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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC0108T2D0C-12 | 90.0273 | ![]() | 9177 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 2SC0108 | - | 14.5v〜15.5V | 模块 | - | 596-2SC0108T2D0C-12 | 30 | 独立的 | - | 2 | IGBT | - | 8a,8a | 17ns,15ns | 1200 v | ||||||||
![]() | 2SC0108T2G0C-17 | 80.9130 | ![]() | 2292 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2+ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 2SC0108 | - | 14.5v〜15.5V | 模块 | - | (1 (无限) | 596-2SC0108T2G0C-17 | Ear99 | 8543.70.9860 | 30 | 独立的 | - | 2 | IGBT | - | 8a,8a | 17ns,15ns | 1700 v | |||||
![]() | 2SC0106T2A1C-12 | 64.5593 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2+ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 2SC0106 | 不转变 | 14.5v〜15.5V | 模块 | - | 596-2SC0106T2A1C-12 | 30 | 独立的 | - | 2 | IGBT | - | 6a,6a | 20N,13ns | 1200 v | ||||||||
![]() | 1SP0351V2B0C-XXXX (2)(3)(4)(4) | 391.2200 | ![]() | 3162 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SP0351V2B0C-XXXX(2)(3)(3)(4) | 2 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1SP0635S2M1-12 | 370.4117 | ![]() | 7421 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | - | 14.5v〜15.5V | 模块 | - | 596-1SP0635S2M1-12 | 6 | 单身的 | - | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | 1200 v | |||||||||
![]() | 2SP0320V2A0C-XXXX(2)(3)(3)(4) | 263.1400 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-2SP0320V2A0C-XXXX (2)(3)(4)) | 3 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC0435T2F1C-17 | 124.7229 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2+ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 2SC0435 | - | 14.5v〜15.5V | 模块 | - | 596-2SC0435T2F1C-17 | 24 | 独立的 | - | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | 35a,35a | 20N,20N | 1700 v | ||||||||
![]() | 2SP0115T2B0C-XXXX(2)(3)(3)(4)(4))(5)5) | 136.1483 | ![]() | 3386 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-2SP0115T2B0C-XXXX(2)(3)(4)(4)(5) | 12 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1Sp0635d2s1-xxxx(2)(3)(3)(4) | 149.9283 | ![]() | 1400 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SP0635D2S1-XXXX (2)(3)(4)(4) | 6 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPQ6531GVE-AEC1-P | 2.7699 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | 汽车,AEC-Q100,MPQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-VFQFN暴露垫 | 不转变 | 5v〜60V | 28-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MPQ6531GVE-AEC1-PTR | 500 | 3相 | 半桥 | 3 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 800mA,1a | - | |||||||
![]() | MP1921GQ-BP | 1.4780 | ![]() | 7622 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | 不转变 | 9v〜18V | 10-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MP1921GQ-B-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a,2.5a | 12ns,9ns | 120 v | ||||||
![]() | MP6539GF-P | 2.0518 | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | 不转变 | 8v〜100V | 28-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2a (4周) | 到达不受影响 | 1589-MP6539GF-PTR | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 800mA,1a | - | 120 v | ||||||
![]() | MP1911GTL-P | - | ![]() | 5903 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MP1911GTL-PTR | 500 | ||||||||||||||||||||
TCK420G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-XFBGA,WLCSP | TCK420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜28V | 6-WCSPG(0.8x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.4V,1.2V | - | - | ||||||
![]() | HIP2211FBZ-T | 1.9100 | ![]() | 9003 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP2211 | 不转变 | 6v〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.47V,1.84V | 3a,4a | 20N,20N | 115 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | PCA9440HE/AZ | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | PCA9440 | 未行业行业经验证 | - | 到达不受影响 | 568-PCA9440HE/AZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SSC4S701 | 1.6100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜100°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SSC4S701 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13.5v〜16.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | 2.6V,1.3V | 800mA,1.75a | - | |||||
![]() | ZXGD3004E6QTA | 0.3286 | ![]() | 6541 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | ZXGD3004 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 40V | SOT-26 | 下载 | 到达不受影响 | 31-ZXGD3004E6QTATR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 8a,8a | 14ns,14ns | |||||
![]() | NCV5707BDR2G | 0.7727 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5707 | 反转 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NCV5707BDR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高侧和低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.75V,4.3V | 7.8a,6.8a | 9.2NS,7.9NS | |||
NCP51513ABMNTWG | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | NCP51513 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜19v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 2a,3a | 9NS,7NS | 150 v | ||||
![]() | 1EDN9550BXTSA1 | 0.5863 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | 1EDN9550 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | N通道MOSFET,SIC MOSFET | - | 5.2a,9.4a | 1NS,1NS | 400 v | |||
MP1922GV-P | 3.3700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜165°C(TJ) | 表面安装 | 22-VFQFN暴露垫 | MP1922 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 0v〜100V | 22-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MP1922GV-PTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,4a | - | 115 v | |||
![]() | MPQ1922GV-AEC1-Z | 4.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜165°C(TJ) | 表面安装 | 22-VFQFN暴露垫 | MPQ1922 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 0v〜100V | 22-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MPQ1922GV-AEC1-ZTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,4a | - | 115 v | ||
![]() | A89506KLPTR | 5.4200 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜135°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173英寸,4.40mm宽) | A89506 | 不转变 | 未行业行业经验证 | - | 20-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 同步 | 全桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | ||||
![]() | BD2320UEFJ-LAE2 | 2.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BD2320 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜14.5V | 8-HTSOP-J | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V,1.5V | 3.5a,4.5a | 8ns,6ns | 100 v | ||||
![]() | drv8300udipwr | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | DRV8300 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.7V〜20V | 20-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 750mA,1.5a | 24ns,12ns | 125 v | |||
![]() | ISL6208DHRZ-TS2378 | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-DFN(2x2) | - | 20-ISL6208DHRZ-TS2378 | 过时的 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||||||
![]() | ISL6208CBZ-TS2568 | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 20-ISL6208CBZ-TS2568 | 过时的 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||||||
![]() | ISL95808BW | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 积极的 | - | - | - | ISL95808 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | - | - | 20-ISL95808BW | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 8ns,8ns | 36 V | |||||||
![]() | UCC27284DRMR | 1.5900 | ![]() | 5876 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-VSON (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 296-UCC27284DRMRDKR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 3a,3a | 10n,10n | 100 v |
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