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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LM5106MMX/NOPB | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-VSSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.2a,1.8a | 15ns,10ns | 118 v | |||||
![]() | IR7106SPBF-IR | - | ![]() | 6334 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR7106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 700 v | ||
![]() | R2J20605ANP #G3 | 13.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | R2J20605 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||
![]() | Adum4221-1ariz | 8.2700 | ![]() | 148 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | ADUM4221 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 2.5V〜6.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V,3.5V | 4a,6a | 25n,25n | |||
![]() | UC3705DTR | 5.3880 | ![]() | 5355 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UC3705 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 60n,60n | |||
![]() | FAN73932M | - | ![]() | 6533 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan73932 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 2.5a,2.5a | 25NS,20NS | 600 v | |||
![]() | ISL6614ACRZ | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | Fan7190m | - | ![]() | 7731 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7190 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜22v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.5V | 4.5a,4.5a | 25NS,20NS | 600 v | ||||
![]() | SM72482MAX-4/NOPB | 1.1760 | ![]() | 3239 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SM72482 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | DGD2103S8-13 | - | ![]() | 5412 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DGD2103 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||
![]() | MCP1405-E/SO | 2.5350 | ![]() | 4706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MCP1405 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4.5a,4.5a | 15NS,18NS | |||
![]() | ISL6612ECBZ-T | - | ![]() | 3610 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | LTC4442EMS8E#trpbf | 2.3100 | ![]() | 9371 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4442 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜9.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.4a,2.4a | 12n,8ns | 42 v | ||
![]() | 2SC0106T2A1-12 | 28.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2+ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 模块 | 2SC0106 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 1810-1021 | Ear99 | 8473.30.1180 | 30 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 6a,6a | 20N,13ns | 1200 v | |||
![]() | 2ED4820EMXUMA2 | 6.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24-tssop (0.154英寸,3.90mm宽度) | 2ED4820 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V〜70V | PG-TSDSO-24 | 下载 | rohs3符合条件 | 2a (4周) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.4V,2.6V | 300mA,1.3a | 3µs,3µs (最大) | |||
![]() | SG1644T-883B | - | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-99-8金属罐 | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 到99 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644T-883B | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | UCC27211ADR | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | UCC27211 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||
![]() | MIC4422CM | - | ![]() | 6259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
NCP5109ADR2G | 1.2400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCP5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 250mA,500mA | 85ns,35ns | 200 v | |||
![]() | SG1644L-883B | - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 20-CLCC | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 20-CLCC(8.89x8.89) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644L-883B | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | ISL6612BECBZ | 2.5700 | ![]() | 870 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||
![]() | 5962-0152001VPA | - | ![]() | 2109 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 8-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-5962-0152001VPA | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MIC4480ME-TR | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4480 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜32V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2.5a,2.5a | 120NS,45NS | |||
![]() | ISL6594BCB-T | - | ![]() | 7526 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | ISL6700IB-T | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6700 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.4a,1.3a | 5n,5ns | 80 V | ||||
![]() | ISL78424VAVEZ-T | 2.9726 | ![]() | 5199 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | ISL78424 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜18V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-ISL78424VAVEZ-TTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.1V | 3a,4a | 10n,10n | 100 v | |
![]() | 2QG010DDC11N | 174.6000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2PG010 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 132-2QG010DDC11N | Ear99 | 8543.70.9860 | 20 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.5V,3.3V | 500NS,500NS | |||
![]() | TC4422ESM | 4.4800 | ![]() | 6323 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-soij | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 60n,60n | |||
![]() | IR2128SPBF | 3.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2128 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | ||
![]() | ISL6594BCRZ | - | ![]() | 6389 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V |
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