射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF9060NBR1	-	询价	5083	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		TO-272-2	MRF90	945兆赫	LDMOS	TO-272-2	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	450毫安	60W	18分贝	-	26V
BLS6G2731-120,112	262.3600	询价	6776	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	60V	安装结构	SOT-502A	BLS6	2.7GHz～3.1GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		33A	100毫安	120W	13.5分贝	-	32V
BLA9H0912LS-700U	344.1200	询价	19	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	106伏	安装结构	SOT-502B	BLA9	960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.8微安	100毫安	700W	20分贝	-	50V
A3I35D012WNR1	30.4600	询价	第396章	恩智浦半导体	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	TO-270-17 变体，薄牛皮		3.2GHz～4GHz	LDMOS（双）	TO-270WB-17	-				2156-A3I35D012WNR1			10	2 N 沟道	10微安	138毫安	1.8W	27.8分贝	-	28V
IGN1214L500B	1.0000	询价	5	Integra技术公司	-	托盘	的积极	160伏		PL95A1	IGN1214	1.2GHz～1.4GHz	HEMT	PL95A1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN1214L500B	EAR99	8541.29.0075	5		-	200毫安	650W	15分贝	-	50V
BF909WR,135	-	询价	6031	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF909	800兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934028870135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	2分贝	5V
MRF6VP11KHR5	-	询价	9462	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	NI-1230S-4 GW		130兆赫	LDMOS	NI-1230S-4海鸥	下载					EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	150毫安	1000W	26分贝	-	50V
BLF8G22LS-200V,112	-	询价	7251	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066758112	EAR99	8541.29.0075	20		-	2A	55W	19分贝	-	28V
A2I25D025GNR1	-	询价	1430	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-17变体，鸥翼型	A2I25	2.69GHz	LDMOS	TO-270WBG-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	59毫安	3.2W	31.9分贝	-	28V
J310RLRP	-	询价	5485	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	J310	100兆赫兹	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	16分贝	-	10V
BLF989SU	191.8400	询价	60	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	108V	表面贴装	SOT-539B	BLF989	400MHz～860MHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	2.8微安	1.3A	900W	20分贝	-	50V
BLP15M9S30GXY	15.9515	询价	7878	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	TO-270BA	BLP15	2GHz	LDMOS	TO-270-2G-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLP15M9S30GXYTR			100	N沟道	1.4微安	200毫安	30W	19.3分贝	-	32V
BLF8G22LS-140J	-	询价	第1345章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.11GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067454118	EAR99	8541.29.0095	100		-	900毫安	33W	18.5分贝	-	28V
BLP05H6250XRY	51.7600	询价	29	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	135V	表面贴装	SOT-1223-2	BLP05	108兆赫	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	100毫安	250W	27分贝	-	50V
PD85025-E	-	询价	7038	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD85025	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		7A	300毫安	10W	17.3分贝	-	13.6V
LET20045C	-	询价	2507	意法半导体	-	盒子	过时的	80V		M243	LET20045	2GHz	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		12A	500毫安	54W	13.3分贝	-	28V
AFT23H200-4S2LR6	-	询价	4139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	AF23	2.3GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311216128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的	-	500毫安	45W	15.3分贝	-	28V
PTFA070601EV4XWSA1	-	询价	7898	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	H-36265-2	PTFA070601	760兆赫	LDMOS	H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	50		-	600毫安	60W	19.5分贝	-	28V
BLS7G2730LS-200PU	-	询价	2646	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLS7	2.7GHz～3GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067614112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	100毫安	200W	12分贝	-	32V
PTFB260605ELV1R250XTMA1	-	询价	第1442章	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000800740	过时的	0000.00.0000	1
2N5952	-	询价	5374	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N5952	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	8毫安		-	-	2分贝	15V
BLF178XR,112	266.2400	询价	58	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V	安装结构	SOT-539A	BLF178	108兆赫	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	40毫安	1400W	28分贝	-	50V
LET9045S	-	询价	2836	意法半导体	-	管子	过时的	80V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2条直读）	LET9045	960兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		9A	300毫安	59W	17.5分贝	-	28V
MRF5S9100NR1	-	询价	9156	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	表面贴装	TO-270AB	MRF5	880兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	950毫安	20W	19.5分贝	-	26V
BLS6G3135-20,112	-	询价	7889	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	60V	安装结构	SOT-608A	BLS6	3.1GHz～3.5GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.1A	50毫安	20W	15.5分贝	-	32V
BLF6G20LS-75,118	-	询价	4267	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G20	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	100		18A	550毫安	29.5W	19分贝	-	28V
MMRF1317HSR5	839.9756	询价	8265	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	NI-1230-4S	MMRF1317	1.03GHz	LDMOS	NI-1230-4S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	100毫安	1300W	18.2分贝	-	50V
SD3931-10	70.7850	询价	6616	意法半导体	-	托盘	的积极	250伏		M174	SD3931	150兆赫	场效应晶体管	M174	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	10A	250毫安	175W	21.3分贝	-	100伏
BLF3G21-30,112	-	询价	9399	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-467C	BLF3G21	2GHz	LDMOS	SOT467C	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4.5A	450毫安	30W	13.5分贝	-	26V
MRF18060ALR3	-	询价	5791	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF18	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	500毫安	60W	13分贝	-	26V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²