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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCZ33883EGR2	-	RFQ	1442	自由度半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	MCZ33883	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜55V	20-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	-
FL73282MX	2.4100	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FL73282	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	900 v
LTC4441ES8-1＃trpbf	3.1200	RFQ	1873年	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
TC4467EOE	6.6700	RFQ	141	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467EOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
MIC5013YM	5.9100	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5013	不转变	未行业行业经验证	7v〜32v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1231	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
IR21084STR	-	RFQ	4241	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21084	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
L6395d	2.1500	RFQ	55	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6395	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-14335-5	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
IR2153STRPBF	2.0000	RFQ	42	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
2EDN7524RXUMA1	-	RFQ	6954	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN7524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
MIC4425CWM	-	RFQ	2984	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
FAN7390N	-	RFQ	7991	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Fan7390	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	8点	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
IXC611S1T/r。	-	RFQ	1319	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXC611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
max5078aatt+t	-	RFQ	9396	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
ISL6620IBZ	-	RFQ	6338	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620ibz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
ICL7667CBA	-	RFQ	8580	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
TC4423CPA	3.4100	RFQ	116	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
IXDN602SI	2.6300	RFQ	3	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
drv8300 -dipwr	1.6900	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	20-tssop	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300DIPWRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
EL7212CNZ	7.1100	RFQ	8507	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7212	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
LM5111-1M/NOPB	2.9000	RFQ	10	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
NCV81071BZR2G	-	RFQ	5441	Onmi	*	大部分	积极的						未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
tps2833d	2.3673	RFQ	3829	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2833	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
TC4429EPA	2.3800	RFQ	865	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IR21271STRPBF	3.0800	RFQ	25	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21271	不转变	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
LM5107MAX/NOPB	2.3600	RFQ	6	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
UC2714D	2.8275	RFQ	2261	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IR2153D	-	RFQ	5377	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
LTC4440EMS8E-5 trpbf	3.1950	RFQ	6774	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
ISL6614CR	-	RFQ	5136	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
AUIRS2110STR	-	RFQ	7232	国际整流器	-	大部分	积极的		表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2110	不转变	未行业行业经验证	3v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2					500 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²