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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
UP04878G0L Panasonic Electronic Components UP04878G0L -
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 UP04878 MOSFET （金属 o化物） 125MW ssmini6-f2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 50V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
TMC1320-LA Trinamic Motion Control GmbH TMC1320-LA -
RFQ
 ECAD 8926 0.00000000 Trinamic Motion Control GmbH - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TMC1320 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-pqfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 30V 7.3a，5.3a 30mohm @ 4A，10V 3V @ 250µA 7.2nc @ 4.5V 400pf @ 25V -
CJ3139KDW-G Comchip Technology CJ3139KDW-G 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 CJ3139 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 660ma（ta） 520MOHM @ 1A，4.5V 1.1V @ 250µA - 170pf @ 16V -
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL 6.6000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD212900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1212 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA 14OHM 20mv @ 20µA - 30pf @ 5V 逻辑级别门
SP8K3TB Rohm Semiconductor SP8K3TB -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K3 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7a 24mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.8nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
RJK0216DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0216DPA-00＃j53 1.1800
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 ECAD 72 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-WFDFN RJK0216 MOSFET （金属 o化物） 10W，20W 8-DFN（5x6） - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 2 n 通道（半桥） 25V 15a，32a 9.2MOHM @ 7.5A，10V - 6.2nc @ 4.5V 1130pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
EFC4K110NUZTDG onsemi EFC4K110NUZTDG 2.0200
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 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 10-SMD，没有铅 EFC4K110 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 10-wlcsp （3.2x2.1） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 24V 25a - - 49nc @ 4.5V - -
ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC -
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 ECAD 7217 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN10 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 1.6a 250MOHM @ 3.2A，10V 2V @ 250µA（） 7.7nc @ 10V 405pf @ 50V 逻辑级别门
SIA912DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 -
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 ECAD 9611 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA912 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 12V 4.5a 40mohm @ 4.2A，4.5V 1V @ 250µA 11.5nc @ 8v 400pf @ 6V 逻辑级别门
2SK2415-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2415-az -
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 ECAD 9103 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK2415 - - 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
PMT560ENEA,115 NXP USA Inc. PMT560ENEA，115 -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMT560 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated DMN32D2LV-7 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN32 MOSFET （金属 o化物） 400MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 400mA 1.2OHM @ 100mA，4V 1.2V @ 250µA - 39pf @ 3V 逻辑级别门
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LBBPSA1 3.0000
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 ECAD 5938 0.00000000 Infineon技术 HybridPack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FS03MR12 （SIC） 20mw Ag-Hybridd-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 400a 3.7MOHM @ 400A，15V 5.55V @ 240mA 1320nc @ 15V 42500pf @ 600V -
FX30KMJ-3#B00 Renesas Electronics America Inc FX30KMJ-3 ＃B00 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FX30 KMJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMC6022SSD-13 Diodes Incorporated DMC6022SSD-13 0.9500
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC6022 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 6a（6a），5a ta（5a ta） 29mohm @ 5a，10v，50mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 32nc @ 10v，30.6nc @ 10V 2110pf @ 30v，1525pf @ 30V -
BSS84DW-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-F-50 0.0896
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 31-BSS84DW-7-F-50 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 130mA（ta） 10ohm @ 100mA，5V 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 标准
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor SH8M31GZETB 1.9400
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M31 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5A（ta） 65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 1mA 7NC @ 5V，40NC @ 10V 500pf @ 10V，2500pf @ 10V -
AOC3870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870 -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOC387 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（ta） 10-Alphadfn（3.01x1.52） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 25A（TA） 2.8mohm @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 32nc @ 4.5V - -
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 30V 6a，4.2a 25mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 11.7nc @ 10V 590pf @ 15V -
FDY3000NZ onsemi FDY3000NZ 0.4200
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FDY3000 MOSFET （金属 o化物） 446MW SOT-563F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 600mA 700MOHM @ 600mA，4.5V 1.3V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V 逻辑级别门
SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5936DU-T1-GE3 0.6700
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5936 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 11NC @ 10V 320pf @ 15V 逻辑级别门
STS8DNH3LL STMicroelectronics STS8DNH3LL -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） sts8dn MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 4a，10v 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 857pf @ 25V 逻辑级别门
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD-13 0.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN6040 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5a 40mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 22.4NC @ 10V 1287pf @ 25V 逻辑级别门
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor SP8J1FU6TB -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904PAL 5.8118
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1063 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 0000.00.0000 1 2（p 通道（双） 20V 6a 30mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 31nc @ 5V 2250pf @ 10V 逻辑级别门
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL308CH6327XTSA1 0.7500
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL308 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 2.3a，2a 57MOHM @ 2.3a，10V 2V @ 11µA 1.5NC @ 10V 275pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8TA 1.9800
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC6A09 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道 60V 3.9a，3.7a 45mohm @ 8.2a，10v 1V @ 250µA（250µA） 24.2nc @ 10V 1407pf @ 40V 逻辑级别门
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5975 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a，4.5V 450mv @ 1ma （最小） 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMN10 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA），40W（TC） PowerDI3333-8（UXC） 下载 到达不受影响 31-DMN10H220LDV-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 10.5A（TC） 222MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA 6.7nc @ 10V 366pf @ 50V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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