SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
FAN73711M onsemi FAN73711M -
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan73711 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 25ns,15ns 600 v
IR2131JTR Infineon Technologies IR2131JTR -
RFQ
ECAD 5655 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
LTC4447EDD#PBF ADI LTC4447EDD #PBF -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 12-WFDFN暴露垫 LTC4447 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.5V 12-DFN (3x3) 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 121 同步 半桥 2 n通道MOSFET 2.5V,3V 3.2a,3.2a 8NS,7NS 42 v
UCC27200DR Texas Instruments UCC27200DR 2.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27200 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3V,8V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
IR2135STR Infineon Technologies IR2135STR -
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2135 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 90NS,40NS 600 v
LTC4449EDCB#TRPBF ADI LTC4449EDCB#trpbf 4.3000
RFQ
ECAD 7934 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 LTC4449 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.5V 8-DFN(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 3V,6.5V 3.2a,4.5a 8NS,7NS 42 v
IRS2113SPBF Infineon Technologies IRS2113SPBF 1.8463
RFQ
ECAD 3727 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IRS2113 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 2.5a,2.5a 25ns,17ns 600 v
MCP14A0455T-E/MS Microchip Technology MCP14A0455T-E/MS 1.5500
RFQ
ECAD 251 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0455 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V,2V 4.5a,4.5a 12n,12ns
UC2710N Texas Instruments UC2710N 12.1120
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UC2710 反转,无变形 未行业行业经验证 4.7V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 6a,6a 85ns,85ns
ZXGD3001E6TA Diodes Incorporated ZXGD3001E6TA 0.7800
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 ZXGD3001 不转变 未行业行业经验证 12v (最大) SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - 9a,9a 7.3NS,11NS
IRS2181SPBF Infineon Technologies IRS2181SPBF 1.5232
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
MIC4423YM-TR Microchip Technology MIC4423YM-TR 2.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
LTC7004HMSE#PBF ADI LTC7004HMSE #PBF 8.3500
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC7004HMSE #PBF Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
LTC4442IMS8E#PBF ADI LTC4442IMS8E #PBF 4.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4442 不转变 未行业行业经验证 6v〜9.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC4442IMS8E #PBF Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.4a,2.4a 12n,8ns 42 v
L6390D STMicroelectronics L6390D 2.4300
RFQ
ECAD 9477 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) L6390 不转变 未行业行业经验证 12.5v〜20V 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.9V 290mA,430mA 75ns,35ns 600 v
SN75374DRE4 Texas Instruments SN75374DRE4 -
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) SN75374 反转 未行业行业经验证 4.75V〜28V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,500mA 20N,20N
UCC27322DGNR Texas Instruments UCC27322DGNR 1.4500
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1.1V,2.7V 9a,9a 20N,20N
TC1426CPA Microchip Technology TC1426CPA 1.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC1426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,3V 1.2a,1.2a 35ns,25n
UCC37321D Texas Instruments UCC37321D 2.4300
RFQ
ECAD 404 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC37321 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1.1V,2.7V 9a,9a 20N,20N
IXDF402PI IXYS IXDF402PI -
RFQ
ECAD 2990 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXDF402 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 8ns,8ns
MIC4608YM Microchip Technology MIC4608YM -
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) MIC4608 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 54 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 31ns,31ns 600 v
IXDI514D1 IXYS IXDI514D1 -
RFQ
ECAD 7359 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDI514 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
MIC4126YMME Microchip Technology MIC4126YMME 1.1300
RFQ
ECAD 422 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) MIC4126 反转 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,18NS
IXDF404SI-16 IXYS IXDF404SI-16 -
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IXDF404 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 16-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 IXDF404SI-16-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.5V 4a,4a 16ns,13ns
ISL78420AVEZ-T Renesas Electronics America Inc ISL78420Avez-T 3.0561
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) ISL78420 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.8V,4V 2a,2a 10n,10n 114 v
AUIRS2118S Infineon Technologies AUIRS2118S -
RFQ
ECAD 6176 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auirs2118 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001511658 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 290mA,600mA 75ns,25ns 600 v
IRS21851STRPBF Infineon Technologies IRS21851STRPBF -
RFQ
ECAD 7655 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS21851 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 15ns,15ns 600 v
MC33883HEGR2 NXP USA Inc. MC33883HEGR2 -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) MC33883 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜28V 20-SOIC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 80n,80n 55 v
IXDF604SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDF604SIA 2.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDF604 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA359 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
FAN7393MX onsemi FAN7393MX -
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7393 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14分 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 2.5a,2.5a 40NS,20NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库