RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
tps28226drbr	0.7230	RFQ	8983	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPS28226	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜8.8V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	10n，10n	33 V
2DM180506CM	118.0200	RFQ	96	塔穆拉	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TA）	通过洞	34浸模块，31条线索	2DM180506	-	未行业行业经验证	15V〜24V	0502	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
UC2715NG4	-	RFQ	6230	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
ADP3631ARMZ-R7	3.1500	RFQ	787	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ADP3631	反转，无变形	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	10n，10n
IRS2332DSTRPBF	-	RFQ	2375	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2332	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
TC4405COA713	2.7900	RFQ	8592	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405COA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
IR25600pbf	-	RFQ	8221	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR25600	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TC1411NCOA	1.4500	RFQ	168	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411NCOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
L6747C	-	RFQ	8096	Stmicroelectronics	-	托盘	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	L6747	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-vfdfpn（3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3.5a， -	-	41 v
FAN3229CMPX	-	RFQ	2064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3229	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
IR21064pbf	-	RFQ	3109	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
El7457Cl	-	RFQ	4906	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
MCP14E4-E/SL	-	RFQ	3586	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
max5057aasa+t	-	RFQ	6401	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5057	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
IR2128SPBF	3.0800	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2128	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
TC4420MJA	36.2300	RFQ	5129	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL6614CR	-	RFQ	5136	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TPS51604QDSGTQ1	5.9500	RFQ	5	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	TPS51604	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.6V，2.65V	-	30ns，8ns	35 v
IR2235JPBF	13.3291	RFQ	2587	Infineon技术	-	管子	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
DRV8304HRHAT	3.8500	RFQ	270	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	40-VFQFN暴露垫	DRV8304	不转变	未行业行业经验证	6v〜38V	40-VQFN （6x6）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	3相	高方面或低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	150mA，300mA	300NS，150NS
IXDN409YI	-	RFQ	6816	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
HIP2101IB	-	RFQ	8287	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LM5112MMYX	-	RFQ	5927	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
IR2153C	-	RFQ	2055	Infineon技术	*	管子	过时的				IR2153		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1
TC4428ACOA713	1.7800	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ICL7667CPA	-	RFQ	6661	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
IR2301pbf	5.4700	RFQ	282	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
Fan7361m	-	RFQ	5973	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7361	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,100	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，3.6V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
ixdd614ci	6.0900	RFQ	457	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDD614	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
ix4423ntr	-	RFQ	7038	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IX4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	3a，3a	18N，18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²