射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLF245,112	-	询价	8812	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-123A		175兆赫	场效应晶体管	CRFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	6A	50毫安	30W	15.5分贝	2分贝	28V
MRF8S9202NR3	-	询价	1218	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	表面贴装	OM-780-2	MRF8	920兆赫	LDMOS	OM-780-2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310535528	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.3A	58W	19分贝	-	28V
BB504CDS-TL-H	0.2400	询价	57	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
ATF-38143-TR1G	-	询价	9918	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	4.5V		SC-82A、SOT-343	ATF-38143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343、SC70 4个引脚	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		145毫安	10毫安	12分贝	16分贝	0.4分贝	2V
MRF6V12500HR5	623.6300	询价	205	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	110V	安装结构	SOT-957A	MRF6V12500	1.03GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	200毫安	500W	19.7分贝	-	50V
MRF377HR5	-	询价	7124	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-860C3	MRF37	860兆赫	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	50		-	2A	45W	18.2分贝	-	32V
MRFE6VP8600HR5	311.0600	询价	640	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	130伏	安装结构	NI-1230		470MHz～860MHz	LDMOS	NI-1230	下载	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-MRFE6VP8600HR5	EAR99	8541.29.0075	1	双重、共同来源	20微安	1.4A	600W	19.3分贝	-	50V
MMRF1015NR1	20.9500	询价	第355章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V	表面贴装	TO-270-2	MMRF1015	960兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	125毫安	10W	18分贝	-	28V
PTFA210701FV4FWSA1	-	询价	2391	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA210701	2.14GHz	LDMOS	H-37265-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		10微安	550毫安	18W	16.5分贝	-	30V
SD4931	74.0316	询价	6897	意法半导体	-	托盘	的积极	200V		M174	SD4931	175兆赫	场效应晶体管	M174	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-10701	EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	20A	250毫安	150W	14.8分贝	-	50V
2N5952_J35Z	-	询价	2316	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5952	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	8毫安		-	-	2分贝	15V
A2T26H160-24SR3	-	询价	5230	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4L2L	A2T26	2.58GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935315428128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	350毫安	28W	15.5分贝	-	28V
MRF5S9080NBR1,528	51.1200	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.29.0075	1
MRF7S35015HSR3	-	询价	5286	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz～3.5GHz	LDMOS	NI-400S-2S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	50毫安	15W	16分贝	-	32V
ATF-55143-TR1	-	询价	8304	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		SC-82A、SOT-343	ATF-55143	2GHz	pHEMT	SOT-343	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		100毫安	10毫安	14.4dBm	17.7分贝	0.6分贝	2.7V
BLC10G27LS-320AVTZ	85.9900	询价	58	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT1258-1	BLC10	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT1258-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.8微安	400毫安	320W	16分贝	-	28V
BF996S,215	-	询价	3614	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	20V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF996	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	25分贝	1分贝	15V
A2I08H040NR1	-	询价	5353	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-15 变体，薄牛皮	A2I08	920兆赫	LDMOS	TO-270WB-15	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	25毫安	9W	30.7分贝	-	28V
BF904R,215	-	询价	2384	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SOT-143R	BF904	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	1分贝	5V
BLF8G10LS-270V,118	-	询价	7404	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066761118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2A	67W	19.5分贝	-	28V
AFT18HW355SR5	-	询价	2769	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230S	AFFT18	1.88GHz	LDMOS	NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320115178	5A991G	8541.29.0040	50	双重的	-	1.1安	63W	15.2分贝	-	28V
MMBF4416A	0.3900	询价	75	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	35V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF4416	400兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	N沟道	15毫安	5毫安	-	-	4分贝	15V
MRF7S24250NR3	139.4500	询价	144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	LDMOS	OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	256W	14.7分贝	-	30V
LET9070FB	-	询价	3593	意法半导体	-	托盘	过时的	80V		M250	LET9070	945兆赫	LDMOS	M250	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		1微安	400毫安	70W	16分贝	-	28V
MRF7S19170HR5	-	询价	4331	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	1.4A	50W	17.2分贝	-	28V
ARF466FL	148.7910	询价	6881	微芯片	-	大部分	的积极	1000伏		-	ARF466	40.68兆赫	场效应晶体管	T3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	13A		150W	16分贝	-	150伏
MHT1803A	18.9000	询价	7515	恩智浦	*	托盘	的积极				MHT1803				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240
BLF8G20LS-400PGVJ	-	询价	6144	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1242C	BLF8	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	3.4A	95W	19分贝	-	28V
MMRF1007HR5	-	询价	3045	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		NI-1230-4H	MMRF1	1.03GHz	LDMOS	NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311569178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	150毫安	1000W	20分贝	-	50V
3LN01SP-AC	0.0500	询价	92	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²