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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF8P20165WHSR5	-	RFQ	9718	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	550 MA	37W	14.8db	-	28 V
MRF8HP21080HR3	-	RFQ	1925年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310794128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	150 ma	16W	14.4db	-	28 V
CGHV35120F	350.3800	RFQ	34	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v	底盘安装	440162	CGHV35120	3.1GHz〜3.5GHz	hemt	440162	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50		-	220 MA	120W	13DB	-	48 v
PTFA092213FLV5R250XTMA1	-	RFQ	5938	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		960MHz	ldmos	H-34288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000865648	过时的	0000.00.0000	250		-	1.85 a	200W	17.5db	-	30 V
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	RFQ	1987	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001128134	Ear99	8541.29.0075	250
CGHV31500F	716.4000	RFQ	7	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v		440217	CGHV31500	2.7GHz〜3.1GHz	hemt	440217	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	25		24a	500 MA	500W	13.5dB	-	50 V
BLF10H6600PU	246.2250	RFQ	2784	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	110 v	底盘安装	SOT-539A	BLF10	860MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067647112	Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
MAPG-002729-350L00	-	RFQ	1776年	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	55 v		-		2.7GHz〜2.9GHz	-	-	下载		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	10	-	10a	500 MA	400W	11.5db	-	50 V
BLF6G27-100,112	-	RFQ	7719	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G27	-	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064315112	Ear99	8541.29.0095	20		29a	900 MA	14W	-	-	28 V
BLF8G22LS-310AVU	-	RFQ	6597	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			-	BLF8	-	-	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067838112	Ear99	8542.39.0001	20	-	-		-	-	-
MPF102_D74Z	-	RFQ	4506	Onmi	-	（TB）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPF102	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	20mA		-	-	-
2N5247_J35Z	-	RFQ	9575	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5247	400MHz	JFET	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	-		-	-	4DB
MRF151G	132.3800	RFQ	16	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	125 v		375-04	MRF151	175MHz	MOSFET	375-04，样式2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1155	Ear99	8541.29.0095	10	2 n 通道（双）公共来源	40a	500 MA	300W	16dB	-	50 V
ARF469AG	70.8500	RFQ	6963	微芯片技术	-	管子	积极的	500 v	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ARF469	45MHz	MOSFET	TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	30a	250 µA	350W	16dB	-	150 v
MRF6S21060NR1	-	RFQ	1476	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	2.12GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	610 MA	14W	15.5db	-	28 V
BLF6G10LS-135R，118	-	RFQ	1300	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G10	871.5MHz〜891.5MHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100		32a	950 MA	26.5W	21dB	-	28 V
RF5L1214750CB4	217.8000	RFQ	5820	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	D4E	RF5L1214750	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L1214750CB4			100	-	10µA	400 MA	750W	15DB	-	50 V
CPH6312-TL-E	1.0000	RFQ	3126	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2SK3072-TB-E	0.2400	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PTFB210801FA-V1-R0	-	RFQ	5523	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v	表面安装	H-37265-2		2.17GHz	ldmos	H-37265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-	750 MA	20W	18.5db	-	28 V
A3T18H360W23SR6	83.7375	RFQ	1649年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.8GHz〜1.88GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935346354128	Ear99	8541.29.0075	150		10µA	700 MA	63W	16.6dB	-	28 V
MRF8HP21130HR5	71.7100	RFQ	32	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v	底盘安装	NI-780-4		2.17GHz	ldmos	NI-780-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	360 MA	28W	14dB	-	28 V
3LN01SP-AC	0.0500	RFQ	92	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
PD57070S-E	-	RFQ	6872	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	65 v		Powerso-10裸露的底部垫	PD57070	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		7a	250 MA	70W	14.7dB	-	28 V
MRF6V2150NBR5	-	RFQ	8123	自由度半导体	-	大部分	积极的	110 v		TO-272BB	MRF6	220MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	450 MA	150W	25DB	-	50 V
LET9060TR	-	RFQ	7866	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	80 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	LET9060	960MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	600		12a	300 MA	60W	17.2db	-	28 V
art1k6fhsu	209.3200	RFQ	53	Ampleon USA Inc.	艺术	托盘	积极的	177 v	表面安装	SOT-539亿		1MHz〜425MHz	ldmos	SOT539亿	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	1.2µA	600 MA	1600W	28DB	-	65 v
BF1102R，115	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF110	800MHz	MOSFET	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	2DB	5 v
PTFA212001F/1 P4	-	RFQ	2032	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA212001	2.14GHz	ldmos	H-37260-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	1.6 a	50W	15.8db	-	30 V
MRF5P21180HR6	-	RFQ	3934	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230	MRF5	2.16GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	150		-	1.6 a	38W	14dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²