SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDJ1028N onsemi FDJ1028N -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-75-6 FLMP FDJ1028 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC75-6 FLMP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.2a 90MOHM @ 3.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V 逻辑级别门
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB900 MOSFET （金属 o化物） 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.5a 225mohm @ 1.6A，4.5V 1V @ 250µA 1.7NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDMA1028NZ Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ 0.4600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1028 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 Ear99 8541.29.0095 654 2 n 通道（双） 20V 3.7a 68mohm @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V 逻辑级别门
FDG6332C onsemi FDG6332C 0.5000
RFQ
 ECAD 2054 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA，600mA 300MOHM @ 700mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 113pf @ 10V 逻辑级别门
AON6932 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6932 -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON693 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，36a 5mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1 -
RFQ
 ECAD 7641 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF8MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2bm-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 15 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 150a（TJ） 7.5mohm @ 150a，15v（typ（typ）） 5.55V @ 60mA 372NC @ 15V 11000pf @ 800V -
SSFP4806 Good-Ark Semiconductor SSFP4806 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 46W（TC） 8-ppak（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 40V 30A（TC） 9MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 24nc @ 4.5V 2200pf @ 25V 标准
SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6966EDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6966 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V - 30mohm @ 5.2A，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 25nc @ 4.5V - 逻辑级别门
NTLUD3A260PZTBG onsemi NTLUD3A260PZTBG -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 ntlud3 MOSFET （金属 o化物） 500MW 6-udfn（1.6x1.6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.3a 200mohm @ 2A，4.5V 1V @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 300pf @ 10V 逻辑级别门
IRF8915 Infineon Technologies IRF8915 -
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF8915 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a，10v 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 逻辑级别门
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7 0.0756
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN67 MOSFET （金属 o化物） 320MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 230mA 5ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.82NC @ 10V 22pf @ 25V -
NTMD5838NLR2G onsemi NTMD5838NLR2G -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD5838 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7.4a 25mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 17NC @ 10V 785pf @ 20V 逻辑级别门
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL308CL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL308 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 2.3a，2a 80mohm @ 2a，10v 2V @ 11µA 500NC @ 10V 275pf @ 15V 逻辑级别门
2N7002DW L6327 Infineon Technologies 2N7002DW L6327 -
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5933 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.7a 144mohm @ 2.5a，4.5V 1V @ 250µA 6.8NC @ 5V 276pf @ 10V -
FD6M016N03 onsemi FD6M016N03 -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Onmi Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M016 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 30V 80a 1.6mohm @ 40a，10v 3V @ 250µA 295nc @ 10V 11535pf @ 15V -
SIL2623-TP Micro Commercial Co SIL2623-TP -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL2623 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 240pf @ 25V -
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU（TE85L，F） 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6L35 MOSFET （金属 o化物） 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 180mA，100mA 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 9.5pf @ 3V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7949DP-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7949 MOSFET （金属 o化物） 1.5W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 3.2a 64mohm @ 5A，10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V - 逻辑级别门
FDS6990S Fairchild Semiconductor FDS6990S 0.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6990 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5A（ta） 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 1mA 16nc @ 5V 1233pf @ 15V -
AO4884L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4884L_001 -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO488 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 40V 10a 13mohm @ 10a，10v 2.7V @ 250µA 33nc @ 10V 1950pf @ 20V 逻辑级别门
NXH010P120MNF1PTNG onsemi NXH010P120MNF1PTNG 192.7200
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 250W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P120MNF1PTNG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 114a（TC） 14mohm @ 100a，20v 4.3V @ 40mA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
AO4813 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4813 0.8700
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7.1a 25mohm @ 7.1a，10v 2.5V @ 250µA 19nc @ 10V 1250pf @ 15V 逻辑级别门
SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB46EP-T1_GE3 1.2200
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB46 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 3,000 2 n通道 40V 30A（TC） 8mohm @ 8a，10v 3.3V @ 250µA 32NC @ 10V 1800pf @ 25V -
NDC7002N onsemi NDC7002N 0.5600
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NDC7002 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 510mA 2ohm @ 510mA，10v 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3Tr 0.6200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6M3 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a 230MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 1.6NC @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
DMN4026SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4026SSDQ-13 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4026 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7a 24mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 19.1nc @ 10V 1060pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA921 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 59mohm @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
FDS8958 onsemi FDS8958 -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭