安	23W	13.5分贝	-	28V
PXFC192207NF-V1-R500	74.3158	询价	7227	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极				PXFC192207				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500
CGHV38375F	932.3300	询价	26	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏		440226		2.75GHz～3.75GHz	N化镓	440226	下载		3（168小时）		1697-CGHV38375F	宣传册3A001B3	8541.29.0095	50	-	-	500毫安	400W	12.5分贝	-	50V
PTFB210801FA-V1-R250	-	询价	8156	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	H-37265-2		2.17GHz	LDMOS	H-37265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250		-	750毫安	20W	18.5分贝	-	28V
MRF5S19090HR5	-	询价	6428	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	850毫安	18W	14.5分贝	-	28V
MRF6P27160HR5	-	询价	5452	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-1230	MRF6	2.66GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.8安	35W	14.6分贝	-	28V
PTVA084007NF-V1-R5	87.7553	询价	2267	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	HBSOF-4-2	PTVA084007	755MHz～805MHz	LDMOS	PG-HBSOF-4-2	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	500		10微安	800毫安	370W	23.6分贝	-	48V
NE3514S02-A	-	询价	1820	西尔	-	条	过时的	4V		4-SMD，写入		20GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	下载		1（无限制）	REACH 不出行	NE3514S02A	EAR99	8541.21.0075	1		70毫安	10毫安	-	10分贝	0.75分贝	2V
BB504CDS-TL-H	0.2400	询价	57	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MMRF1317HSR5	839.9756	询价	8265	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	NI-1230-4S	MMRF1317	1.03GHz	LDMOS	NI-1230-4S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	100毫安	1300W	18.2分贝	-	50V
BLF6G20LS-75,118	-	询价	4267	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G20	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	100		18A	550毫安	29.5W	19分贝	-	28V
ATF-38143-TR1G	-	询价	9918	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	4.5V		SC-82A、SOT-343	ATF-38143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343、SC70 4个引脚	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		145毫安	10毫安	12分贝	16分贝	0.4分贝	2V
AFT23H200-4S2LR6	-	询价	4139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	AF23	2.3GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311216128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的	-	500毫安	45W	15.3分贝	-	28V
BLF2425M6LS180P:11	-	询价	第1669章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT539B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934066105118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	10毫安	180W	13.3分贝	-	28V
MRFE6S9135HSR5	-	询价	2240	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	NI-880S	MRFE6	940兆赫	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1A	39W	21分贝	-	28V
PTFA070601EV4XWSA1	-	询价	7898	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	H-36265-2	PTFA070601	760兆赫	LDMOS	H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	50		-	600毫安	60W	19.5分贝	-	28V
PTFB260605ELV1R250XTMA1	-	询价	第1442章	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000800740	过时的	0000.00.0000	1
MRF18060ALR3	-	询价	5791	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF18	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	500毫安	60W	13分贝	-	26V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²