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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
NCV57080CDR2G	2.8100	RFQ	2858	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV57080	反转，无变形	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NCV57080CDR2GTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	半桥	1	IGBT	6V，14V	8a，8a	13ns，13ns
IRS2336DSPBF	4.8318	RFQ	9529	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IXS839AQ2T/r。	-	RFQ	3029	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	IXS839	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-qfn （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，4a	20N，15n	24 V
ISL78424VAVEZ-T7A	5.5100	RFQ	8795	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78424	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
IRS2330STRPBF	-	RFQ	8492	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2330	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001534830	Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
NJW4832KH1-B-TE3	0.6798	RFQ	4247	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	6-xfdfn暴露垫	NJW4832	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜40V	6-DFN（1.6x1.6）	下载					Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	P通道MOSFET	0.9V，2.64V	-	10µs，10µs
UP1966E	3.6000	RFQ	131	EPC	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-UFBGA，WLCSP	UP1966	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	12-wlcsp-b （1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	增强模式甘发	0.5V，2.3V	7.1a，12.5a	8NS，4NS	85 v
IR2235STRPBF	10.4400	RFQ	5366	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
ISL66222BZ-T	-	RFQ	2069	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MCP1407T-E/MF	1.5200	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1407	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
UCC27524ADR	1.3400	RFQ	6	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
VLA591-01R	82.2600	RFQ	5690	Powerex Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	50浸，30条线索	VLA591	不转变	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	10	独立的	全桥	2	IGBT	-	20a，20a	520ns，120ns
UCC27201Adrct	3.1200	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫，9条线索	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	9-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
MIC5020BM-Tr	-	RFQ	2163	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5020	不转变	未行业行业经验证	11V〜50V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	700NS，500NS
IRS25752LTRPBF	1.0400	RFQ	2	Infineon技术	µHVIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRS25752	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	PG-SOT23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	160mA，240mA	85NS，40NS	600 v
1SD1548AI	-	RFQ	4372	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	1SD1548	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	48a，48a	-
MCP14A1202T-E/MNYVAO	-	RFQ	9128	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A1202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
max5063basa+	4.7775	RFQ	2861	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
IRS21531DSTRPBF	1.7900	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.4V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
MCP14A0452T-E/RW	1.2450	RFQ	9162	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
stsr2pmcd-tr	4.3400	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR2	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
L9857-TR-LF	-	RFQ	5619	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9857	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	300 v
TD310in	-	RFQ	7320	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	TD310	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜16V	16二滴	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
2ED2748S01GXTMA1	3.1900	RFQ	6709	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				3,000
RAA2260544GNP＃ha0	4.1097	RFQ	3733	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA2260544GNP＃ha0tr			1
LM5109SD/NOPB	0.5800	RFQ	9	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
6ED003L06F2XUMA2	-	RFQ	6861	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6ed003	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	P-DSO-28	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	165mA，375mA	60ns，26ns	620 v
LF2104NTR	1.3900	RFQ	9	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LF2104	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	212-LF2104NTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
IRS24531DSTRPBF	-	RFQ	5476	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS24531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
FAN7361MX	-	RFQ	6356	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7361	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，3.6V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²