SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet
UP04878G0L Panasonic Electronic Components UP04878G0L -
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ECAD 9278 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 UP04878 MOSFET (金属 o化物) 125MW ssmini6-f2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道(双) 50V 100mA 12ohm @ 10mA,4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
TMC1320-LA Trinamic Motion Control GmbH TMC1320-LA -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Trinamic Motion Control GmbH - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TMC1320 MOSFET (金属 o化物) 2.5W 8-pqfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道,普通排水 30V 7.3a,5.3a 30mohm @ 4A,10V 3V @ 250µA 7.2nc @ 4.5V 400pf @ 25V -
CJ3139KDW-G Comchip Technology CJ3139KDW-G 0.4200
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ECAD 2 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 CJ3139 MOSFET (金属 o化物) 150MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 660ma(ta) 520MOHM @ 1A,4.5V 1.1V @ 250µA - 170pf @ 16V -
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL 6.6000
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ECAD 7 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®,零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) ALD212900 MOSFET (金属 o化物) 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1014-1212 Ear99 8541.21.0095 50 2(n n 通道(双) 10.6V 80mA 14OHM 20mv @ 20µA - 30pf @ 5V 逻辑级别门
SP8K3TB Rohm Semiconductor SP8K3TB -
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ECAD 4980 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SP8K3 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 7a 24mohm @ 7a,10v 2.5V @ 1mA 11.8nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
RJK0216DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0216DPA-00#j53 1.1800
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ECAD 72 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN RJK0216 MOSFET (金属 o化物) 10W,20W 8-DFN(5x6) - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 2 n 通道(半桥) 25V 15a,32a 9.2MOHM @ 7.5A,10V - 6.2nc @ 4.5V 1130pf @ 10V 逻辑级别门,4.5V驱动器
EFC4K110NUZTDG onsemi EFC4K110NUZTDG 2.0200
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ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 10-SMD,没有铅 EFC4K110 MOSFET (金属 o化物) 2.5W 10-wlcsp (3.2x2.1) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双)公共排水 24V 25a - - 49nc @ 4.5V - -
ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC -
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ECAD 7217 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXMN10 MOSFET (金属 o化物) 1.25W 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 100V 1.6a 250MOHM @ 3.2A,10V 2V @ 250µA() 7.7nc @ 10V 405pf @ 50V 逻辑级别门
SIA912DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 -
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ECAD 9611 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA912 MOSFET (金属 o化物) 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 12V 4.5a 40mohm @ 4.2A,4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 6V 逻辑级别门
2SK2415-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2415-az -
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ECAD 9103 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK2415 - - 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
PMT560ENEA,115 NXP USA Inc. PMT560ENEA,115 -
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ECAD 8641 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMT560 - 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated DMN32D2LV-7 -
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ECAD 1997 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 DMN32 MOSFET (金属 o化物) 400MW SOT-563 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 400mA 1.2OHM @ 100mA,4V 1.2V @ 250µA - 39pf @ 3V 逻辑级别门
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LBBPSA1 3.0000
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ECAD 5938 0.00000000 Infineon技术 HybridPack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FS03MR12 (SIC) 20mw Ag-Hybridd-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 6 n通道(3相桥) 1200V(1.2kV) 400a 3.7MOHM @ 400A,15V 5.55V @ 240mA 1320nc @ 15V 42500pf @ 600V -
FX30KMJ-3#B00 Renesas Electronics America Inc FX30KMJ-3 #B00 2.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FX30 KMJ - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMC6022SSD-13 Diodes Incorporated DMC6022SSD-13 0.9500
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ECAD 970 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMC6022 MOSFET (金属 o化物) 1.5W(TA) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 6a(6a),5a ta(5a ta) 29mohm @ 5a,10v,50mohm @ 5a,10v 3V @ 250µA 32nc @ 10v,30.6nc @ 10V 2110pf @ 30v,1525pf @ 30V -
BSS84DW-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-F-50 0.0896
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ECAD 2965 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BSS84 MOSFET (金属 o化物) 300MW(TA) SOT-363 下载 (1 (无限) 31-BSS84DW-7-F-50 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 50V 130mA(ta) 10ohm @ 100mA,5V 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 标准
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor SH8M31GZETB 1.9400
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ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SH8M31 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A(ta) 65MOHM @ 4.5A,10V,70MOHM @ 4.5A,10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V,40NC @ 10V 500pf @ 10V,2500pf @ 10V -
AOC3870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870 -
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ECAD 4591 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-SMD,没有铅 AOC387 MOSFET (金属 o化物) 2.2W(ta) 10-Alphadfn(3.01x1.52) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道(双)公共排水 12V 25A(TA) 2.8mohm @ 5A,4.5V 1.1V @ 250µA 32nc @ 4.5V - -
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMHC3025 MOSFET (金属 o化物) 1.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道(半桥) 30V 6a,4.2a 25mohm @ 5A,10V 2V @ 250µA 11.7nc @ 10V 590pf @ 15V -
FDY3000NZ onsemi FDY3000NZ 0.4200
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 FDY3000 MOSFET (金属 o化物) 446MW SOT-563F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 600mA 700MOHM @ 600mA,4.5V 1.3V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V 逻辑级别门
SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5936DU-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5936 MOSFET (金属 o化物) 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 6a 30mohm @ 5a,10v 2.2V @ 250µA 11NC @ 10V 320pf @ 15V 逻辑级别门
STS8DNH3LL STMicroelectronics STS8DNH3LL -
RFQ
ECAD 1025 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) sts8dn MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 8a 22mohm @ 4a,10v 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 857pf @ 25V 逻辑级别门
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD-13 0.5800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMN6040 MOSFET (金属 o化物) 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 60V 5a 40mohm @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 22.4NC @ 10V 1287pf @ 25V 逻辑级别门
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor SP8J1FU6TB -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SP8J1 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 30V 5a 42MOHM @ 5A,10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904PAL 5.8118
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) ALD114904 MOSFET (金属 o化物) 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1014-1063 Ear99 8541.21.0095 50 2(n n 通道(双) 10.6V 12mA,3mA 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
RFQ
ECAD 4871 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS68 MOSFET (金属 o化物) 900MW 8-SOIC 下载 0000.00.0000 1 2(p 通道(双) 20V 6a 30mohm @ 6a,4.5V 1.5V @ 250µA 31nc @ 5V 2250pf @ 10V 逻辑级别门
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL308CH6327XTSA1 0.7500
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 BSL308 MOSFET (金属 o化物) 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 2.3a,2a 57MOHM @ 2.3a,10V 2V @ 11µA 1.5NC @ 10V 275pf @ 15V 逻辑级别门,4.5V驱动器
ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8TA 1.9800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXMC6A09 MOSFET (金属 o化物) 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道 60V 3.9a,3.7a 45mohm @ 8.2a,10v 1V @ 250µA(250µA) 24.2nc @ 10V 1407pf @ 40V 逻辑级别门
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5975 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a,4.5V 450mv @ 1ma (最小) 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn DMN10 MOSFET (金属 o化物) 1.8W(TA),40W(TC) PowerDI3333-8(UXC) 下载 到达不受影响 31-DMN10H220LDV-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 100V 10.5A(TC) 222MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 250µA 6.7nc @ 10V 366pf @ 50V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库