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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6955ADQ-T1-E3 | - |  | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6955 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.5a | 80MOHM @ 2.9a，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 8NC @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI4936BDY-T1-E3 | 0.9500 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4936 | MOSFET （金属 o化物） | 2.8W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 530pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | SQJ262EP-T1_GE3 | 1.3600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ262 | MOSFET （金属 o化物） | 27W（TC），48W（tc） | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 15A（TC），40A （TC） | 35.5MOHM @ 2A，10V，15.5MOHM @ 5A，10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 10V，23nc @ 10V | 550pf @ 25V，1260pf @ 25V | - | |||
 | MAX8555ETB+t | 1.1600 | | 2 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 大部分 | 积极的 | Max8555 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | ||||||||||||||
 | SLA5075 | - | | 6497 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 通过洞 | 15 sip裸露的选项卡，形成铅 | Sla50 | MOSFET （金属 o化物） | 5W | 15-zip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | SLA5075 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 6 n通道（3相桥） | 500V | 5a | 1.4OHM @ 2.5A，10V | 4V @ 1mA | - | 770pf @ 10V | - | ||
 | SP8J65TB1 | - | | 6043 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8J65 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 7a | 29mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 1mA | 18NC @ 5V | 1200pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| SI4501ADY-T1-GE3 | - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4501 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道，普通排水 | 30V，8V | 6.3a，4.1a | 18mohm @ 8.8a，10v | 1.8V @ 250µA | 20nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | HAT2218R-EL-E | 0.7700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HAT2218 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 7.5a，8a | 24mohm @ 3.75a，10v | - | 4.6NC @ 4.5V | 630pf @ 10V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||||
 | BSS84DW-7-F | 0.3600 | | 112 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS84 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 50V | 130mA | 10ohm @ 100mA，5V | 2V @ 1mA | - | 45pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | IXTL2X240N055T | - | | 1403 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | IXTL2X240 | MOSFET （金属 o化物） | 150W | isoplusi5-pak™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 n 通道（双） | 55V | 140a | 4.4mohm @ 50a，10v | 4V @ 250µA | 170NC @ 10V | 7600pf @ 25V | - | |||
 | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS903 | MOSFET （金属 o化物） | 2.6W（23w），23W（tc） | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 6A（TC） | 20.1MOHM @ 5A，4.5V | 1V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||
 | AO8803 | - | | 5783 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO880 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | - | 18mohm @ 7a，4.5V | 1V @ 250µA | 44NC @ 4.5V | 4750pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
 | mp6k12tcr | - | | 9271 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | MP6K12 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 5a | 42MOHM @ 5A，10V | 2.5V @ 1mA | 4NC @ 5V | 250pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | PJT7828_R1_00001 | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PJT7828 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 300mA（TA） | 1.2OHM @ 300mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.9NC @ 4.5V | 45pf @ 10V | - | ||
 | DMN5L06DMKQ-7 | 0.1808 | | 7100 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW | SOT-26 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 305mA | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | SH8JE5TB1 | 2.4200 | | 6852 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8JE5 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | （1 （无限） | 2,500 | 2个p通道 | 100V | 4.5A（ta） | 9.1MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 52NC @ 10V | 2100pf @ 50V | 标准 | ||||||
| AO8822 | 0.3679 | | 6273 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO882 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7a | 18mohm @ 7a，10v | 1V @ 250µA | 18NC @ 10V | 780pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SIZ730DT-T1-GE3 | 0.8300 | | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-PowerPair™ | SIZ730 | MOSFET （金属 o化物） | 27W，48W | 6-PowerPair™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 16a，35a | 9.3mohm @ 15a，10v | 2.2V @ 250µA | 24NC @ 10V | 830pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | tpc8212-h（TE12LQ，m | - | | 9667 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） | TPC8212 | MOSFET （金属 o化物） | 450MW | 8-SOP（5.5x6.0） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a | 21mohm @ 3a，10v | 2.3V @ 1mA | 16NC @ 10V | 840pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| AON2880 | - | | 9967 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | AON288 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-DFN-EP（2x2） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7a | 21.5MOHM @ 5A，4.5V | 1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | DMC3060LVT-7 | 0.4700 | | 6089 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMC3060 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW | TSOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 3.6a（ta），2.8a ta（2.8a） | 60mohm @ 3.1a，10v，95mohm @ 2.7a，10v | 1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA | 11.3nc @ 10V | 395pf @ 15V，324pf @ 15V | - | ||
| APTM20AM10STG | 173.0800 | | 2433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A，10V | 5V @ 5mA | 224nc @ 10V | 13700pf @ 25V | - | ||
 | SIA920DJ-T1-GE3 | - | | 4311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA920 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 8V | 4.5a | 27mohm @ 5.3a，4.5V | 700MV @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | 470pf @ 4V | 逻辑级别门 | |||
| NTMD6P02R2 | - | | 7688 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | NTMD6P | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||
 | IRF7105TRPBF | 0.9000 | | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF71 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 25V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 1A，10V | 3V @ 250µA | 27nc @ 10V | 330pf @ 15V | - | ||
 | STS5DNF60L | 1.5800 | | 3647 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车，AEC-Q101，StripFet™II | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | STS5DNF60 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 5a | 45mohm @ 2a，10v | 2.5V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 1030pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | LN60A01ES-LF | - | | 8672 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 管子 | 积极的 | -20°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LN60A | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 3 n通道，公共门 | 600V | 80mA | 190ohm @ 10mA，10v | 1.2V @ 250µA | - | - | - | ||
 | CSD85302L | 0.6300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-xflga | CSD85302 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | 4-picostar（1.31x1.31） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | - | 7.8NC @ 4.5V | - | - | ||
 | FDMC8200 | 1.2400 | | 5 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | FDMC82 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW，1W | 8-Power33（3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a，8.5a | 20mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 10V | 660pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | MSCSM120AM16CT1AG | 222.4600 | | 9341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 745W（TC） | sp1f | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM16CT1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 173a（TC） | 16mohm @ 80a，20v | 2.8V @ 2mA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - |
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