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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MIC4421ABM	-	RFQ	5818	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
ADUM4221-1BRIZ-RL	8.2700	RFQ	4311	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n
UCC27323DRG4	-	RFQ	9097	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
ISL6612IR	-	RFQ	2507	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4405COA	3.6900	RFQ	512	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
IRS2111SPBF	-	RFQ	4576	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2111	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	8.3V，12.6V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
Fan7371m	-	RFQ	2255	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7371	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
NCP81062MNTWG	0.6500	RFQ	506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81062	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
2SB315B-FF800R17KF6	-	RFQ	3468	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
ISL6605CRZR5168	-	RFQ	3404	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TD352IDT	3.0500	RFQ	23	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TD352	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.3a，1.7a	100NS，100NS （最大）
LTC1165CS8 ＃PBF	-	RFQ	7995	线性技术	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		反转		1.8V〜6V	8-so	-				2156-LTC1165CS8 ＃PBF			1	独立的	高方向	3	n通道MOSFET	-	-
RAA2261104GNP ＃MA0	5.8700	RFQ	3447	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	16-VQFN暴露垫	RAA2261104	不转变	未行业行业经验证	6.5v〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.6V，2.3V	2a，1.2a	30ns，31ns
MIC4478YM-T5	-	RFQ	4588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4478	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
LTC7000HMSE-1 ＃TRPBF	5.5800	RFQ	9215	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
auxdi2117str	-	RFQ	3376	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AUXDI2117		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511488	过时的	0000.00.0000	2,500
MIC4606-2YML-T5	-	RFQ	4791	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	同步	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
UC2708DWTR	7.0470	RFQ	3782	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
RAA228006GNP＃ha0	6.2643	RFQ	3501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228006GNP＃ha0tr			1
LT1162ISW ＃PBF	16.2900	RFQ	5239	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	32	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
MIC4428BM-TR	-	RFQ	2721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
DGD2103MS8-13	1.1600	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
TC428EOA	1.9000	RFQ	1977年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IXDN602SIA	1.6600	RFQ	27	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA340	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
ISL95808IRZ-T	2.2879	RFQ	2728	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	33 V
4DUC51016CFA1	157.9100	RFQ	60	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	4DUC51016	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	-	Rohs符合条件	不适用		132-4DUC51016CFA1	Ear99	8543.70.9860	20	同步	半桥	4	IGBT	-	-	-	1200 v
TC4421AVOA713-VAO	-	RFQ	7206	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
MAX5057BASA	-	RFQ	7423	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5057	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
TC4421ESM713	3.3900	RFQ	7045	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
LM5109MA	-	RFQ	5822	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²