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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UP04878G0L | - | ![]() | 9278 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | UP04878 | MOSFET (金属 o化物) | 125MW | ssmini6-f2 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 100mA | 12ohm @ 10mA,4V | 1.5V @ 1µA | - | 12pf @ 3V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | TMC1320-LA | - | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Trinamic Motion Control GmbH | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TMC1320 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 8-pqfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道,普通排水 | 30V | 7.3a,5.3a | 30mohm @ 4A,10V | 3V @ 250µA | 7.2nc @ 4.5V | 400pf @ 25V | - | |||
![]() | CJ3139KDW-G | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CJ3139 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 660ma(ta) | 520MOHM @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | - | 170pf @ 16V | - | ||
![]() | ALD212900PAL | 6.6000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212900 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1212 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | 14OHM | 20mv @ 20µA | - | 30pf @ 5V | 逻辑级别门 | |
SP8K3TB | - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K3 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 7a | 24mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 11.8nc @ 5V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
![]() | RJK0216DPA-00#j53 | 1.1800 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN | RJK0216 | MOSFET (金属 o化物) | 10W,20W | 8-DFN(5x6) | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 n 通道(半桥) | 25V | 15a,32a | 9.2MOHM @ 7.5A,10V | - | 6.2nc @ 4.5V | 1130pf @ 10V | 逻辑级别门,4.5V驱动器 | ||
EFC4K110NUZTDG | 2.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | EFC4K110 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 10-wlcsp (3.2x2.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 24V | 25a | - | - | 49nc @ 4.5V | - | - | |||
![]() | ZXMN10A08DN8TC | - | ![]() | 7217 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMN10 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 100V | 1.6a | 250MOHM @ 3.2A,10V | 2V @ 250µA() | 7.7nc @ 10V | 405pf @ 50V | 逻辑级别门 | |||
![]() | SIA912DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA912 | MOSFET (金属 o化物) | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 12V | 4.5a | 40mohm @ 4.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 6V | 逻辑级别门 | ||
![]() | 2SK2415-az | - | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK2415 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | PMT560ENEA,115 | - | ![]() | 8641 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMT560 | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
DMN32D2LV-7 | - | ![]() | 1997 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | DMN32 | MOSFET (金属 o化物) | 400MW | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 400mA | 1.2OHM @ 100mA,4V | 1.2V @ 250µA | - | 39pf @ 3V | 逻辑级别门 | |||
![]() | FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | 3.0000 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Infineon技术 | HybridPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS03MR12 | (SIC) | 20mw | Ag-Hybridd-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 6 n通道(3相桥) | 1200V(1.2kV) | 400a | 3.7MOHM @ 400A,15V | 5.55V @ 240mA | 1320nc @ 15V | 42500pf @ 600V | - | ||
![]() | FX30KMJ-3 #B00 | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FX30 KMJ | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | DMC6022SSD-13 | 0.9500 | ![]() | 970 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMC6022 | MOSFET (金属 o化物) | 1.5W(TA) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 60V | 6a(6a),5a ta(5a ta) | 29mohm @ 5a,10v,50mohm @ 5a,10v | 3V @ 250µA | 32nc @ 10v,30.6nc @ 10V | 2110pf @ 30v,1525pf @ 30V | - | |||
![]() | BSS84DW-7-F-50 | 0.0896 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BSS84 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | (1 (无限) | 31-BSS84DW-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 50V | 130mA(ta) | 10ohm @ 100mA,5V | 2V @ 1mA | - | 45pf @ 25V | 标准 | |||
SH8M31GZETB | 1.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M31 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 60V | 4.5A(ta) | 65MOHM @ 4.5A,10V,70MOHM @ 4.5A,10V | 3V @ 1mA | 7NC @ 5V,40NC @ 10V | 500pf @ 10V,2500pf @ 10V | - | |||
![]() | AOC3870 | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | AOC387 | MOSFET (金属 o化物) | 2.2W(ta) | 10-Alphadfn(3.01x1.52) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 12V | 25A(TA) | 2.8mohm @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | ||
![]() | DMHC3025LSDQ-13 | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMHC3025 | MOSFET (金属 o化物) | 1.5W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2n和2p通道(半桥) | 30V | 6a,4.2a | 25mohm @ 5A,10V | 2V @ 250µA | 11.7nc @ 10V | 590pf @ 15V | - | ||
![]() | FDY3000NZ | 0.4200 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | FDY3000 | MOSFET (金属 o化物) | 446MW | SOT-563F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 600mA | 700MOHM @ 600mA,4.5V | 1.3V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 60pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
![]() | SI5936DU-T1-GE3 | 0.6700 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®CHIPFET™双重 | SI5936 | MOSFET (金属 o化物) | 10.4W | PowerPak®Chipfet双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6a | 30mohm @ 5a,10v | 2.2V @ 250µA | 11NC @ 10V | 320pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
![]() | STS8DNH3LL | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | sts8dn | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 8a | 22mohm @ 4a,10v | 1V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 857pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMN6040SSD-13 | 0.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMN6040 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 5a | 40mohm @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 22.4NC @ 10V | 1287pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
SP8J1FU6TB | - | ![]() | 7343 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8J1 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 5a | 42MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 16nc @ 5V | 1400pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
![]() | ALD114904PAL | 5.8118 | ![]() | 4355 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD114904 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1063 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |
![]() | FDS6875 | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS68 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW | 8-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 6a | 30mohm @ 6a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 31nc @ 5V | 2250pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | BSL308CH6327XTSA1 | 0.7500 | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 2.3a,2a | 57MOHM @ 2.3a,10V | 2V @ 11µA | 1.5NC @ 10V | 275pf @ 15V | 逻辑级别门,4.5V驱动器 | ||
![]() | ZXMC6A09DN8TA | 1.9800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMC6A09 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n和p通道 | 60V | 3.9a,3.7a | 45mohm @ 8.2a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 24.2nc @ 10V | 1407pf @ 40V | 逻辑级别门 | ||
![]() | SI5975DC-T1-E3 | - | ![]() | 9278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5975 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 3.1a | 86mohm @ 3.1a,4.5V | 450mv @ 1ma (最小) | 9NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMN10H220LDV-13 | 0.1612 | ![]() | 5753 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W(TA),40W(TC) | PowerDI3333-8(UXC) | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN10H220LDV-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 10.5A(TC) | 222MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 6.7nc @ 10V | 366pf @ 50V | - |
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